CN107275344B - 低温多晶硅阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板,包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层、以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层;所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记,所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案,所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记,或者所述绝缘层镂空设置,露出所述刻度标记的中间区域。本发明的低温多晶硅阵列基板制作方法简单,通过将背镀氧化铟锡层上的刻度标记与其上的绝缘层经过特别设计后,可以有效地改善离子体氮化硅脱落现象,大幅提高基板产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及基板制作技术领域,尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法。
背景技术
LTPS(Low Temperature Poly-silicon,即低温多晶硅)制程中,在显影时为控制曝光的偏移,需要使用Mask blade(掩模板遮挡板)设计来检测曝光偏移量。
BITO(Back side Indium tin oxide,即背镀氧化铟锡)的下一制程是镀P-SiN(等离子体氮化硅)绝缘膜,在实际生产中发现镀膜制程后,BITO Mask blade容易发生等离子体氮化硅脱落的现象,脱落的材料在后续面板制程中形成盒内异物,造成产品报废。其主要原因是等离子体氮化硅和阶梯形状的BITO边缘的覆盖性不佳,造成等离子体氮化硅附着性不佳。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种改善离子体氮化硅脱落现象的低温多晶硅阵列基板及其制作方法。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种低温多晶硅阵列基板,包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层;所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记,所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案,所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记。
本发明提供的另一种技术方案是:
一种低温多晶硅阵列基板,包括低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管上方的平坦层、背镀氧化铟锡层以及所述背镀氧化铟锡层表面的绝缘层;所述背镀氧化铟锡层上形成有刻度标记;所述绝缘层镂空设置,露出所述刻度标记的中间区域。
作为其中一种实施方式,所述绝缘层为沿所述背镀氧化铟锡层边缘设置的一圈封闭的环形结构。
作为其中一种实施方式,所述刻度标记包括一条第一方向延伸的第一刻度和若干条沿第二方向延伸的第二刻度,所述第一刻度与所述第二刻度交叉设置。
作为其中一种实施方式,所述第一刻度与所述第二刻度相互垂直。
作为其中一种实施方式,所述背镀氧化铟锡层在所述第二刻度的端部倒角设置。
作为其中一种实施方式,所述背镀氧化铟锡层在所述第一刻度与所述第二刻度的侧壁倒角设置。
作为其中一种实施方式,所述背镀氧化铟锡层在所述第一刻度与所述第二刻度的交叉处倒角设置。
本发明的另一目的在于提供一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,包括:
制作平坦层;
在所述平坦层上制作背镀氧化铟锡层;
在所述背镀氧化铟锡层上制作绝缘层;
其中,所述背镀氧化铟锡层上制作有刻度标记,所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层上开设的镂空图案,所述绝缘层贴合在所述背镀氧化铟锡层表面并完全覆盖所述刻度标记。
本发明提供的另一种技术方案是:
一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,包括:
制作平坦层;
在所述平坦层上制作背镀氧化铟锡层;
在所述背镀氧化铟锡层上制作绝缘层;
其中,所述背镀氧化铟锡层上制作有刻度标记,所述绝缘层镂空设置,以露出所述刻度标记的中间区域。
本发明的低温多晶硅阵列基板制作方法简单,通过将背镀氧化铟锡层上的刻度标记与其上的绝缘层经过特别设计后,可以有效地改善离子体氮化硅脱落现象,大幅提高基板产品的良率。
附图说明
图1为本发明的一种低温多晶硅阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例1的BITO层的结构示意图;
图3为本发明实施例1的低温多晶硅阵列基板的部分制作过程示意图;
图4为本发明实施例1的另一种BITO层的结构示意图;
图5为本发明实施例2的BITO层的结构示意图;
图6为本发明实施例2的低温多晶硅阵列基板的部分制作过程示意图;
图7为本发明实施例2的另一种BITO层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参阅图1,本发明的低温多晶硅阵列基板包括低温多晶硅薄膜晶体管10、位于低温多晶硅薄膜晶体管10上方的平坦层20、背镀氧化铟锡层30以及背镀氧化铟锡层30表面的绝缘层40。其中,背镀氧化铟锡层30上形成有刻度标记,以作为掩模板遮挡板,用以作为检测曝光偏移量的标尺,通过对比背镀氧化铟锡层30的刻度标记与其下方的平坦层20上曝光后形成的图案判断曝光偏移量。
实施例1
如图2所示,本实施例的刻度标记为背镀氧化铟锡层30上开设的镂空图案,绝缘层40贴合在背镀氧化铟锡层30表面,并完全覆盖刻度标记。该刻度标记包括一条第一方向延伸的孔状的第一刻度31和若干条沿第二方向延伸的孔状的第二刻度32,第一刻度31与第二刻度32交叉设置。由于绝缘层40完全覆盖刻度标记,使得背镀氧化铟锡层30与绝缘层40具有最大的接触面积,背镀氧化铟锡层30的第一刻度31、第二刻度32的周围能最大限度地贴合在绝缘层40表面,具有较强的附着性。
本实施例中,第一刻度31与第二刻度32相互垂直,第一刻度31作为贯穿背镀氧化铟锡层30长度方向的长孔,将所有的第二刻度32衔接在一起,第一刻度31作为每条第二刻度32的对称中心线,其每侧各延伸有第二刻度32的一部分。
如图3所示,本实施例还提供一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,主要包括:
制作平坦层20;
在平坦层20上制作背镀氧化铟锡层30;
在背镀氧化铟锡层30上制作绝缘层40;
其中,背镀氧化铟锡层30上制作有刻度标记,刻度标记为背镀氧化铟锡层30上开设的镂空图案,绝缘层40贴合在背镀氧化铟锡层30表面并完全覆盖刻度标记,绝缘层40的材料为离子体氮化硅。
由于绝缘层40贴合并完全覆盖背镀氧化铟锡层30的刻度标记,刻度标记的边界处的阶梯状边缘仍具有较强的附着力,其周围的绝缘层40不容易脱落,因此提高了低温多晶硅阵列基板产品的良率。
如图4所示,为本实施例的另一种背镀氧化铟锡层的结构示意图,在该背镀氧化铟锡层30中,长孔形的第二刻度32的端部倒角设置。第一刻度31与第二刻度32的内侧壁倒角设置,第一刻度31与第二刻度32的交叉处也倒角设置,其中,倒角最好是倒圆角。第二刻度32的端部、第一刻度31与第二刻度32的交叉处倒角设置使得第一刻度31与第二刻度32的边界轮廓处与上方的绝缘层40具有更大的接触面积,贴合更自然而不会出现直角,可以进一步提高该受力薄弱处的附着力,另外,第一刻度31与第二刻度32的内侧壁倒角设置,即在背镀氧化铟锡层30的厚度方向上(尤其是朝向绝缘层40一侧)做倾斜的倒角,倾斜方向朝向绝缘层40呈喇叭状开口,使得背镀氧化铟锡层30的镂空侧壁具有倾斜的上表面,刻度标记从截面方向看具有一定的坡度,在镀附绝缘层40后,一部分离子体氮化硅材料可以填充在该倒角面上,进一步增加附着面积,间接提高背镀氧化铟锡层30与绝缘层40的附着强度。
实施例2
结合图5和图6所示,与实施例1不同,本实施例的绝缘层40镂空设置,露出刻度标记的中间区域。而背镀氧化铟锡层30形成为标尺结构,由一条第一方向延伸的孔状的第一刻度31和若干条沿第二方向延伸的孔状的第二刻度32连接而成,第一刻度31与第二刻度32交叉设置。绝缘层40为沿背镀氧化铟锡层30边缘设置的一圈封闭的环形结构,这里,平坦层20为矩形,绝缘层40则形成为一圈封闭的边框。
本实施例中,第一刻度31与第二刻度32相互垂直,第一刻度31作为贯穿背镀氧化铟锡层30长度方向的长条,将所有的第二刻度32衔接在一起,第一刻度31作为每条第二刻度32的对称中心线,其每侧各延伸有第二刻度32的一部分。
如图6,本实施例还提供一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,主要包括:
制作平坦层20;
在平坦层20上制作背镀氧化铟锡层30;
在背镀氧化铟锡层30上制作绝缘层40;
其中,背镀氧化铟锡层30上制作有刻度标记,绝缘层40镂空设置,以露出刻度标记的中间区域,绝缘层40的材料为离子体氮化硅。
由于绝缘层40仅仅只有沿背镀氧化铟锡层30边缘设置的一圈环形结构,该环形结构贴合并覆盖背镀氧化铟锡层30***的刻度标记,背镀氧化铟锡层30中部的刻度标记并不被覆盖,因此不会发生绝缘层40脱落在低温多晶硅阵列基板内的现象,因此也提高了低温多晶硅阵列基板产品的良率。
如图7所示,为本实施例的另一种背镀氧化铟锡层的结构示意图,该背镀氧化铟锡层30在第二刻度32的端部倒角设置(倒圆角或倒斜角),第一刻度31与第二刻度32的侧壁倒角设置,第一刻度31与第二刻度32的交叉处也倒角设置。第二刻度32的端部、第一刻度31与第二刻度32的交叉处倒角设置使得第一刻度31与第二刻度32的边界轮廓处与上方的绝缘层40具有更大的接触面积,贴合更自然而不会出现直角,可以进一步提高该受力薄弱处的附着力,另外,第一刻度31与第二刻度32的内侧壁倒角设置,使得刻度标记从截面方向看具有一定的坡度,在镀附绝缘层40后,一部分离子体氮化硅材料可以填充在该倒角面上,进一步增加附着面积,间接提高背镀氧化铟锡层30与绝缘层40的附着强度。
综上所述,本发明的低温多晶硅阵列基板制作方法简单,通过将背镀氧化铟锡层上的刻度标记与其上的绝缘层经过特别设计后,可以有效地改善离子体氮化硅脱落现象,大幅提高基板产品的良率。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种低温多晶硅阵列基板,其特征在于,包括低温多晶硅薄膜晶体管(10)、低温多晶硅薄膜晶体管(10)上方的平坦层(20)、背镀氧化铟锡层(30)以及所述背镀氧化铟锡层(30)表面的绝缘层(40);所述背镀氧化铟锡层(30)上形成有刻度标记,所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层(30)上开设的镂空图案,所述绝缘层(40)贴合在所述背镀氧化铟锡层(30)表面并完全覆盖所述刻度标记,所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅。
2.一种低温多晶硅阵列基板,其特征在于,包括低温多晶硅薄膜晶体管(10)、低温多晶硅薄膜晶体管(10)上方的平坦层(20)、背镀氧化铟锡层(30)以及所述背镀氧化铟锡层(30)表面的绝缘层(40);所述背镀氧化铟锡层(30)上形成有刻度标记;所述绝缘层(40)镂空设置,露出所述刻度标记的中间区域,所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述绝缘层(40)为沿所述背镀氧化铟锡层(30)边缘设置的一圈封闭的环形结构。
4.根据权利要求1-3任一所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述刻度标记包括一条第一方向延伸的第一刻度(31)和若干条沿第二方向延伸的第二刻度(32),所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)交叉设置。
5.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)相互垂直。
6.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第二刻度(32)的端部倒角设置。
7.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)的侧壁倒角设置。
8.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板,其特征在于,所述背镀氧化铟锡层(30)在所述第一刻度(31)与所述第二刻度(32)的交叉处倒角设置。
9.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
制作平坦层(20);
在所述平坦层(20)上制作背镀氧化铟锡层(30);
在所述背镀氧化铟锡层(30)上制作绝缘层(40),所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅;
其中,所述背镀氧化铟锡层(30)上制作有刻度标记,所述刻度标记为所述背镀氧化铟锡层(30)上开设的镂空图案,所述绝缘层(40)贴合在所述背镀氧化铟锡层(30)表面并完全覆盖所述刻度标记。
10.一种低温多晶硅阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
制作平坦层(20);
在所述平坦层(20)上制作背镀氧化铟锡层(30);
在所述背镀氧化铟锡层(30)上制作绝缘层(40),所述绝缘层(40)的材料为离子体氮化硅;
其中,所述背镀氧化铟锡层(30)上制作有刻度标记,所述绝缘层(40)镂空设置,以露出所述刻度标记的中间区域。
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