CN106830049A - 一种纳米片组成的Cu9 S5 空心26面体的制备方法 - Google Patents
一种纳米片组成的Cu9 S5 空心26面体的制备方法 Download PDFInfo
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 66
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims abstract description 24
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 41
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 24
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 10
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 9
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- AQMRBJNRFUQADD-UHFFFAOYSA-N copper(I) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+].[Cu+] AQMRBJNRFUQADD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000002091 nanocage Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 nanodisks Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G3/00—Compounds of copper
- C01G3/12—Sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
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Abstract
本发明的一种纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的制备方法，属于纳米材料制备的技术领域，该方法以实心氧化亚铜多面体为前驱体，将其分散在乙醇溶液中，加入NaOH溶液和Na2S溶液，在一定温度下通过硫的二价离子与氧的二价离子进行阴离子交换反应一步得到与实心氧化亚铜形貌相似的空心结构颗粒，实心多面体的形貌可以通过调节反应的温度，反应的时间进行控制。本发明与传统方法比较，提供了一种新型的合成和制备半导体纳米材料笼状结构的新方法，具有低成本、操作简单、反应速率快、环境友好、低碳高效等优点。纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒表现出了在水氧化催化上具有高催化活性的应用前景，以及太阳能电池、冷电极和纳米开关等领域具有潜在应用价值。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的制备方法，该类空心结构在非贵金属光催化水氧化领域中表现出良好的催化性能，以及太阳能电池、冷电极和纳米开关等领域具有潜在应用价值。
背景技术
近几年，空心结构颗粒引起人们极大的兴趣，由于其具有内部空间、低密度、大比表面积、较强稳定性和表面渗透性等特点，在催化、光电传感器、药物传输载体、光子晶体、能量存储器件和纳米化学反应等方面有着重要的应用前景。当前关于合成空心结构的策略主要有肯柯达尔效应、酸刻蚀、配位多聚物自模板直接生长和固体热分解过程，制备如Cu7S4、Fe2O3、MnO、ZnO、TiO2空心笼状结构颗粒。但是上述制备过程需要进一步热或酸处理，过程复杂、制备成本高和易于造成环境污染。因此，发展低温条件、环境友好、快速合成空心笼状结构颗粒的新方法具有重要的学术意义和应用价值。
CuxS是一种典型的窄带隙P-型半导体，禁带宽度为1.2-2.2eV，由于其良好的光电性能而被广泛用于各个研究领域。例如CuxS可被用作光催化剂，通过光催化水氧化反应，在太阳能电池中具有潜在的应用，为解决能源短缺问题提供了一种途径；CuxS纳米材料具有良好的电化学性能，是一种潜在的锂离子电池负极材料；利用CuxS在光子吸收方面的能力可以在光伏领域有所应用。人们已投入大量精力发展制备不同形貌CuxS的方法，例如，纳米线、纳米盘、纳米片等。Wu科研小组以铜-硫醇盐聚合物为前驱物，采用无溶剂热分解合成均匀的硫化亚铜纳米线(Ling C,Yu-Biao C,Li-Ming W.Synthesis of uniform Cu2Snanowires from copper-thiolate polymer precursors by a solventlessthermolytic method.[J].Journal of the American Chemical Society,2004,126(50):16334-5.)；Li科研小组通过引入Tin(IV)-X复杂体作为无机表面配体，柱状自组装合成硫化亚铜六角纳米盘(Xiaomin L,Huaibin S,Jinzhong N,et al.Columnar self-assemblyof Cu2S hexagonal nanoplates induced by tin(IV)-X complex as inorganicsurface ligand.[J].Journal of the American Chemical Society,2010,132(37):12778-9.)；由于特殊的空心多面结构具有比表面积大、活性位置多等优点使其在多种领域展示出潜在的应用价值。最近，日本东京大学Teranishi小组以氧化亚铜纳米晶体为模板合成CuxS赝晶纳米笼状结构(H.-L.Wu,R.Sato,A.Yamaguchi,et al.Formation ofpseudomorphic nanocages from Cu2O nanocrystals through anion exchangereactions[J].Science,2016,351(6279):1306-1310.)。但以上合成过程，均有有毒溶剂参与其中，并且这些制备过程存在花费较高、操作繁琐以及产生环境污染等缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，克服背景技术存在的缺点，提供一种低成本、操作简单、反应速率快、环境友好、低碳高效的制备纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的制备方法。
本发明采取的具体技术方案如下：
一种纳米片组成的Cu9S5空心26面体的制备方法，具体步骤如下：
(1)首先将0.01摩尔的CuSO4·5H2O与去离子蒸馏水搅拌混合，用量比例为每0.01摩尔的CuSO4·5H2O使用100毫升去离子蒸馏水，在60℃水浴中搅拌反应5-20分钟；
(2)随后加入1.5摩尔NaOH，用量比例为每1.5摩尔的NaOH使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜与氢氧化钠的混合溶液继续在60℃水浴中搅拌反应5-20分钟；
(3)再次加入0.1摩尔的ascorbic acid，用量比例为每0.1摩尔的ascorbic acid使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜、氢氧化钠、ascorbic acid按照上述依次加入的量在60℃水浴中搅拌继续反应1-1.5h；
(4)提取反应液沉淀得到砖红色的实心氧化亚铜多面体颗粒，用去离子蒸馏水离心洗涤数次并60℃真空干燥数小时；
(5)其次，将0.01M的实心Cu2O多面体颗粒与乙醇溶液混合，用量比例为每0.01摩尔的Cu2O使用30-50毫升乙醇；
(6)然后，加入0.0005摩尔NaOH，用量比例为每0.0005-0.01摩尔使用1毫升去离子蒸馏水，并在55-65℃水浴中搅拌反应；
(7)随后加入0.005摩尔Na2S，用量比例为每0.005摩尔的Na2S使用10-30毫升去离子蒸馏水，然后在55-65℃水浴中反应10-20分钟得到纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒。
使用实心氧化亚铜多面体为前驱体，以乙醇溶液为溶剂，在55-65℃水浴中及其他温度下，推导出Cu9S5由温度的变化引起的晶体结构的变化，通过加入NaOH控制硫化亚铜表面不被钝化，表面化学活性更高，加入Na2S，通过硫的二价离子与氧的二价离子进行阴离子交换反应一步得到与实心氧化亚铜多面体形貌所对应的纳米片组成的Cu9S5空心26面体的笼状结构，进一步提高纳米材料的比表面积。
本发明的操作步骤主要分两个阶段：第一步为制备实心多面体氧化亚铜颗粒过程，利用恒温水浴加热包含铜源、还原剂和添加剂的均匀混合水溶液，通过调节反应液中NaOH浓度合成不同形貌的实心多面体氧化亚铜颗粒；第二步为60℃原位合成Cu9S5过程，在乙醇溶液中以实心多面体氧化亚铜颗粒为前驱体，60℃条件下，在NaOH和Na2S协同作用下，实心多面体氧化亚铜通过阴离子交换反应一步得到纳米片组成的Cu9S5空心26面体，在不同反应温度下，可得到不同形貌的Cu9S5颗粒，不同反应时间下，可得到不同尺寸以及相似形貌的Cu9S5颗粒。
本发明有以下有益效果：
1、低成本，低温下合成。
2、操作简单，反应速率快，实验周期短，能快速合成。
3、环境友好，整个实验过程中，无有毒药品添加，避免对环境的污染。
4、低碳高效，利用实心多面体氧化亚铜为模板一步合成纳米片组成的Cu9S5空心26面体，中间不需通过刻蚀制备空心结构，提高效率降低成本。
5、本发明制备的纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒形貌可控且具有较大比表面积和较高化学活性。
附图说明
图1是实施例1制备的实心二十六面体结构的氧化亚铜颗粒的扫描照片图。
图2是实施例1制备的实心二十六面体结构的氧化亚铜颗粒的透射照片图。
图3是实施例1制备的实心二十六面体结构的氧化亚铜颗粒的X射线衍射图。
图4是实施例2制备的纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的扫描照片图。
图5是实施例2制备的纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的透射照片图。
图6是实施例2制备的纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒的X射线衍射图。
具体实施方式
以下结合实例进一步说明办发明的具体内容及实施方式：
首先将0.01摩尔的CuSO4·5H2O与去离子蒸馏水搅拌混合，用量比例为每0.01摩尔的CuSO4·5H2O使用100毫升去离子蒸馏水，在60℃水浴中搅拌反应10分钟；随后加入1.5摩尔NaOH，用量比例为每1.5首先将0.01摩尔的CuSO4·5H2O与去离子蒸馏水搅拌混合，用量比例为每0.01摩尔的CuSO4·5H2O使用100毫升去离子蒸馏水，在60℃水浴中搅拌反应10分钟；随后加入1.5摩尔NaOH，用量比例为每1.5摩尔的NaOH使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜与氢氧化钠的混合溶液继续在60℃水浴中搅拌反应5分钟；再次加入0.1摩尔的ascorbic acid，用量比例为每0.1摩尔的ascorbic acid使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜、氢氧化钠、ascorbic acid按照上述依次加入的量在60℃水浴中搅拌继续反应1h；提取反应液沉淀得到砖红色的实心氧化亚铜多面体颗粒，用去离子蒸馏水离心洗涤数次并60℃真空干燥数小时。其次，将0.01M的实心Cu2O多面体颗粒与乙醇溶液混合，用量比例为每0.01摩尔的Cu2O使用39毫升乙醇；然后，加入0.0005摩尔NaOH，用量比例为每0.0005摩尔使用1毫升去离子蒸馏水，并在60℃水浴中搅拌反应；随后加入0.005摩尔Na2S，用量比例为每0.005摩尔的Na2S使用10毫升去离子蒸馏水，然后在60℃水浴中反应10-20分钟得到纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒。
实施实例1：
将0.01M CuSO4·5H2O和100mL去离子蒸馏水在烧瓶中，水浴加热60℃搅拌混合，反应10min,滴加25mL含有1.5M NaOH,反应5min,滴加25mL含有0.1M ascorbic acid，反应1h。反应结束后自然冷却至室温，烧瓶中得到砖红色的实心二十六面体结构氧化亚铜沉淀和剩余的反应溶液，经分离、用去离子水和乙醇洗涤、真空干燥后得到实心二十六面体结构的氧化亚铜颗粒，其扫描照片图、透射照片图和X射线衍射图分别见附图1、附图2和附图3。晶体结构为立方相且结晶性较好，与氧化亚铜的标准卡片(JCPDS No.05-0667)完全对应，没有任何杂峰，说明样品为高纯度的氧化亚铜。
实施例2：
将实施例1中得到的0.01M的实心Cu2O多面体颗粒与39mL乙醇溶液在混合，水浴加热60℃搅拌下，加入1mL含有0.0005M NaOH，随后10mL含有0.005M Na2S，反应10min,加入室温下放置时间改为21天，瓶中得到黑色的纳米片组成的Cu9S5空心26面体沉淀和剩余的反应溶液，经分离、用去离子水和乙醇洗涤、真空干燥后得到纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒，其扫描照片图、透射照片图和X射线衍射图分别见附图4、附图5和附图6。因为Cu9S5是由单晶氧化亚铜纳米颗粒通过阴离子交换的方法得到，在转化的过程中。晶格的对称性也发生了改变，形成了多重孪晶结构，所以其X射线衍射图由同一物质的两种或多种晶粒组成，和Cu9S5的标准卡片(JCPDS No.47-1748)相吻合。
Claims (2)
1.一种纳米片组成的Cu9S5空心26面体的制备方法，具体步骤如下：
(1)首先将0.01摩尔的CuSO4·5H2O与去离子蒸馏水搅拌混合，用量比例为每0.01摩尔的CuSO4·5H2O使用100毫升去离子蒸馏水，在60℃水浴中搅拌反应5-20分钟；
(2)随后加入1.5摩尔NaOH，用量比例为每1.5摩尔的NaOH使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜与氢氧化钠的混合溶液继续在60℃水浴中搅拌反应5-20分钟；
(3)再次加入0.1摩尔的ascorbic acid，用量比例为每0.1摩尔的ascorbic acid使用25毫升去离子蒸馏水，五水硫酸铜、氢氧化钠、ascorbic acid按照上述依次加入的量在60℃水浴中搅拌继续反应1-1.5h；
(4)提取反应液沉淀得到砖红色的实心氧化亚铜多面体颗粒，用去离子蒸馏水离心洗涤数次并60℃真空干燥数小时；
(5)其次，将0.01M的实心Cu2O多面体颗粒与乙醇溶液混合，用量比例为每0.01摩尔的Cu2O使用30-50毫升乙醇；
(6)然后，加入0.0005摩尔NaOH，用量比例为每0.0005-0.01摩尔使用1毫升去离子蒸馏水，并在55-65℃水浴中搅拌反应；
(7)随后加入0.005摩尔Na2S，用量比例为每0.005摩尔的Na2S使用10-30毫升去离子蒸馏水，然后在55-65℃水浴中反应10-20分钟得到纳米片组成的Cu9S5空心26面体颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种纳米片组成的Cu9S5空心26面体的制备方法，其特征在于，使用实心氧化亚铜多面体为前驱体，以乙醇溶液为溶剂，在55-65℃水浴中及其他温度下，推导出Cu9S5由温度的变化引起的晶体结构的变化，通过加入NaOH控制硫化亚铜表面不被钝化，表面化学活性更高，加入Na2S，通过硫的二价离子与氧的二价离子进行阴离子交换反应一步得到与实心氧化亚铜多面体形貌所对应的纳米片组成的Cu9S5空心26面体的笼状结构，进一步提高纳米材料的比表面积。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710147840.4A CN106830049B (zh) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 一种纳米片组成的Cu9 S5 空心26面体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710147840.4A CN106830049B (zh) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 一种纳米片组成的Cu9 S5 空心26面体的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106830049A true CN106830049A (zh) | 2017-06-13 |
| CN106830049B CN106830049B (zh) | 2018-04-17 |
Family
ID=59143493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710147840.4A Expired - Fee Related CN106830049B (zh) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | 一种纳米片组成的Cu9 S5 空心26面体的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106830049B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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