CN106711137A - 半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机 - Google Patents

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Abstract

提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。该半导体装置具备：具有台座(24)的基极(21)、具有导线端板(25)的导线(22)、电子电路体(100)，在基极与导线之间具有电子电路体，台座与电子电路体的第一面连接，导线端板与电子电路体的第二面连接，电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片(11)、控制开关元件的控制电路芯片(12)、漏极框架(14)、源极框架(15)，并构成为一体地被树脂(16)覆盖，漏极框架及源极框架的任意一方与基极连接，源极框架及漏极框架的任意另一方与导线连接。

Description

半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机
技术领域
本发明涉及半导体装置及采用该半导体装置的交流发电机。
背景技术
作为本技术领域的背景技术，有专利文献1～专利文献3。
在专利文献1中公开了一种半导体装置的技术：“[课题]提供一种能够简便地装配且损失小的半导体装置、交流发电机及电力变换装置。[解决方案]本发明的半导体装置S1具有第一外部电极101，该第一外部电极101具有在交流发电机Ot上装设的俯视呈圆形的外周部101s，在第一外部电极101上搭载MOSFET芯片103、输入MOSFET芯片103的第一主端子103d和第二主端子103s的电压或电流并基于其生成向MOSFET芯片103的栅极103g供给的控制信号的控制电路104、向控制电路104供给电源的电容器105，相对于MOSFET芯片103在上述第一外部电极的相反侧具有第二外部电极107，MOSFET芯片103的第一主端子103d和第一外部电极101、以及、MOSFET芯片103的第二主端子103s和第二外部电极107电连接。(参照[摘要])”。
另外，在专利文献2中公开了一种半导体装置的技术：“[课题]提供一种能够改善散热性、导电性且易于收纳不同的半导体芯片的半导体装置。[解决方案]以夹持平面地配置的Si芯片1a、1b的方式配置有一对散热部件2、3，将Si芯片1a、1b的主电极与由以Cu或Al为主成分的金属构成的各散热部件2、3以电连接且导热连接的方式经由接合部件4连接起来。在一面侧的散热部件2上与面对的Si芯片1a、1b对应地形成有突出部2a，且该突出部2a的前端与主电极连接起来。并且，对Si芯片1a、1b和各散热部件2、3进行了树脂封固。(参照[摘要])”。
另外，在专利文献3中公开了一种半导体元件的技术，“[目的]在使收容有半导体基体的容器被两个接触体夹持地与其加压接触的情况下，从控制电极存在的主面侧的散热也会保持良好，该半导体基体是在一个主面上整面地具有主电极、在另一主面上具有主电极和控制电极的、例如IGBT芯片等的半导体基体。[结构]利用绝缘性及良导热性的凝胶8和其上的绝缘性及良导热性的注型树脂9将半导体基体的具有控制电极的主面覆盖，使得能够经由这些凝胶8及树脂层9进行散热。如果以共同的接触体夹持多个这种元件，则能够利用传导及放射向两接触体传热，从而得到小体积且大电容的半导体装置。(参照[摘要])”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－116053号公报
专利文献2：日本特开2001－156225号公报
专利文献3：日本特开平05－326830号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在上述专利文献1～3公开的技术中存在如下课题。
在专利文献1所示技术的半导体装置中，MOSFET芯片103与第一外部电极101及第二外部电极107以夹入MOSFET芯片103的方式直接利用焊锡109连接，此外，电容器105利用绝缘基板106与第一外部电极101或第二外部电极107绝缘。因此，例如在用于在汽车的发电中使用的交流发电机的整流电路等的情况下，需要以不同的制造工序来制造电流方向不同的正座(整流元件S1)构造和反座(整流元件S2)构造，存在需要在制造设备和成本的方面做出进一步改善的课题。
在专利文献2公开的半导体装置、及专利文献3公开的半导体元件中，也由于仅有所谓的输出电路的构造，因此例如在用于整流电路的情况下，需要在输出电路之外另设新的控制电路。因此存在的课题是：例如一体地形成输出电路和控制电路而构成的外部电极，并不适合作为两端子的整流电路等的半导体装置的构造。
另外，在专利文献2公开的半导体装置、及专利文献3公开的半导体元件中，由于内部电极和外部电极通过接触进行连接，因此作为会伴随例如高发热的电力变换装置或整流电路等的半导体装置的构造，存在由于运转时的热变形导致接触界面开口的可能性，因此就散热或电阻的方面而言是不利的构造。
本发明是针对上述课题而进行的，其课题在于提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。
用于解决课题的方案
为了解决上述的课题，采用了以下的结构。
即，本发明的半导体装置，其特征在于，具备：第一外部电极，其具有第一电极面部；第二外部电极，其具有第二电极面部；以及电子电路体，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间具有上述电子电路体，上述第一电极面部与上述电子电路体的第一面连接，上述第二电极面部与上述电子电路体的第二面连接，上述电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片、控制上述开关元件的控制电路芯片、与上述晶体管电路芯片的第一主面相接的第一内部电极、以及与上述晶体管电路芯片的第二主面相接的第二内部电极，并构成为一体地被树脂覆盖，上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方与上述第一外部电极连接，上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方与上述第二外部电极连接。
另外，对于其它方案将在用于实施发明的方式中进行说明。
发明效果
根据本发明，能够提供一种低成本且无需复杂的制造工序即可简便地实现的半导体装置、及采用了该半导体装置的交流发电机。
附图说明
图1是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的纵向构造的剖面的图。
图2是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的俯视构造的图。
图3是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的上表面的图。
图4是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的下表面的图。
图5是表示采用了本发明的第一实施方式的半导体装置的整流电路的电路结构的一个例子的图。
图6是表示本发明的第一实施方式的半导体装置、及电子电路体的更具体的电路结构的一个例子的图。
图7是模式化表示本发明的第二实施方式的半导体装置的纵向构造的剖面的图。
图8是模式化表示采用了本发明的第二实施方式的半导体装置的整流电路的电路结构的一个例子的图。
图9是模式化表示采用了正座的半导体装置和反座的半导体装置的三相全波整流电路装置的电路结构的一个例子的图。
图中：
11—晶体管电路芯片；11d—漏电极(第一主端子)；11s—源电极(第二主端子)；11g—栅电极；12—控制电路芯片；13、81—电容器；14—漏极框架(第一内部电极)；15—源极框架(第二内部电极)；16—第一树脂(电子电路体的树脂)；17—导线框架(支承体)；18—引线；19—第一导电性接合材料(电子电路体的接合材料)；21—基极(第一外部电极)；22—导线(第二外部电极)；24—台座(第一电极面部)；25—导线端板(第二电极面部)；26—第二树脂(半导体装置的树脂)；29—第二导电性接合材料(半导体装置的接合材料)；100—电子电路体；111—MOSFET；112、123—二极管；121—栅极驱动器；122—比较器；200、300—半导体装置；800—三相全波整流电路装置。
具体实施方式
以下适当地参照附图对用于实施本发明的方式(以下标记为“实施方式”)进行说明。
《第一实施方式》
参照图1、图2对本发明的第一实施方式的半导体装置(整流元件)200进行说明。
图1是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置200的纵向构造的剖面的图。
图2是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置200的俯视构造的图。此外，在图2中为了容易理解而省略了在半导体装置200的上部配置的导线(第二外部电极)22、导线端板(第二电极面部)25和第二树脂26进行表示。
此外，在整流元件(半导体装置)的结构(构造)中具有被称为“正座”和“反座”的两种结构(构造)。该“正座”和“反座”的差异通过电极性的差异和与其对应的结构(构造)的差异进行区别。
第一实施方式的半导体装置200具有正座的构造，以下进行具体说明。另外，对于反座的半导体装置300(第7图)将作为第二实施方式在后面进行叙述。
《半导体装置：其一》
在图1及图2中，半导体装置200构成为具备：在上部(图1的纸面的上方)具有台座(第一电极面部)24的基极(第一外部电极、第一外部端子)21；在下部(图1的纸面的下方)具有导线端板(第二电极面部)25的导线(第二外部电极、第二外部端子)22；以及电子电路体100。
台座24与后述的电子电路体100的漏极框架(第一内部电极)14经由第二导电性接合材料(半导体装置的接合材料)29连接起来。
另外，导线端板25与后述的电子电路体100的源极框架(第二内部电极)15经由第二导电性接合材料29连接起来。
另外，台座24及基极21的位于上部的一部分、导线端板25及导线22的位于下部的一部分和电子电路体100被第二树脂(半导体装置的树脂、模塑材料)26覆盖而封装固定。
此外，基极(第一外部电极、第一外部端子)21和导线(第二外部电极、第二外部端子)22成为与外部电路电连接时的端子(外部端子)。
以上是半导体装置200的结构概要。
《电子电路体》
接下来，参照图1和图2对半导体装置200所具备的电子电路体100的具体结构进行说明。此外，在图1及图2中为了标记电子电路体100占据的区域而以虚线示出了电子电路体100。另外，在图2中为了容易观察电子电路体100内部的结构，以比图1中标记的电子电路体100更大的方式进行了标记。
图1及图2所示的电子电路体100具备：晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13。另外，相应地，电子电路体100具备：漏极框架(第一内部电极)14、源极框架(第二内部电极)15、导线框架(支承体)17。
晶体管电路芯片11例如由MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor：场效应晶体管)构成。并且，MOSFET的漏电极(第一主端子)11d和源电极(第二主端子)11s，在晶体管电路芯片11的不同的主面上设置。
将晶体管电路芯片11的设置有漏电极11d的一侧的面作为晶体管电路芯片11的第一个主面，并将设置有源电极11s的一侧的面标记为晶体管电路芯片11的第二主面。
漏电极11d与第一内部电极即漏极框架14的一端的面(第一面)经由第一导电性接合材料(电子电路体的接合材料)19连接起来。
源电极11s与第二内部电极即源极框架15的一端的面(第一面)经由第一导电性接合材料19连接起来。
控制电路芯片12在支承体即导线框架17上经由第一导电性接合材料19连接着。
另外，向控制电路芯片12供给电源的电容器13，也在导线框架17上经由第一导电性接合材料19连接着。
如后所述，漏极框架14的另一端的面(第二面)，从电子电路体100的第一面露出，并经由第二导电性接合材料(半导体装置的接合材料)29与台座24接触。
如后所述，源极框架15的另一端的面(第二面)，从电子电路体100的第二面露出，并经由第二导电性接合材料(半导体装置的接合材料)29与导线端板25接触。
此外，导线框架17与基极21即台座24以电绝缘的方式配置。
控制电路芯片12与晶体管电路芯片11经由引线18电连接。例如在晶体管电路芯片11是功率MOSFET的情况下，将形成于晶体管电路芯片11的栅电极11g和控制电路芯片12用引线18连接，控制电路芯片12控制功率MOSFET的栅电压。由此，能够在具有开关功能的晶体管电路芯片11中流通大电流。
另外，电容器13利用导线框架17、引线18与晶体管电路芯片11、控制电路芯片12电连接。此外，图2所示的两个电容器端子13t是电容器13的两端子。电容器13例如可以采用陶瓷电容器。
晶体管电路芯片11具有对大电流进行开关的功能。
作为具有进行开关的功能的晶体管电路芯片(开关电路芯片)11，例如是具备IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET的半导体元件。另外，可以采用形成有晶闸管等对大电流进行通/断控制的半导体元件的由Si、SiC、SiN及GaAs等构成的半导体元件。
另外，控制电路芯片12是控制对大电流进行开关的晶体管电路芯片11的半导体元件。控制电路芯片12自身是不含对大电流进行开关的半导体元件的半导体元件。
即，控制电路芯片12例如是形成有多个逻辑电路、模拟电路、驱动电路等，并根据需要可以形成有微处理器等的半导体元件。另外，能够一并具有对在晶体管电路芯片11中流通的大电流进行控制的功能。
此外，对于晶体管电路芯片11和控制电路芯片12的电路结构例将在后面参照图5、图6进行叙述。
另外，晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13、漏极框架14、源极框架15、及第一导电性接合材料19构成一体地被第一树脂(电子电路体的树脂、模塑材料)16覆盖进行封装固定而一体化的电子电路体100。
此外，将电子电路体100的配置有漏极框架14、导线框架17的一侧标记为第一面，并将其相反侧、即露出了源极框架15的一部分的一侧的面标记为第二面。
《半导体装置：其二》
再次对半导体装置200的结构进行详细说明。
如上所述，台座(第一电极面部)24及基极(第一外部电极)21的位于上部(图1的纸面的上方)的一部分、导线端板(第二电极面部)25及导线(第二外部端子)22的位于下部(图1的纸面的下方)的一部分、第二导电性接合材料29、电子电路体100，被第二树脂(半导体装置的树脂)26覆盖进行封装固定，构成半导体装置200。
此外，对于电子电路体100的源极框架15的上表面与导线端板25的连接部、以及电子电路体100的漏极框架14的下表面与台座24的连接部，参照图3、图4进行说明。
图3是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的上表面(图1的纸面的上方)的图。
在图3中，电子电路体100的源极框架15的上表面，没有被电子电路体100的第一树脂16覆盖，而是在电子电路体100的表面上露出。
因此，电子电路体100的源极框架15的上表面，能够经由第二导电性接合材料29(图1)，与导线端板25(图1)电连接。
图4是模式化表示本发明的第一实施方式的半导体装置的电子电路体的下表面(图1的纸面的下方)的图。
在图4中，电子电路体100的漏极框架14的下表面，没有被电子电路体100的第一树脂16覆盖，而是在电子电路体100的表面上露出。
因此，电子电路体100的漏极框架14的下表面，能够经由第二导电性接合材料29(图1)，与台座24(图1)电连接。
如上所述，在图1中，漏极框架14经由第二导电性接合材料29与台座24连接起来。
另外，源极框架15经由第二导电性接合材料29与导线端板25连接起来。
如上所述，电子电路体100利用第一树脂16进行封装固定而一体地构成，漏极框架14、及源极框架15的一面，如图3及图4所示，分别形成在电子电路体100的表面上露出的构造。
该露出的漏极框架14的一面利用第二导电性接合材料29与基极21的台座24电连接，源极框架15的一面利用第二导电性接合材料29与导线22的导线端板25电连接，构成半导体装置200。
在该结构中，使与晶体管电路芯片11的源电极11s连接的源极框架15比漏极框架14加厚。这里所说的加厚是指在从台座24朝向导线端板25的方向上加长的意思。
通过这样加厚，能够使与在源电极11s中流过电流时的损失相伴的发热高效地向源极框架15侧散热，能够提高半导体装置200的冷却性。
即，晶体管电路芯片11在形成源电极11s的一侧的面上主要形成晶体管元件，因此晶体管元件的发热主要在形成源电极11s的一侧发生。因此，利用源极框架15散热的方法是有效的。为了利用该源极框架15散热，增大源极框架15的热容量来促进热传导是有效的，为此采用如上所述使源极框架15比漏极框架14加厚的方法。
另外，通过加厚源极框架15，源极框架15能够使导电体在电子电路体100的导线端板25侧露出，成为能够与导线端板25、即导线22电连接的构造。
《正座的半导体装置的电路结构例》
接下来，对采用了半导体装置(正座)200的电路结构的例子进行说明。
图5是表示采用了本发明的第一实施方式的半导体装置200的整流电路的电路结构的一个例子的图。
在图5中，半导体装置200构成为具备电子电路体100，即具备：具有开关功能的晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13。另外，H(21)端子是图1中的基极21，L(22)端子是图1中的导线22。
例如在汽车的发电中使用的交流发电机的整流电路的整流元件的情况下，H端子与电池相连，L端子与发电用的线圈相连。将参照图1至图4进行了说明的电子电路体100具备的晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、及电容器13如图5所示进行配线、电连接。
具体地，来自交流发电机(未图示)的线圈(未图示)的电流，通过L端子(导线22)进入具有开关功能的晶体管电路芯片11的源电极11s。
另外，相应地，上述电流进入控制电路芯片12，控制电路芯片12控制栅极电压，提高晶体管电路芯片11的栅电极11g的电压，使电流从晶体管电路芯片11的漏电极11d通过H端子(基极21)流向电池(未图示)。
另外，控制电路芯片12利用从L端子(导线22)流入的电流而由电容器13蓄积的电荷来供给电源(电力、电压)而被驱动。
《电子电路体的具体的电路结构例》
接下来，表示电子电路体100的具体的电路结构例。
图6是表示本发明的第一实施方式的半导体装置200、及电子电路体100的更具体的电路结构的一个例子的图。
在图6中，在H端子与L端子之间，将参照图5进行了说明的晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13如上所述进行配线、电连接。
晶体管电路芯片11构成为具备MOSFET111。
MOSFET111是n型沟道(n型)，反向并联地具有二极管112作为寄生二极管。
控制电路芯片12构成为具有：对L端子的电压和H端子的电压进行比较的比较器122、向MOSFET111的栅电极11g赋予电压的栅极驱动器121、防倒流用的二极管123。
比较器122的翻转输入端子(－)与H端子连接，非翻转输入端子(+)与L端子连接。
比较器122的输出端子与栅极驱动器121的输入端子连接。
栅极驱动器121的输出端子与MOSFET111的栅电极11g连接。
另外，电容器13的高电压侧端子与比较器122的电源端子和栅极驱动器121的电源端子连接。另外，电容器13的低电压侧端子与L端子连接。
防倒流用的二极管123的正极与H端子连接。如上所述，二极管123的负极，与栅极驱动器121的电源端子、比较器122的电源端子、电容器13的高电压侧端子连接。
《半导体装置200的电路动作》
下面对图6所示的半导体装置200及电子电路体100的电路动作进行说明。
若H端子的电压变为低于L端子的电压，则比较器122将高电压的信号向栅极驱动器121输出。
输入了高电压的信号的栅极驱动器121，提高MOSFET111的栅电极11g的电压，使MOSFET111(晶体管电路芯片11)成为导通状态。
反之，若H端子的电压变为高于L端子的电压，则比较器122将低电压的信号向栅极驱动器121输出。
输入了低电压的信号的栅极驱动器121，降低MOSFET111(晶体管电路芯片11)的栅电极11g的电压，使MOSFET111(晶体管电路芯片11)成为关断状态。
即，比较器122比较H端子和L端子的电压的大小关系，利用栅极驱动器121使MOSFET111(晶体管电路芯片11)通/断。即进行作为整流元件的动作。
此外，图6中的电容器13发挥利用蓄积的电荷向比较器122和栅极驱动器121供给电源电压(电力)的作用。
＜第一实施方式的效果＞
本发明的第一实施方式的半导体装置200是如上所述将一体化的电子电路体100在具有台座24的基极21和具有导线端板25的导线22之间夹持的构造。因此，能够在进行了一体化的电子电路体100的阶段进行测试，从而能够提高测试性及分选的效率、提高合格率、降低合格率成本。
另外，由于是上述的简便的构造，因此具有能够减少半导体装置的制造成本、简化组装工序、实现小型化的效果。
此外，如上所述，第一实施方式的半导体装置200是正座的构造，后述的第二实施方式的半导体装置300是反座的构造，能够在这些正座和反座的半导体装置中共用电子电路体100，这一点正是本发明的特征和效果所在。因此，在对第二实施方式的半导体装置300及应用例(三相全波整流电路装置800；图9)进行说明后将再次对效果进行说明。
《第二实施方式》
参照图7对本发明的第二实施方式的半导体装置300进行说明。此外，第二实施方式的半导体装置300具有反座的构造。
图7是模式化表示本发明的第二实施方式的半导体装置300的纵向构造的剖面的图。
在图7中，半导体装置300与图1的半导体装置200的区别在于，设置上部具有台座24的基极21及下部具有导线端板25的导线22、电子电路体100的上下方向和连接关系。其它方面则是与第一实施方式共同的要素和构成，因此适当地省略重复的说明。
以下对于第二实施方式(反座)的半导体装置300，以与第一实施方式(正座)的半导体装置200不同的事项为中心进行说明。
《正座的半导体装置》
参照图1至图5进行了说明的第一实施方式的半导体装置200，如上所述，是被称为正座的用于交流发电机的整流电路的上臂的整流元件。
如图1所示，晶体管电路芯片11的漏电极11d与基极21即台座24连接，晶体管电路芯片11的源电极11s与导线22即导线端板25连接。
《反座的半导体装置》
与此对照，参照图7进行说明的本发明的第二实施方式的半导体装置300，是被称为反座的用于交流发电机的整流电路的下臂的整流元件。
如图7所示，晶体管电路芯片11的漏电极11d与导线22即导线端板25连接，晶体管电路芯片11的源电极11s与基极21即台座24连接。利用这些结构，能够实现反座的整流元件即半导体装置300。
如上所述，图7所示的半导体装置300的结构要素，与图1至图5所示的第一实施方式的半导体装置200基本上是相同的。
如图7所示，半导体装置300是将图1所示的第一实施方式的半导体装置200的电子电路体100上下翻转而构成的。
即，通过将电子电路体100上下翻转进行使用，能够分为正座和反座进行使用。
即，第一实施方式的半导体装置200和第二实施方式的半导体装置300是相同部件、相同的电路结构，因此能够减少设计成本、开发成本。
另外，电子电路体100能够在一个制造工序中制造，因此能够大幅减少制造设备、检查设备的成本。
此外，由于能够在电子电路体100的状态下进行测试、分选，因此能大幅减少合格率成本。
《反座的半导体装置的电路结构例》
图8是表示采用了本发明的第二实施方式的半导体装置300的整流电路的电路结构的一个例子的图。如上所述，半导体装置300是反座的半导体装置。
在图8中，反座的半导体装置300构成为具备：具有开关功能的晶体管电路芯片11、控制电路芯片12和电容器13。
在电子电路体100中具备这些晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13。
图8中的电子电路体100是与图1、图5的正座的半导体装置200中的电子电路体100相同的结构。
因此，在半导体装置300中，与晶体管电路芯片11的源电极11s连接的外部端子H(21)是基极21，与漏电极11d连接的外部端子L(22)是导线22。
这样，关于具有开关功能的晶体管电路芯片11的源电极11s、漏电极11d、与基极21、导线22的连接，半导体装置300与半导体装置200是相反的，因此作为整流器(整流元件)的特性是相反的。
＜第二实施方式的效果＞
本发明的第二实施方式的半导体装置300，与第一实施方式的半导体装置200同样地，是将进行了一体化的电子电路体100在具有台座24的基极21和具有导线端板25的导线22之间夹持的构造。因此，能够在进行了一体化的电子电路体100的阶段进行测试，从而能够提高测试及分选的效率、提高合格率、减少合格率成本。另外，由于是上述的简便的构造，因此具有减少半导体装置的制造成本、简化组装工序、实现小型化的效果。
此外，第二实施方式的半导体装置300是反座的构造，且能够与正座的第一实施方式的半导体装置200共用电子电路体100，这一点正是本发明的特征和效果所在。因此，在对正座的半导体装置200和反座的半导体装置300的应用例(三相全波整流电路装置800；图9)进行说明后将再次对效果进行说明。
《三相全波整流电路装置的电路结构》
图9是表示采用了正座的半导体装置200和反座的半导体装置300的三相全波整流电路装置800的电路结构的一个例子的图。
在图9中具备三个正座的半导体装置200、三个反座的半导体装置300、电容器81。此外，按照从纸面左侧起的顺序称为第一、第二、第三的半导体装置200、或半导体装置300。
第一正座的半导体装置200与第一反座的半导体装置300串联地连接，并与电容器81的两端的端子(81p、81m)连接。具体地，正座的半导体装置200的L端子与反座的半导体装置300的H端子连接，半导体装置200的H端子与电容器81的端子81p连接，半导体装置300的L端子与电容器81的端子81m连接。
第二正座的半导体装置200与第二反座的半导体装置300串联地连接，并与电容器81的两端的端子(81p、81m)连接。
第三正座的半导体装置200与第三反座的半导体装置300串联地连接，并与电容器81的两端的端子(81p、81m)连接。
另外，向第一正座的半导体装置200与第一反座的反座的半导体装置300的连接点、第二正座的半导体装置200与第二反座的反座的半导体装置300的连接点、第三正座的半导体装置200与第三反座的反座的半导体装置300的连接点，分别输入三相交流电力(电压)的U相(Vu)、V相(Vv)、W相(Vw)。
在该电路结构中，三相全波整流电路装置800对由U相(Vu)、V相(Vv)、W相(Vw)构成的三相交流电力(电压)进行全波整流，将直流电力(电压)向电容器81供给。
如上所述，在图9的三相全波整流电路装置800中，分别使用各三个正座的半导体装置200、反座的半导体装置300，并且在正座的半导体装置200、反座的半导体装置300中使用相同的电子电路体，因此能够减少电特性的偏差，并在制造上降低成本。
据此，图9的三相全波整流电路装置800，如上所述，例如作为在汽车的发电中使用的交流发电机的整流电路的整流元件，从制造成本、特性、或小型化、散热等观点出发，非常适合。
＜第一实施方式(正座)和第二实施方式(反座)的半导体装置的效果＞
以上对第一实施方式的正座的半导体装置200和第二实施方式的半导体装置300分别进行了说明，而下面将再次对在正座和反座的半导体装置中共用电子电路体100的效果进行说明。另外，再次对第一实施方式和第二实施方式共同的效果进行说明。
如上所述，第一实施方式的正座的半导体装置200、及第二实施方式的半导体装置300具备相同的电子电路体100。
电子电路体100具备：晶体管电路芯片11、控制电路芯片12、电容器13、漏极框架14、源极框架15、及第一导电性接合材料19，是一体化的结构，并且能够将漏极框架14、源极框架15从电子电路体100的上下两方向分别取出电极是一大特征。
由于是该结构、构造，因此能够将一个电子电路体100一并用于正座用和反座用。
因此，由于无需对在正座及反座的半导体装置中使用的电子电路体100进行区别，从而能够以同一制造工序进行制造。即，能够共用制造设备，简化组装工序，大量地进行制造，从而有利于降低成本。
另外，在电子电路体100的状态下，例如能够使用通常的插座进行分选、测试，因此能够减少测试成本。
另外，能够在装配半导体装置(200、300)前的阶段的电子电路体100的状态下进行测试，因此在电子电路体100不良的情况下，能够避免追加其后的工序的成本，合格率成本会大幅减少，且合格率本身也会提高。
另外，在电子电路体100的表面上露出的漏极框架14、及源极框架15的内部电极分别与基极21即台座24、及导线22即导线端板25利用第二导电性接合材料29连接。因此，能够大幅地减小电阻。
另外，通过如上所述能够使与晶体管电路芯片11的源电极11s连接的源极框架15比漏极框架14加厚，从而能够使与在源电极11s中流过电流时的损失相伴的发热高效地向源极框架15侧散热，能够提高半导体装置(200、300)的冷却性。
即，根据在本发明中公开的实施的方式，在半导体装置的(尤其是用于在汽车的发电中使用的交流发电机的)外部电极是两端子的整流电路等的情况下，能够实现半导体装置的制造成本的减少、测试及分选的效率的提高、合格率的提高、组装工序的简化、小型化及高散热化，尤其是无需对正座和反座而言复杂的制造工序，能够极其简便地实现。
《其它实施方式》
此外，本发明并不限定于以上说明的实施方式，还包括各种变形例。例如对于上述实施方式是为了容易理解本发明而进行了具体说明，并不是必须具备所说明的全部结构。另外，能够对某个实施方式的结构的一部分用另一实施方式的结构的一部分进行置换，还可以对某个实施方式的结构添加另一实施方式的结构的一部分或全部。
以下进一步对其它实施方式和变形例进行说明。
《模塑材料的材料、材质》
在第一实施方式的半导体装置200中，将第一树脂16和第二树脂26一并标记为模塑。进一步补充说明：第一树脂16和第二树脂26可以是相同的材料，也可以是不同的材料、材质。
其中，例如通过采用环氧树脂、联苯(biphenyl)树脂及不饱和聚酯等的通常的模塑材料，能够抑制制造成本。
《使用金属模具的传递模塑工艺方法》
在第一实施方式中对电子电路体利用树脂进行封装固定进行了说明，但是并不限定于该方法。
例如可以采用金属模具的传递模塑工艺方法等形成，从而能够廉价且大量地生产。
另外，不是必须利用树脂进行封装固定，电子电路体100也可以由金属等一体形成。
此时，在一个模塑金属模具模腔内对多个电子电路体100进行模塑，通过采用切断成型并单片化的MAP(Molded Array Process：模塑阵列工艺)方式，从而能够进一步大量生产而有利于降低成本。
此外，漏极框架14与导线框架17预先一体形成，并在模塑后的切断成型时进行电分离处理，从而能够更廉价且大量地生产。
此时，导线框架17的部分通过实施半蚀刻或折弯加工，不会在电子电路体100的表面上露出而能够与基极21绝缘。
因此，在电子电路体100的表面上形成导线框架17不露出的结构，但是在切断成型时将导线框架17的一部分切断，因此在切断面上会露出导线框架17的一部分。
利用在该切断面上露出的导线框架17的一部分，例如能够使用插座等在电子电路体100的状态下对控制电路芯片12及电容器13进行检查，使得测试和分选变得容易而能够提高合格率并减少成本。
《第一导电性接合材料和第二导电性接合材料》
在第一实施方式中对第一、第二导电性接合材料进行了说明，但是该导电性接合材料的材质并不限定于特定的材质。
第一导电性接合材料19与第二导电性接合材料29可以是相同材料也可以是不同的材料。但是，例如可以由通常的导电性的接合材料即焊锡、含Au、Ag或Cu的金属、或导电性粘接材料等构成。
此外，作为焊锡可采用通常的共晶焊锡或无铅焊锡等。另外，作为导电性粘接材料可采用在树脂中含有Ag、Cu及Ni等金属填料或仅由金属构成的类型。
《基极、导线、框架的材质》
在第一实施方式及第二实施方式中对基极21、导线22和框架的材质进行了省略，下面将重新进行说明。
基极21、导线22、漏极框架14、源极框架15、及导线框架17采用易加工且热传导性和导电性优异的Cu或Al等通常的金属。此时，优选在其与导电性接合材料的连接部分上实施Au、Pd、Ag及Ni等的镀层以提高连接稳定性。
《控制电路芯片的结构》
在第一实施方式中进行了说明的图6所示的电路，是实现本发明的半导体装置(整流元件)200的控制电路芯片12和晶体管电路芯片11的电路结构的一个例子，但是不限于此。
也可以取代比较器122，而采用检出输入信号之差并进行放大的差动放大器，按照在MOSFET111中流过的电流的方向来控制通/断。
另外，也可以代替图5或图6所示的电容器13而从外部供给电源。
《晶体管电路芯片和控制电路芯片》
虽然在图1及图2中对晶体管电路芯片11和控制电路芯片12为不同芯片进行了说明，但是也可以使晶体管电路芯片11和控制电路芯片12为一个芯片。
另外，虽然在晶体管电路芯片11和控制电路芯片12为不同芯片时，在图6中将晶体管电路芯片11用MOSFET进行标记，但是也可以如上所述由IGBT构成。此外，在晶体管电路芯片11由IGBT构成时，第一主端子(11d)成为集电极端子，第二主端子(11s)成为发射极端子。
《电容器》
在第一实施方式中是将图1、图5、图6所示的电容器13作为陶瓷电容器进行了例示，但是并不限定于此。也可以采用聚酯电容器(Mylar condenser)、聚苯乙烯电容器(Polystyrene condenser)、云母电容器、钽质电容器等。另外，也可以并用电解电容器。
《半导体装置(整流元件)的应用》
在图9中，作为采用了本发明的半导体装置200、300的电路结构例，例示了三相全波整流电路装置800，但是并不限定于此。也可以适用于单相或四相以上的全波整流电路。
另外，虽然示出了将三相全波整流电路装置800作为在汽车的发电中使用的交流发电机的整流电路的整流元件使用的例子，但是并不限定于交流发电机。包含产业用途的电流变换装置，能够作为各种用途的整流元件进行应用。

Claims (8)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一外部电极，其具有第一电极面部；
第二外部电极，其具有第二电极面部；以及
电子电路体，
在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间具有上述电子电路体，
上述第一电极面部与上述电子电路体的第一面连接，
上述第二电极面部与上述电子电路体的第二面连接，
上述电子电路体包含具有开关元件的晶体管电路芯片、控制上述开关元件的控制电路芯片、与上述晶体管电路芯片的第一主面相接的第一内部电极、以及与上述晶体管电路芯片的第二主面相接的第二内部电极，并构成为一体地被树脂覆盖，
上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方与上述第一外部电极连接，
上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方与上述第二外部电极连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一电极面部经由导电性的接合材料与上述电子电路体的第一面连接，
上述第二电极面部经由导电性的接合材料与上述电子电路体的第二面连接，
上述第一内部电极及上述第二内部电极的任意一方经由导电性的接合材料及上述第一电极面部与上述第一外部电极连接，
上述第二内部电极及上述第一内部电极的任意另一方经由导电性的接合材料及上述第二电极面部与上述第二外部电极连接。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备供给电源的电容器。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述电子电路体具备上述电容器，
上述电子电路体的上述第一内部电极的多个面中的一个面从上述电子电路体的第一面以不被上述树脂覆盖的方式露出，
上述电子电路体的上述第二内部电极的多个面中的一个面从上述电子电路体的第二面以不被上述树脂覆盖的方式露出。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述电子电路体被作为上述树脂的第一树脂覆盖，上述电子电路体和与该电子电路体相接侧的上述第一外部电极的面及第二外部电极的面被第二树脂覆盖。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述第二内部电极的厚度比上述第一内部电极的厚度大。
7.一种交流发电机，其特征在于，
具备权利要求1至6中任一项所述的半导体装置。
8.根据权利要求7所述的交流发电机，其特征在于，
具备正座的半导体装置和反座的半导体装置。
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