CN106653766A - 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 - Google Patents
显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106653766A CN106653766A CN201611040690.9A CN201611040690A CN106653766A CN 106653766 A CN106653766 A CN 106653766A CN 201611040690 A CN201611040690 A CN 201611040690A CN 106653766 A CN106653766 A CN 106653766A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- display
- flexible
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 84
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013499 data model Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示器背板的制作方法，包括：利用金属氧化物半导体工艺制作带显示区像素电路的第一基板；利用柔性低温多晶硅工艺在一第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路，并将制造好的带柔性衬底的驱动电路由第二基板上剥离，形成柔性电路板；将柔性电路板邦定至第一基板使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连。本发明将显示区的像素电路和***的驱动电路分别制作，利用金属氧化物半导体工艺制作显示区内的像素电路，利用柔性低温多晶硅工艺制作显示区***的驱动电路，使制造出的显示器兼具响应速度快和耗电量低的优点。本发明还提供具有该显示器背板的显示器。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器。
背景技术
随着智能手机及平板电脑等移动终端的兴起，250ppi(每英寸所拥有的像素数目)以上的高精细度面板要求不断增加，使更多的面板厂投入高精细度的LTPS(LowTemperature Poly-silicon，低温多晶硅)的生产。
LTPS虽然具有电子迁移率高、响应快等优点，但由于其制程比较复杂、生产成本较高，且高电子迁移率也导致耗电量巨大，使LTPS不适合做大尺寸的显示器，限制了其应用。
因此，也有很多厂商投入了金属氧化物半导体的研发工作，目前又以IGZO(indiumgallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)技术较为成熟。金属氧化物半导体虽然具有耗电量低的优势，但由于其迁移率较低，用在***线路区会存在开关TFT的速度慢导致的驱动能力不足的问题。
因此，有必要研究一种既具有较低的耗电量，又具有较快响应速度的显示器。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种耗电量低且响应速度快的显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器。
本发明提供的显示器背板的制作方法，包括如下步骤：利用金属氧化物半导体工艺制作带显示区像素电路的第一基板；利用柔性低温多晶硅工艺在一第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路，并将制造好的带柔性衬底的驱动电路由第二基板上剥离，形成柔性电路板；将柔性电路板邦定至第一基板，使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连。进一步地，利用金属氧化物半导体工艺制作带显示区像素电路的第一基板的步骤包括：提供第一基板；利用金属氧化物半导体工艺在对应显示器显示区的位置制作像素电路。
进一步地，所述金属氧化物半导体工艺为铟镓锌氧化物工艺。
进一步地，金属氧化物半导体工艺包括：在第一基板上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成钝化层。
进一步地，所述第一基板为玻璃基板。
进一步地，在利用柔性低温多晶硅工艺在第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路的步骤中，第二基板上同时制造有多个带柔性衬底的驱动电路。
进一步地，所述第二基板为玻璃基板。
进一步地，柔性低温多晶硅工艺包括：在第二基板上形成聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上形成阻挡层；在阻挡层上形成多晶硅层；图形化多晶硅层而形成有源层；在有源层上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成金属层，并图形化金属层而形成金属导线层；在金属导线层上形成钝化层；在钝化层上形成平坦化层；以及在平坦化层上形成阳极层。
进一步地，将柔性电路板邦定至第一基板，使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连的步骤包括：
将柔性电路板放置于第一基板的显示区***；调整柔性电路板的位置，使柔性电路板的引线与像素电路的引线对准；将柔性电路板的引线邦定至像素电路的引线。
本发明提供的显示器包括利用上述方法制造出的显示器背板。
本发明将显示区的像素电路和***的驱动电路分别制作，利用金属氧化物半导体工艺制作显示区内的像素电路，利用柔性低温多晶硅工艺制作显示区***的驱动电路，从而使显示区像素电路具有耗电量低的优点，使显示区***的驱动电路具有响应速度快的优点，而使本发明制造出的显示器兼具响应速度快和耗电量低的优点；并且，本发明制造出的显示器背板集合了低温多晶硅及金属氧化物半导体的优点，解决了当前无法制作大尺寸AMOLED显示屏的问题；进一步地，显示区的像素电路和***的驱动电路可分别批量生产，从而提高生产效率和产品良率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为本发明显示器背板的结构示意图；
图2所示为本发明显示器背板的制作方法的流程示意图；
其中，10-显示器背板，11-显示区，12-驱动电路区，13-扫描线，14-数据线，15-像素区，16-像素电路，17-显示器驱动电路，18-栅极驱动电路。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明详细说明如下。
本发明提供的显示器包括图1所示的显示器背板10。如图1所示，本发明的显示器背板10包括显示区11(Ative Area，AA区)及位于显示区11***的驱动电路区12。
显示区11大体呈矩形，且显示区11内设有沿显示区11横向延伸的若干条扫描线13和沿显示区11纵向延伸的若干条数据线14，这些扫描线13和数据线14相互交叉，划分出若干像素区15，这些像素区15内以一一对应的方式设有像素，像素通过设于其下方的像素电路16驱动。为了方便显示，图1中仅画出部分扫描线13、数据线14和像素区15。
驱动电路区12内设置有驱动电路，该驱动电路包括显示器驱动电路17和栅极驱动电路18。栅极驱动电路18设于显示区11的左右两侧，或仅位于显示区11的左侧或右侧。显示器驱动电路17可设于显示区11的上侧或下侧。在本发明中，左侧、右侧、上侧、下侧仅是针对图1所示的方向进行描述，具体地，图1中的左右方向与扫描线13的延伸方向一致，上下方向与数据线14的延伸方向一致。
如图2所示，本发明的显示器背板10的制作方法主要包括如下步骤：
步骤S1：利用金属氧化物半导体(例如IGZO)工艺制作带显示区11像素电路16的第一基板。
具体地，该步骤可以包括：
步骤S11：提供一第一基板，该第一基板可以为玻璃基板；
步骤S12：利用金属氧化物半导体(例如IGZO)工艺在对应显示器显示区11的位置制作像素电路16。
在本实施例中，采用的金属氧化物半导体工艺包括：
在第一基板上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层(即IGZO层)；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层(Etch stop layer，ESL层)；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；在源极和漏极上形成钝化层等工艺。
步骤S2：利用柔性低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)工艺在一第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路(包括显示器驱动电路17和栅极驱动电路18)，并将制造好的带柔性衬底的驱动电路由第二基板上剥离，形成柔性电路板。
在本步骤中，第二基板为玻璃基板。为了增加生产效率，可在第二基板上同时制造多个带柔性衬底的驱动电路。显示器驱动电路17和栅极驱动电路18可以在同一个柔性低温多晶硅工艺中制作，也可以在两个不同的柔性低温多晶硅工艺中制作。
柔性低温多晶硅工艺可以包括：
在第二基板上形成聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上形成阻挡层；在阻挡层上沉积非晶硅层并通过ELA(Excimer Laser Annealing，准分子激光退火)工艺结晶化，形成多晶硅层；图形化多晶硅层而形成有源层；在有源层上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成层间绝缘层；在层间绝缘层和栅极绝缘层上形成接触孔；在层间绝缘层上形成金属层(金属层的一部分穿过接触孔与有源层的源极和漏极接触)，并图形化金属层而形成金属导线层；在金属导线层上形成钝化层；在钝化层上形成通孔；在钝化层上形成平坦化层；在平坦化层上形成阳极层；进行OLED蒸镀及封装等工艺。
步骤S3：将柔性电路板邦定至第一基板，使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连。
具体地，该步骤包括：
将柔性电路板放置于第一基板的显示区11***；
调整柔性电路板的位置，使柔性电路板的引线与像素电路的引线对准；
将柔性电路板的引线邦定至像素电路的引线。
步骤S4：得到所需的显示器背板10。
综上所述，本发明将显示区的像素电路和***的驱动电路分别制作，利用金属氧化物半导体工艺制作显示区内的像素电路，利用柔性低温多晶硅工艺制作显示区***的驱动电路，从而使显示区像素电路具有耗电量低的优点，使显示区***的驱动电路具有响应速度快的优点，而使本发明制造出的显示器兼具响应速度快和耗电量低的优点；并且，本发明制造出的显示器背板集合了低温多晶硅及金属氧化物半导体的优点，解决了当前无法制作大尺寸AMOLED显示屏的问题；进一步地，显示区的像素电路和***的驱动电路可分别批量生产，从而提高生产效率和产品良率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种显示器背板的制作方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
利用金属氧化物半导体工艺制作带显示区像素电路的第一基板；
利用柔性低温多晶硅工艺在一第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路，并将制造好的带柔性衬底的驱动电路由第二基板上剥离，形成柔性电路板；
将柔性电路板邦定至第一基板，使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连。
2.根据权利要求1所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：利用金属氧化物半导体工艺制作带显示区像素电路的第一基板的步骤包括：
提供第一基板；
利用金属氧化物半导体工艺在对应显示器显示区的位置制作像素电路。
3.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：所述金属氧化物半导体工艺为铟镓锌氧化物工艺。
4.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：金属氧化物半导体工艺包括：在第一基板上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成钝化层。
5.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：所述第一基板为玻璃基板。
6.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：在利用柔性低温多晶硅工艺在第二基板上制造带柔性衬底的驱动电路的步骤中，第二基板上同时制造有多个带柔性衬底的驱动电路。
7.根据权利要求1所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：所述第二基板为玻璃基板。
8.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：柔性低温多晶硅工艺包括：在第二基板上形成聚酰亚胺层；在聚酰亚胺层上形成阻挡层；在阻挡层上形成多晶硅层；图形化多晶硅层而形成有源层；在有源层上形成栅极层；在栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成金属层，并图形化金属层而形成金属导线层；在金属导线层上形成钝化层；在钝化层上形成平坦化层；以及在平坦化层上形成阳极层。
9.根据权利要求1或2所述的显示器背板的制作方法，其特征在于：将柔性电路板邦定至第一基板，使柔性电路板上的驱动电路与第一基板上的像素电路相连的步骤包括：
将柔性电路板放置于第一基板的显示区***；
调整柔性电路板的位置，使柔性电路板的引线与像素电路的引线对准；
将柔性电路板的引线邦定至像素电路的引线。
10.一种显示器，其特征在于：其包括如权利要求1-9中任一项所述方法制造出的显示器背板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611040690.9A CN106653766A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611040690.9A CN106653766A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106653766A true CN106653766A (zh) | 2017-05-10 |
Family
ID=58811420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611040690.9A Pending CN106653766A (zh) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106653766A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107248521A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板结构 |
| CN110189706A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、及显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110090143A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Seung-Han Paek | Electrophoretic display device and fabrication method thereof |
| US20120050145A1 (en) * | 2009-04-30 | 2012-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a display device, and display device manufactured using said method |
| CN104103648A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示设备、柔性显示母板及其制作方法 |
| CN104867934A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置 |
| CN105044956A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制备方法、绑定切割装置 |
| CN105137658A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性基板的制作方法 |
| WO2016108464A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | LG Display Co.,Ltd. | Display backplane having multiple types of thin-film-transistors |
| CN106104772A (zh) * | 2014-02-28 | 2016-11-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置 |
-
2016
- 2016-11-21 CN CN201611040690.9A patent/CN106653766A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120050145A1 (en) * | 2009-04-30 | 2012-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a display device, and display device manufactured using said method |
| US20110090143A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Seung-Han Paek | Electrophoretic display device and fabrication method thereof |
| CN104867934A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置 |
| CN106104772A (zh) * | 2014-02-28 | 2016-11-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置 |
| CN104103648A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-15 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示设备、柔性显示母板及其制作方法 |
| WO2016108464A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | LG Display Co.,Ltd. | Display backplane having multiple types of thin-film-transistors |
| CN105044956A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的制备方法、绑定切割装置 |
| CN105137658A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性基板的制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107248521A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板结构 |
| CN110189706A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、及显示装置 |
| CN110189706B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-06-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、及显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108231795B (zh) | 阵列基板、制作方法、显示面板及显示装置 | |
| CN103745978B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
| TWI543684B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| CN107452757B (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN107818989B (zh) | 阵列基板及其制作方法 | |
| CN105470197B (zh) | 低温多晶硅阵列基板的制作方法 | |
| CN113257840A (zh) | 显示设备 | |
| WO2016119344A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法和显示面板 | |
| CN109273409A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| US20160329360A1 (en) | Low temperature poly-silicon thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device | |
| CN110112204B (zh) | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 | |
| CN107302030A (zh) | 显示设备 | |
| US9705008B2 (en) | Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate | |
| CN104064601A (zh) | Tft、tft阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 | |
| CN101924122B (zh) | 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN109545836B (zh) | 一种oled显示装置及其制作方法 | |
| CN106653766A (zh) | 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器 | |
| TWI778496B (zh) | 主動元件及其製造方法 | |
| CN107481938B (zh) | 显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 | |
| US11315960B2 (en) | Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device | |
| KR102243648B1 (ko) | 배선의 단락을 방지하는 표시패널 및 이를 제조하는 방법 | |
| CN104157611B (zh) | 氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构 | |
| KR102204137B1 (ko) | 표시장치 및 이를 제조하는 방법 | |
| CN106206429B (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 | |
| TW201405826A (zh) | 薄膜電晶體基板、其顯示器及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170510 |