CN106006747A - 一种简便制备Mn3O4纳米粉体的方法及其产品 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备Mn3O4纳米粉体的方法,包括:(1)称取锰盐与去离子水混合得到锰盐溶液,水浴加热下搅拌至锰盐完全溶解;锰盐选自四水氯化锰或四水乙酸锰,锰盐溶液的浓度为0.167~0.333mol/L;水浴加热的温度为60~100℃;(2)双氧水和氨水分别经去离子水稀释后再混合,得到混合溶液,将混合溶液滴加至步骤(1)的锰盐溶液中,搅拌下继续反应1~3h,经静置、洗涤、干燥后得到所述的Mn3O4纳米粉体,锰盐、双氧水和氨水的摩尔比为1:0.25~3:1~3。本发明经一步法制备Mn3O4纳米粉体,工艺简便、成本低、便于工业化生产;制备得到的Mn3O4纳米粉体产率与纯度均较高。
Description
技术领域
本发明涉及纳米粉体的制备领域,具体涉及一种简便制备Mn3O4纳米粉体的方法及其产品。
背景技术
氧化锰作为一种典型的过渡金属氧化物,在催化、磁学和电化学领域有着重要作用。尤其是近年来,因能源危机和环境危机的不断加剧,探索新型环保储能材料成为研究热点,氧化锰作为锂离子电池的主要原料之一,其电化学性质被深入研究。其中Mn3O4作为一种锰氧化物,本身电导率较低,但与石墨烯复合以后,是一种良好的电极材料,被广泛应用于锂电池和超级电容器领域。同时Mn3O4作为一种半导体材料,具有负温度系数效应(NTC效应),与导电聚合物及其他过渡金属氧化物复合以后,成为一类典型的热敏电阻材料,有希望应用于低温连续热电偶中。有研究者以Mn3O4为前驱体采用固相反应制备出尖晶石型LiMn2O4,作为锂离子电池的正极材料。尖晶石型LiMn2O4具有价格低廉,无毒无污染,安全性好等优点,一度被认为是最具发展潜力的锂离子电池正极材料之一,而方铁锰矿型Mn2O3是其最佳原料之一。此外Mn2O3作为一种两性氧化物,凭借其氧化性和介孔结构特性,成为一种高效催化剂,被广泛应用于CO、N2O和有机污染物的氧化催化。
目前国内外关于氧化锰合成的报道有很多,但都或多或少存在一些问题。以Mn3O4和Mn2O3为例,Mn3O4多数由MnO2通过固相反应在1000℃下煅烧生成,高纯度的MnO2虽然可以得到良好的Mn3O4,但制备高纯MnO2本身就是一个难题;有学者通过溶胶-凝胶法制备出MnO2的凝胶,经煅烧生成Mn3O4,但产物结晶度很差。He X M.等人将Mn(OH)2氧化制备出Mn3O4,但产物不够纯净。国内有学者以多元醇为反应溶剂,MnCl2为锰源,聚丙烯酸为表面活性剂,通过低温注入氢氧化钠,高温生长的方法一步制备出单分散的Mn3O4纳米粒子,但操作繁琐,提纯麻烦,产物结晶不够完善。也有人以硫酸锰为原料,在碱性条件下形成Mn(OH)2,再通过氧化生成Mn3O4,虽然原料来源广泛、成本低、易操作,但产物纯度和产率依然不高。目前暂无简便有效的方法大量生产出高纯度的Mn3O4。Mn2O3可由锰盐通过氧化还原反应得到,但多数是由MnO2、MnCO3、草酸锰等前驱体在400~800℃下在空气中煅烧生成。这就对前驱体提出了很高的要求,具体来说,前驱体纯度越高,形状越规则,大小越均匀,所得产物就越理想。
综上所述,有必要研究一种简单、低成本、高效合成高纯度Mn3O4的方法。
发明内容
本发明提供了一种简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,工艺简便、成本低、便于工业化生产。制备得到的Mn3O4纳米粉体产率与纯度均较高。
本发明公开了一种简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,包括以下步骤:
(1)将锰盐加入到去离子水中得到锰盐溶液,水浴加热下搅拌至锰盐完全溶解;
所述的锰盐选自四水氯化锰或四水乙酸锰,锰盐溶液的浓度为0.167~0.333mol/L;
所述水浴加热的温度为60~100℃;
(2)双氧水和氨水分别经去离子水稀释后再混合,得到混合溶液,将混合溶液滴加至步骤(1)的锰盐溶液中,搅拌下继续反应1~3h,经静置、洗涤、干燥后得到所述的Mn3O4纳米粉体;
所述锰盐、双氧水和氨水的摩尔比为1:0.25~3:1~3。
作为优选,步骤(1)中,所述水浴加热的温度为75~85℃。
作为优选,步骤(1)中,所述的锰盐为四水乙酸锰。四水乙酸锰的水解性更强,水浴条件下,锰离子活性更高,所得产物纯净,经试验,产物中锰元素含量(除去氧和氢)高达99.9%,Mn3O4产率超过96%。
作为优选,步骤(2)中,所述的双氧水和氨水分别经去离子水稀释至溶液浓度低于5wt%。即双氧水经去离子水稀释至溶液浓度低于5wt%,氨水经去离子水稀释至溶液浓度也低于5wt%。
作为优选,步骤(2)中,将水浴反应后的产物密封后并进行超声处理,时间为10~120min,再静置24~48h,加入去离子水反复倒掉上清液,将产物洗涤至中性后干燥处理,得到所述的Mn3O4纳米粉体。
进一步优选,所述干燥的温度为60~120℃,时间为10~15h。
本发明还公开了根据上述的方法制备的Mn3O4纳米粉体为黑锰矿型Mn3O4。
以上述的Mn3O4纳米粉体为原料,经煅烧后可直接得到粒径均一且结晶完善的Mn2O3。
作为优选,所述的煅烧温度为400~800℃,升温速率为5~10℃/min,空气气氛。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
1、本发明中采用水浴化学沉淀法,将双氧水和氨水的混合稀释液滴加到锰盐溶液中,在锰离子活性较高的情况下,氧化和沉淀同步,通过一步法直接得到Mn3O4的纳米粉体,避免水合产物的生成,不会引入其他杂质。化学方程式如下:
3Mn(Ac)2·4H2O+H2O2+6NH3·H2O→Mn3O4+6nH4Ac+16H2O;
此方法操作简单,易于把握,无需过多后处理工艺,产物纯净,产率较高,且能够大规模生产。
2、本发明中采用的前驱体(四水乙酸锰、四水氯化锰)为阿拉丁试剂,原料价格低廉,纯度可以达到99.5%;以双氧水为绿色氧化剂,原料易得,氧化过程可控,能保证合成的产物只有Mn3O4,不含其它价态的氧化锰;以氨水为原料,滴加到锰盐溶液中,反应过程温和,不会发生严重的团聚现象,保证产物粒径比较均一。
3、本发明制备的Mn3O4纳米粉体为黑锰矿的Mn3O4,相应的PDF卡片编号为24-0734,产物粒径为50nm左右,结晶完善;在空气中煅烧,400℃以下先后生成两种相似结构的Mn3O4,对应的PDF卡片编号分别为18-0803和02-1062,400℃以上可以得到Mn2O3的纳米粉体,颗粒大小变化不大,团聚较少,结晶完善,对应的卡片编号为41-1442。
附图说明
图1为实施例1制备的Mn3O4的TG-DTA曲线;
图2为实施例1制备的Mn3O4及不同温度下煅烧产物的XRD图谱;
图3为实施例1制备的Mn3O4及不同温度下煅烧产物的FTIR图谱;
图4为实施例1制备的Mn3O4的TEM照片和高分辨图;
图5为实施例1制备的Mn2O3(500℃)的TEM照片和选区电子衍射花样;图6为实施例2制备的Mn2O3(600℃)的TEM照片和选区电子衍射花样。
具体实施方式
实施例1
称取0.05mol Mn(Ac)2·4H2O晶体,加入300ml的去离子水,溶解于三口烧瓶内,放在水浴中加热搅拌,水温为80℃。量取0.1mol双氧水加入100ml去离子水稀释,再量取0.1mol氨水加入100ml去离子水稀释,将两者混合得其混合溶液。待烧瓶里的晶体完全溶解水浴温度稳定以后,缓慢滴加双氧水和氨水混合溶液,保持快速搅拌,滴加结束以后密封烧瓶,继续反应2~3h。反应结束后取下烧瓶,将反应物转移到烧杯中密封并超声处理30min,放于通风橱中静置。反复倒掉上清液,加入去离子水静置,直到上清液的pH接近于7,若静置较慢,可置于一定温度(不超过60℃)条件下加快静置。最后一次倒掉上清液,将下方沉淀物转移到表面皿中,在100℃条件下进行烘干处理,时间为12h。所得产物为Mn3O4,重量为3.699g,产率为96.90%,对应的TG—DTA曲线如图1所示,微观形貌如图4所示,通过XRF对产物分析得出,Mn元素含量为99.9%,不包括氢和氧。图2中(a)图为制备的Mn3O4(见原始图)及其分别经230℃和350℃煅烧后的XRD图谱。通过对比标准PDF卡片,得知产物在经过230℃煅烧以后由原来编号为24-0734的Mn3O4转变成编号为18-0803的Mn3O4,继续升温到350℃,此时样品转变成编号为02-1062的Mn3O4。通过对比三种Mn3O4的PDF卡片可知,三者同属I41空间群,为体心四方晶系。同时样品在300℃下的XRD图谱显示为半结晶状态,主要衍射峰与相关晶体的衍射峰位置很接近,说明230℃和350℃下样品为两种不同的结构。这表明样品从常温升温到350℃的过程中确实发生了两次变化,晶体结构没有被完全破坏,只是晶格参数发生了变化。
图3为本实施例制备的Mn3O4(代号原始)及其分别经230℃、350℃和500℃煅烧后的FTIR图谱。
将烘干后的产物反复碾磨以后置于刚玉坩埚中,在马弗炉中煅烧,升温速率为5℃·min-1,采用一系列不同的煅烧温度,保温10h,自然冷却,取出产物,不同煅烧温度下产物的XRD图谱见图2中(b)图。从(b)图可知,产物在超过400℃逐渐转变成新的晶体结构,其中400℃下的样品结晶不够完善,次要衍射峰不够明显,峰强较弱,半峰宽较宽,继续升温以后,样品的结晶状况趋于完善。通过对比标准PDF卡片得知,新的氧化锰为立方铁锰矿的α-Mn2O3,
其中,煅烧温度为500℃的产物的微观形貌如图5所示。
实施例2
称取0.05mol Mn(Ac)2·4H2O晶体,加入300ml的去离子水,溶解于三口烧瓶内,放在水浴中加热搅拌,水温为80℃。量取双氧水和氨水各0.1mol,分别加入100ml去离子水稀释,再将两者混合得其混合溶液。待烧瓶里的晶体完全溶解水浴温度稳定以后,缓慢滴加双氧水和氨水混合溶液,保持快速搅拌,滴加结束以后密封烧瓶,继续反应2~3h。反应结束后取下烧瓶,将反应物转移到烧杯中进行超声45min,密封放于通风橱中静置。反复倒掉上清液,加入去离子水静置,直到上清液的pH接近于7,将最后一次的反应物离心分离,倒掉上清液,将下方沉淀物转移到表面皿中,在90℃条件下进行烘干处理,时间为15h,所得产物为Mn3O4。
将烘干后的产物反复碾磨以后置于坩埚中,在马弗炉中煅烧,升温速率为5℃·min-1,煅烧温度为600℃,保温为10h,自然冷却,取出产物Mn2O3即可,对应的微观形貌如图6所示。
实施例3
称取0.05mol Mn(Ac)2·4H2O晶体,加入300ml的去离子水,溶解于三口烧瓶内,放在水浴中加热搅拌,水温为75℃。量取0.15mol的双氧水和0.1mol氨水,分别加入100ml去离子水稀释,再将两者混合得其混合溶液。待烧瓶里的晶体完全溶解水浴温度稳定以后,缓慢滴加双氧水和氨水混合溶液,保持快速搅拌,滴加结束以后密封烧瓶,继续反应2~3h。反应结束后取下烧瓶,将反应物转移到烧杯中进行超声60min,密封放于通风橱中静置。将产物过滤,用去离子水反复洗涤4~5次,直到洗涤后的去离子水pH接近于7,将滤纸上的沉淀物转移到表面皿中,在100℃条件下进行烘干处理,时间为12h。所得Mn3O4为3.702g,产率为96.99%,Mn元素含量为99.9%,不包括氢和氧。将烘干后的产物反复碾磨以后置于刚玉坩埚中,在马弗炉中煅烧,升温速率为8℃·min-1,煅烧温度为600℃,保温为12h,自然冷却,取出产物即可。
实施例4
称取0.1mol MnCl2·4H2O晶体,加入600ml的去离子水,溶解于三口烧瓶内,放在水浴中加热搅拌,水温为85℃。量取0.1mol的双氧水和0.2mol氨水,分别加入100ml去离子水稀释,再将两者混合得其混合溶液。待烧瓶里的晶体完全溶解水浴温度稳定以后,缓慢滴加双氧水和氨水混合溶液,保持快速搅拌,滴加结束以后密封烧瓶,继续反应2~3h。反应结束后取下烧瓶,将反应物转移到烧杯中进行超声30min,密封放于通风橱中静置。反复加入去离子水,倒掉上清液4~5次,直到上清液pH接近于7,将最后一次的浆液转移到表面皿中,在100℃条件下进行烘干处理,时间超过12h。所得Mn3O4重量为3.685g,产率为96.55%。将烘干后的产物反复碾磨以后置于刚玉坩埚中,在马弗炉中煅烧,升温速率为10℃·min-1,煅烧温度为700℃,保温为10h,自然冷却,取出产物即可。
Claims (7)
1.一种简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将锰盐加入到去离子水中得到锰盐溶液,水浴加热下搅拌至锰盐完全溶解;
所述的锰盐选自四水氯化锰或四水乙酸锰,锰盐溶液的浓度为0.167~0.333mol/L;
所述水浴加热的温度为60~100℃;
(2)双氧水和氨水分别经去离子水稀释后再混合,得到混合溶液,将混合溶液滴加至步骤(1)的锰盐溶液中,搅拌下继续反应1~3h,经静置、洗涤、干燥后得到所述的Mn3O4纳米粉体;
所述锰盐、双氧水和氨水的摩尔比为1:0.25~3:1~3。
2.根据权利要求1所述的简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述水浴加热的温度为75~85℃。
3.根据权利要求1所述的制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,所述的锰盐为四水乙酸锰。
4.根据权利要求1所述的简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的双氧水和氨水分别经去离子水稀释至溶液浓度低于5wt%。
5.根据权利要求1所述的简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,步骤(2)中,将水浴反应后的产物密封并进行超声处理,时间为10~120min,再静置24~48h,加入去离子水反复倒掉上清液,将产物洗涤至中性后干燥处理,得到所述的Mn3O4纳米粉体。
6.根据权利要求5所述的简便制备Mn3O4纳米粉体的方法,其特征在于,所述干燥的温度为60~120℃,时间为10~15h。
7.一种根据权利要求1~6任一权利要求所述的方法制备的Mn3O4纳米粉体,其特征在于,为黑锰矿型Mn3O4。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161012 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |