CN105702300B - 一种基于FPGA的NAND Flash容错*** - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于FPGA的NAND Flash容错***,包括Flash坏块管理子***、USB通信子***和上位机。Flash坏块管理子***由FPGA和Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址。将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,存储到信息存储区。FPGA作为核心控制器,通过USB通信子***和上位机进行通信,可接收上位机发送的控制指令以及上传数据。通过上位机可以查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态等,还可进行自动检测,更新地址映射表,并且可以读取Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到Flash阵列中。
Description
技术领域
本发明涉及Flash容错技术,尤其涉及一种基于FPGA的NAND Flash容错***。
背景技术
随着信息技术地不断发展,数字产品已经成为生活至关重要的一部分。在人们不断追求高品质生活的过程中,智能手机、数码相机、播放器等数字产品的容量和处理性能亟需提升。与此同时,存储产业面临着由巨大需求带来的发展机遇。现今民用消费电子市场中,闪存(Flash)在非易失性存储介质中扮演着主要角色。由逻辑架构上的差异可分为NORFlash和NAND Flash两种。NOR Flash在早期市场中占据主要地位,技术革新后,NAND Flash强调降低每比特的成本,可像磁盘一样通过接口轻松升级,具有速度高,可靠性高,功耗低,体积小、发热少、抗震强等优点,逐渐取代NOR Flash,日益成为存储器的主流。
由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此在出场和使用过程中会产生不能擦除错误的无效块,即坏块。出场时存在的坏块不能用于存储数据,已被厂家标识好,而后天由于使用次数增多引起的坏块的某些位不能发生翻转,使***变得不稳定,导致Flash中数据无法被正常地读取和写入,甚至引起Flash报废等问题。因此,坏块管理一直是NAND Flash管理中的技术关键和难点。通过对坏块的检测和管理,不仅可以在第一时间发现坏块,而且可以根据需要跳过或替换坏块,并把替换的坏块存储在保留区中,可保障数据安全,避免数据丢失等不必要的麻烦。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种基于FPGA的NAND Flash容错***。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:一种基于FPGA的NAND Flash容错***,包括Flash坏块管理子***、USB通信子***和上位机。Flash坏块管理子***由FPGA和Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址。将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,存储到信息存储区。FPGA作为核心控制器,通过USB通信子***和上位机进行通信,可接收上位机发送的控制指令以及上传数据。 通过上位机可以查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态等,还可进行自动检测,更新地址映射表,并且可以读取Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到Flash阵列中。
进一步地,所述Flash坏块管理子***还包括FPGA配置电路和电源模块。电源模块用于将供电电压稳定到各个模块所需要的额定电压。FPGA配置电路和FPGA相连。FPGA选用的是Xilinx Virtex V芯片族中的XC5VLX330,FPGA配置电路选用的配置芯片为PlatformFlash XL系列下的XCF128XFT64C,选用40MHz晶振为其提供配置时钟,采用16位并行总线配置,配置方式选用从并配置,1s之内就可以完成***配置。Flash阵列由16块Flash芯片组成,Flash芯片采用美光公司的NAND Flash系列下的MT29F8G16。FPGA和MT29F8G16通过8根控制信号线相连,分别为CLE,ALE,CE,WE,RE,WP,R/B和一个16位的IO口。CLE是命令锁存信号,ALE是地址锁存信号,CE是片选信号,WE是写使能信号,RE是读使能信号,WP是写保护信号,R/B是状态信号(空或忙)。16位的IO口为地址、数据和命令时分复用总线。
所述Flash坏块管理子***对Flash坏块的容错分为坏块检测、逻辑区域的划分和地址映射表的更新。开始坏块检测时,通过FPGA遍历Flash的所有块,查询每个块第一页第一个512字节对应spare area的第6个byte,若为非0xff,则为出厂坏块。再对其他好块分别进行擦除、写入和读取操作,若擦除后写入和读取的数据一致,则标记为好块,否则标记为坏块。然后,将每块Flash划分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,信息存储区从好块区选取。检测完毕后,更新地址映射表,将所有好块的物理地址映射到好块区,所有坏块的物理地址映射到坏块区,并将地址映射表存储到信息存储区。
进一步地,所述USB通信子***包括USB控制芯片。USB控制芯片选用CYPRESS的CYUSB3014,该芯片是基于ARM的USB3.0外设控制芯片,选择同步Slave FIFO从机方式实现FPGA对CYUSB3014的控制,采用19.2MHz无源晶振为其提供时钟输入。采用32MHz晶振作为看门狗定时器,用于中断USB控制芯片内部的ARM内核,自动唤醒休眠模式下的USB控制芯片和复位ARM内核。FPGA和CYUSB3014通过11根控制信号线相连。分别为IFCLK,FLAGA,FLAGB,FLAGC,FLAGD/SLCS#,SLOE,SLRD,SLWR,PKTEND,FD[15:0],FIFOADR[1:0]。IFCLK为通信接口的时序时钟,由USB控制芯片提供;FLAGA~FLAGD为USB控制芯片内部的FIFO状态管脚,用于指示FIFO的当前状态;SLCS#为Slave FIFO的片选信号,低电平有效;FD[15:0]为16位双向驱动数据总线,用于FPGA和USB接口的数据交换;FIFOADR[1:0]用于选择与 FD数据总线通信的端点地址;SLOE为使能信号,高电平时使能数据总线FD的输出;SLRD和SLWR为读写选通信号,控制数据的流向。PKTEND用于选择数据包的长度,置低可传零长度或短长度数据包。
FPGA通过USB通信子***和上位机进行通信,一方面,可接收上位机发送的控制指令并执行,所述控制指令包括下载数据、读取数据、自动检测等。另一方面,Flash坏块管理子***工作完成之后,FPGA可以通过USB通信子***向上位机传输数据、使用信息等。
进一步地,所述上位机通过USB3.0和USB通信子***进行连接,其功能如下:
(1)自动检测:点击自动检测按键,上位机通过USB通信子***向FPGA发送自动检测控制信号,FPGA控制Flash坏块管理子***对Flash阵列进行坏块检测、逻辑区域划分及建立地址映射表。
(2)Flash阵列监测:执行完自动检测后,FPGA通过USB通信子***把检测结果发送给上位机,并在上位机上显示Flash阵列的使用信息,包括好块区的空间大小、数据存储状态等。
(3)数据下载:将需要存储的数据以文本的形式保存,点击数据下载按键,可以把文本数据下载到Flash阵列中。
(4)数据读取:点击数据读取按键,可以从Flash阵列中读取存储的数据,并将数据保存到指定的文件夹中。
本发明具有的有益效果是:基于FPGA的NAND Flash容错***的搭建,可以有效地解决坏块检测和管理问题,从而提高Flash存储性能,延长其使用寿命,保障用户的数据安全。***包括Flash坏块管理子***、USB通信子***和上位机。USB通信子***和控制中心之间建立连接,上行方向中可接收控制中心发送的控制指令并执行,下行方向中坏块管理子***工作完成后可传输使用信息。Flash使用过程中的实时信息能得到及时更新,提高了动态管理的准确性和有效性。根据需要可通过上位机发送指令,实现Flash阵列自动坏块检测,并在上位机上显示Flash阵列使用信息的功能。此外,还可进行数据自由下载和读取操作,将指定文件夹中的文本数据下载到Flash阵列中或逆向读取并保存。***具有成本较低、测量准确、部署与维护方便等优点,针对现有技术的不足提出了切实可行的处理方法。总之,通过NAND Flash容错***,能对使用过程中遇到的坏块进行动态管理,动态更新坏块信息表,直接提高块空间利用效率,使Flash整体性能和处理速度得到重要的保障,对新一代大容量NAND Flash的应用发展具有参考意义。
附图说明
图1是本发明的整体结构框图;
图2是Flash坏块管理子***结构图;
图3是Flash坏块管理方案流程图;
图4是USB通信子***的USB控制芯片和FPGA的连接图;
图5是上位机结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示,本发明提出的基于FPGA的NAND Flash容错***,包括Flash坏块管理子***、USB通信子***和上位机。Flash坏块管理子***由FPGA和Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址。将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,存储到信息存储区。FPGA作为核心控制器,通过USB通信子***和上位机进行通信,可接收上位机发送的控制指令以及上传数据。通过上位机可以查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态等,还可进行自动检测,更新地址映射表,并且可以读取Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到Flash阵列中。
如图2所示,Flash坏块管理子***核心部分包括FPGA、Flash阵列、FPGA配置电路。FPGA配置电路和FPGA相连。FPGA选用的是Xilinx Virtex V芯片族中的XC5VLX330,FPGA配置电路选用的配置芯片为Platform Flash XL系列下的XCF128XFT64C,选用40MHz晶振为其提供配置时钟,采用16位并行总线配置,配置方式选用从并配置,1s之内就可以完成***配置。Flash阵列由16块Flash芯片组成,Flash芯片采用美光公司的NAND Flash系列下的MT29F8G16。FPGA和MT29F8G16通过8根控制信号线相连,分别为CLE,ALE,CE,WE,RE,WP,R/B和一个16位的IO口。CLE是命令锁存信号,ALE是地址锁存信号,CE是片选信号,WE是写使能信号,RE是读使能信号,WP是写保护信号,R/B是状态信号(空或忙)。16位的IO口为地址、数据和命令时分复用总线。
如图3所示,Flash坏块管理子***对Flash坏块的容错分为坏块检测、逻辑区域的划分和地址映射表的更新。开始坏块检测时,通过FPGA遍历Flash的所有块,查询每个块第一页第一个512字节对应spare area的第6个byte,若为非0xff,则为出厂坏块。再对其他好块分别进行擦除、写入和读取操作,若擦除 后写入和读取的数据一致,则标记为好块,否则标记为坏块。然后,将每块Flash划分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,信息存储区从好块区选取。检测完毕后,更新地址映射表,将所有好块的物理地址映射到好块区,所有坏块的物理地址映射到坏块区,并将地址映射表存储到信息存储区。
如图4所示,USB通信子***包括USB控制芯片。USB控制芯片选用CYPRESS的CYUSB3014,该芯片是基于ARM的USB3.0外设控制芯片,选择同步Slave FIFO从机方式实现FPGA对CYUSB3014的控制,采用19.2MHz无源晶振为其提供时钟输入。采用32MHz晶振作为看门狗定时器,用于中断USB控制芯片内部的ARM内核,自动唤醒休眠模式下的USB控制芯片和复位ARM内核。FPGA和CYUSB3014通过11根控制信号线相连。分别为IFCLK,FLAGA,FLAGB,FLAGC,FLAGD/SLCS#,SLOE,SLRD,SLWR,PKTEND,FD[15:0],FIFOADR[1:0]。IFCLK为通信接口的时序时钟,由USB控制芯片提供;FLAGA~FLAGD为USB控制芯片内部的FIFO状态管脚,用于指示FIFO的当前状态;SLCS#为Slave FIFO的片选信号,低电平有效;FD[15:0]为16位双向驱动数据总线,用于FPGA和USB接口的数据交换;FIFOADR[1:0]用于选择与FD数据总线通信的端点地址;SLOE为使能信号,高电平时使能数据总线FD的输出;SLRD和SLWR为读写选通信号,控制数据的流向。PKTEND用于选择数据包的长度,置低可传零长度或短长度数据包。
FPGA通过USB通信子***和上位机进行通信,一方面,可接收上位机发送的控制指令并执行,所述控制指令包括下载数据、读取数据、自动检测等。另一方面,Flash坏块管理子***工作完成之后,FPGA可以通过USB通信子***向上位机传输数据、使用信息等。
如图5所示,上位机通过USB3.0和USB通信子***进行连接,其功能如下:
(1)自动检测:点击自动检测按键,上位机通过USB通信子***向FPGA发送自动检测控制信号,FPGA控制Flash坏块管理子***对Flash阵列进行坏块检测、逻辑区域划分及建立地址映射表。
(2)Flash阵列监测:执行完自动检测后,FPGA通过USB通信子***把检测结果发送给上位机,并在上位机上显示Flash阵列的使用信息,包括好块区的空间大小、数据存储状态等。
(3)数据下载:将需要存储的数据以文本的形式保存,点击数据下载按键,可以把文本数据下载到Flash阵列中。
(4)数据读取:点击数据读取按键,可以从Flash阵列中读取存储的数据,并将数据保存到指定的文件夹中。
Claims (3)
1.一种基于FPGA的NAND Flash容错***,其特征在于,包括Flash坏块管理子***、USB通信子***和上位机;Flash坏块管理子***由FPGA和NAND Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址;将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,将地址映射表存储到信息存储区;FPGA作为核心控制器,通过USB通信子***和上位机进行通信,接收上位机发送的控制指令以及上传数据;通过上位机能够查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态,对当前NAND Flash阵列的使用情况进行自动检测,更新地址映射表,并且能够读取NAND Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到NAND Flash阵列中;
所述Flash坏块管理子***还包括FPGA配置电路和电源模块;电源模块用于将供电电压稳定到FPGA、NAND Flash阵列、FPGA配置电路、USB通信子***需要的额定电压;FPGA配置电路和FPGA相连;FPGA选用的是Xilinx Virtex V芯片族中的XC5VLX330,FPGA配置电路选用的配置芯片为Platform Flash XL系列下的XCF128XFT64C,选用40MHz晶振为FPGA配置电路提供配置时钟,FPGA采用16位并行总线配置,配置方式选用从并配置,1s之内完成***配置;NAND Flash阵列由16块Flash芯片组成,Flash芯片采用美光公司的NAND Flash系列下的MT29F8G16;FPGA和MT29F8G16通过8根控制信号线相连,分别为CLE, ALE, CE, WE, RE,WP, R/B和一个16位的IO口;CLE是命令锁存信号,ALE是地址锁存信号,CE是片选信号,WE是写使能信号,RE是读使能信号,WP是写保护信号,R/B是状态信号(空或忙);16位的IO口为地址、数据和命令时分复用总线;
所述Flash坏块管理子***对Flash坏块的容错分为坏块检测、逻辑区域的划分和地址映射表的更新;开始坏块检测时,通过FPGA遍历Flash的所有块,查询每个块第一页第一个512字节对应spare area的第6个byte,若为非0xff,则为出厂坏块;再对好块分别进行擦除、写入和读取操作,若擦除后写入和读取的数据一致,则标记为好块,否则标记为坏块;然后,将每块Flash划分为映射好块区、坏块区和信息存储区这3个逻辑区域,信息存储区从好块区选取;检测完毕后,更新地址映射表,将所有好块的物理地址映射到好块区,所有坏块的物理地址映射到坏块区,并将地址映射表存储到信息存储区。
2.根据权利要求1所述的一种基于FPGA的NAND Flash容错***,其特征在于,所述USB通信子***包括USB控制芯片;USB控制芯片选用CYPRESS的CYUSB3014,该CYUSB3014芯片是基于ARM的USB3.0外设控制芯片,选择同步Slave FIFO从机方式实现FPGA对CYUSB3014的控制,采用19.2MHz无源晶振为该CYUSB3014芯片提供时钟输入;采用32MHz晶振作为看门狗定时器,用于中断USB控制芯片内部的ARM内核,自动唤醒休眠模式下的USB控制芯片和复位ARM内核;FPGA和CYUSB3014通过11根控制信号线相连,分别为IFCLK, FLAGA, FLAGB,FLAGC, FLAGD/SLCS#, SLOE, SLRD, SLWR, PKTEND, FD[15:0], FIFOADR[1:0];IFCLK为通信接口的时序时钟,由USB控制芯片提供;FLAGA~FLAGD为USB控制芯片内部的FIFO状态管脚,用于指示FIFO的当前状态;SLCS#为Slave FIFO的片选信号,低电平有效;FD[15:0]为16位双向驱动数据总线,用于FPGA和USB接口的数据交换;FIFOADR[1:0]用于选择与FD数据总线通信的端点地址;SLOE为使能信号,高电平时使能数据总线FD的输出;SLRD和SLWR为读写选通信号,控制数据的流向;PKTEND用于选择数据包的长度,置低时,可传零长度或短长度数据包;
其中,FPGA作为核心控制器,通过USB通信子***和上位机进行通信,具体为:一方面,可接收上位机发送的控制指令并执行,所述控制指令包括下载数据、读取数据、自动检测;另一方面,Flash坏块管理子***工作完成之后,FPGA可以通过USB通信子***向上位机传输数据。
3.根据权利要求1所述的一种基于FPGA的NAND Flash容错***,其特征在于,所述上位机通过USB3.0和USB通信子***进行连接,其功能如下:
(1) 自动检测:点击自动检测按键,上位机通过USB通信子***向FPGA发送自动检测控制信号,FPGA控制Flash坏块管理子***对NAND Flash阵列进行坏块检测、逻辑区域划分及建立地址映射表;
(2) NAND Flash阵列监测:执行完自动检测后,FPGA通过USB通信子***把检测结果发送给上位机,并在上位机上显示NAND Flash阵列的使用信息,包括好块区的空间大小、数据存储状态;
(3) 数据下载:将需要存储的数据以文本的形式保存,点击数据下载按键,可以把文本数据下载到NAND Flash阵列中;
(4) 数据读取:点击数据读取按键,可以从NAND Flash阵列中读取存储的数据,并将数据保存到指定的文件夹中。
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Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106339246A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-18 | 福建联迪商用设备有限公司 | 一种用于nandflash生产阶段的烧写方法及其烧写*** |
CN108648780B (zh) * | 2017-12-19 | 2020-10-16 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种存储器测试***、方法及存储介质 |
CN108664409B (zh) * | 2018-03-14 | 2021-05-11 | 上海卫星工程研究所 | 坏块管理方法及*** |
CN109582232A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-04-05 | 中国船舶重工集团公司第七0七研究所 | 一种基于FPGA的顺序读写多片Flash***及方法 |
CN109599145A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-09 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘的测试方法、装置及计算机存储介质 |
CN109783411B (zh) * | 2018-12-20 | 2022-05-17 | 成都旋极历通信息技术有限公司 | 一种基于fpga的flash阵列控制方法及控制器 |
CN112346646B (zh) * | 2019-08-06 | 2023-05-23 | 天津光电通信技术有限公司 | 高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法 |
CN110544505B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-10-26 | 深圳忆联信息***有限公司 | 用于筛选Wafer中不良Die的测试***和方法 |
CN110704349B (zh) * | 2019-09-04 | 2020-12-25 | 北京航空航天大学 | 一种用于数据可靠传输的SpaceWire节点装置 |
CN111240598B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-07-13 | 西安交通大学 | 一种基于软硬件结合方式的大容量快速NandFlash存储实现方法 |
CN111627491A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-04 | 恒银金融科技股份有限公司 | 一种基于USB3.0的Flash存储器测试模块及其测试方法 |
CN112331252A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-02-05 | 深圳市芯天下技术有限公司 | Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端 |
CN113176970B (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-22 | 中国核动力研究设计院 | 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法 |
CN115495024B (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-10 | 石家庄科林电气股份有限公司 | 基于NandFlash的录波文件存储方法、装置、终端及存储介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101251753A (zh) * | 2008-04-08 | 2008-08-27 | 浙江大学 | 基于fpga的具有并行处理结构的高速伺服控制器 |
CN103678728A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-26 | 北京航空航天大学 | 一种基于fpga+dsp构架的高速数据记录***及其构建方法 |
CN104360958A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-18 | 哈尔滨工业大学 | 基于块保留区替换的坏块管理***及管理方法 |
CN105005453A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 上海卫星工程研究所 | 星载nand flash固存坏区管理*** |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8447918B2 (en) * | 2009-04-08 | 2013-05-21 | Google Inc. | Garbage collection for failure prediction and repartitioning |
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- 2016-01-11 CN CN201610015050.6A patent/CN105702300B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101251753A (zh) * | 2008-04-08 | 2008-08-27 | 浙江大学 | 基于fpga的具有并行处理结构的高速伺服控制器 |
CN103678728A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-26 | 北京航空航天大学 | 一种基于fpga+dsp构架的高速数据记录***及其构建方法 |
CN104360958A (zh) * | 2014-12-09 | 2015-02-18 | 哈尔滨工业大学 | 基于块保留区替换的坏块管理***及管理方法 |
CN105005453A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-28 | 上海卫星工程研究所 | 星载nand flash固存坏区管理*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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