CN104685979A - 多层基板的制造方法、多层绝缘膜及多层基板 - Google Patents
多层基板的制造方法、多层绝缘膜及多层基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104685979A CN104685979A CN201380050669.5A CN201380050669A CN104685979A CN 104685979 A CN104685979 A CN 104685979A CN 201380050669 A CN201380050669 A CN 201380050669A CN 104685979 A CN104685979 A CN 104685979A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating barrier
- mentioned
- insulating
- multilayer
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/465—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer having channels for the next circuit layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/06—Lamination
- H05K2203/063—Lamination of preperforated insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
- Y10T156/1082—Partial cutting bonded sandwich [e.g., grooving or incising]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/24983—Hardness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
本发明提供一种可高精度地形成指定深度的槽的多层绝缘膜。本发明的多层基板的制造方法使用多层绝缘膜(1),该多层绝缘膜(1)具有第1绝缘层(2)和叠层于所述第1绝缘层(2)的一个表面上的第2绝缘层(3),所述第2绝缘层(3)如下构成:在将所述第2绝缘层(3)的局部除去时,能够将所述第1绝缘层(2)和所述第2绝缘层(3)中的仅所述第2绝缘层(3)选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层(3)厚度的槽,所述制造方法包括如下工序:在电路基板的表面上叠层所述多层绝缘膜(1);将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层(2)中的仅所述第2绝缘层(3)的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层(3)厚度的槽;在形成于所述绝缘层的所述槽内形成金属布线。
Description
技术领域
本发明涉及一种在多层基板中形成绝缘层的多层基板的制造方法。本发明涉及一种例如可以优选用于在多层基板中形成绝缘层的多层绝缘膜。另外,本发明涉及一种使用了上述多层绝缘膜的多层基板。
背景技术
目前,在叠层板及印刷布线板等电子部件中,可使用各种树脂组合物来形成绝缘层。例如,在多层印刷布线板中,为了形成用于使内部的层间绝缘的绝缘层或形成位于表层部分的绝缘层,可使用树脂组合物。在上述绝缘层的表面形成有通常为金属层的电路图案。
另外,就半导体封装的制造中的电路形成而言,形成如何高精度地形成电路(镀Cu等)图案很重要。作为形成电路图案的一个方法,有在绝缘层上形成图案状的槽,在该槽内填充金属而在槽内形成电路图案的方法。该方法被称为沟槽技术(トレンチ工法)。通过沟槽技术形成槽的方法例如公开在下述的专利文献1中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-51053号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述沟槽技术中,可以某一程度地控制沟槽(trench)的深度并形成图案状的沟槽。但是,在以激光直接成像等形成槽的情况下,难以高精度地控制槽的深度。
另外,已知有半添加技术(SAP)等所代表的图案形成方法。就SAP而言,电路(镀Cu等)图案凸状地形成于绝缘层的表面上。接着,在绝缘层上及电路图案上叠层其它的绝缘层。此时,在对其它的绝缘层进行叠层时,存在容易在电路图案间形成空隙(void)这样的问题。进而,在叠层其它的绝缘层后,存在其它的绝缘层的表面的平滑性降低这样的问题。另外,重复该电路图案的形成和绝缘层的叠层,若增多叠层数,则上层的绝缘层的表面的平滑性容易更进一步降低。
在通过上述沟槽技术形成电路图案的情况下,不会产生通过SAP形成电路图案时的上述的问题。因此,利用沟槽技术进行电路图案的形成具有很多优点。
但是,如上所述,就沟槽技术而言,难以高精度地控制绝缘层上形成的槽的深度。因此,也难以高精度地控制槽内形成的电路图案的形状。
本发明的目的在于,提供一种可高精度地形成指定深度的槽的多层基板的制造方法。另外,本发明的目的在于,提供一种可高精度地形成指定深度的槽的多层绝缘膜、以及使用了该多层绝缘膜的多层基板。
用于解决问题的技术方案
根据本发明的较宽的方面,提供一种多层基板的制造方法,其使用多层绝缘膜,该多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层,所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽,
所述制造方法包括如下工序:
在电路基板的表面上叠层所述多层绝缘膜;
将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽;
在形成于所述绝缘层的所述槽内形成金属布线。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面,在将所述第2绝缘层的局部除去时,对所述第2绝缘层进行切削或溶解。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面,在将所述第2绝缘层的局部除去时,使所述第1绝缘层比所述第2绝缘层更硬。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面中,所述多层绝缘膜是如下的多层绝缘膜:在从所述第2绝缘层侧进行激光直接图案化时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,
通过从所述第2绝缘层侧对所述多层绝缘膜进行激光直接图案化,将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面中,在将所述第2绝缘层的局部除去时,使所述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于所述第2绝缘层中树脂成分的交联度,或者,
使所述第1绝缘层中无机填充材的含量多于所述第2绝缘层中无机填充材的含量。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面中,使用多层绝缘膜,其中的所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解从而选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽,
在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽的工序,将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地溶解,而将所述第2绝缘层的局部除去,
能够在多层绝缘膜的状态下仅使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层之一固化,或者在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,或者能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定的方面,所述多层绝缘膜能够在多层绝缘膜的状态下仅使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层之一固化。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面,在曝光后的显影中,所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中。
在本发明的多层基板的制造方法的某一特定方面中,在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去。
根据本发明的较宽的方面,提供一种多层绝缘膜,其用于形成具有槽的绝缘层,所述多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层,
所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
在本发明的多层绝缘膜的某一特定方面中,在将所述第2绝缘层的局部除去时,可以对所述第2绝缘层进行切削或溶解。
在本发明的多层绝缘膜的某一特定方面中,所述第1绝缘层比所述第2绝缘层硬。
在本发明的多层绝缘膜的某一特定方面中,所述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于所述第2绝缘层中树脂成分的交联度,或者所述第1绝缘层中无机填充材料的含量多于所述第2绝缘层中无机填充材料的含量。
在本发明的多层绝缘膜可优选用于在多层基板中的电路基板上形成绝缘层。
根据本发明的较宽方面,提供一种多层基板,其包括:
电路基板、
配置于所述电路基板上且具有槽的绝缘层、
形成于所述槽内的金属布线,
所述绝缘层使用上述的多层绝缘膜形成。
发明的效果
在本发明的多层基板的制造方法中,使用多层绝缘膜,该多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层,所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。所述制造方法包括如下工序:在电路基板的表面上叠层所述多层绝缘膜;将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽;在形成于所述绝缘层的所述槽内形成金属布线,因此,可以得到多层基板,其高精度地在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽,且高精度地在该槽内形成槽形状的金属布线。
就本发明的多层绝缘膜而言,叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层具有如下构成,因此,可在所得到的绝缘层上高精度地形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
附图说明
图1是示意地示出本发明的一个实施方式的多层绝缘膜的剖面图;
图2是示意地示出本发明的一个实施方式的使用了多层绝缘膜的多层基板的剖面图;
图3(a)~(d)是用于说明本发明的一个实施方式的使用了多层绝缘膜的多层基板的制造方法中各工序的示意性的剖面图;
图4是用于说明多层基板的制造方法的变形例的示意性的剖面图;
图5是用于说明多层基板的制造方法的变形例的示意性的剖面图。
标记说明
1…多层绝缘膜
1a…贯穿孔
2…第1绝缘层
3…第2绝缘层
3A…进行了固化的第2绝缘层部分
3B…未固化的第2绝缘层部分
11…多层基板
12…电路基板
12A…金属布线
13、14…绝缘层
13A、14A…槽
13a、14a…贯穿孔
15、16…金属布线
15A金属层
具体实施方式
下面,对本发明详细地进行说明。
(多层绝缘膜)
本发明的多层绝缘膜可用于形成具有槽的绝缘层。本发明的多层绝缘膜可优选用于在多层基板中形成绝缘层。
在图1中以剖面图示意性地示出本发明的一实施方式的多层绝缘膜。
图1所示的多层绝缘膜1具有第1绝缘层2和叠层在第1绝缘层2的一个表面的第2绝缘层3。第2绝缘层3如下构成:在将第2绝缘层3的局部除去时,能够将第1绝缘层2和第2绝缘层3中的仅第2绝缘层3选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为第2绝缘层3厚度的槽。
下述构成方法没有特备限定:在将第2绝缘层3的局部除去时,能够将第1绝缘层2和第2绝缘层3中的仅第2绝缘层3选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为第2绝缘层3厚度的槽。作为该方法,可以举出:使上述第1绝缘层比上述第2绝缘层更硬的方法、使用能够在多层绝缘膜的状态下使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第1绝缘层固化的多层绝缘膜的方法、使用可在曝光后的显影中使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层部分地溶解于显影液中的多层绝缘膜的方法、以及能够通过激光的照射溶解上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层并除去的方法等。
如上所述,在沟槽技术中,难以高精度地控制绝缘层上形成的槽的深度。因此,也难以高精度地控制槽内所形成的电路图案的形状。这是指无法高精度地保持多层电路间的绝缘距离。即,在槽的深度存在离差的情况下,相对于指定的所需要的绝缘距离,深度挖掘的槽中形成的电路相对于下层电路绝缘距离变短,较浅的槽中形成的电路相对于下层电路的绝缘距离变长。因此,槽的深度的离差对绝缘可靠性造成较大的影响。
在今后预想的封装基板的薄型化进行的情况中,越发要求将该绝缘距离控制为所设计的固定值。
在本发明中,可以得到在绝缘层上高精度地形成深度为上述第2绝缘层厚度的槽、且在该槽内高精度地形成槽形状的金属布线的多层基板。
根据上述的效果,可保持多层基板中层间绝缘距离固定。即,在所得到的绝缘层中,通过槽的底部与第1绝缘层和第2绝缘层的界面对奇,可保持该槽内形成的图案与处于下面一层的图案之间的绝缘距离保持固定。因此,可通过提供对第1绝缘层和第2绝缘层的各自的厚度进行调整而成的多层绝缘膜而高精度地实现所期望的绝缘距离。
从在得到的绝缘层更进一步高精度地形成指定深度的槽的观点考虑,在将上述绝缘膜的所述第2绝缘层的局部除去时,优选能够对所述第2绝缘层进行切削或溶解。在将所述第2绝缘层的局部除去时,优选对所述第2绝缘层进行切削或溶解。在将所述第2绝缘层的局部除去时,优选能够对所述第2绝缘层进行切削,也优选将其溶解。
能够在多层绝缘膜的状态下仅使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层之一固化,或者能能够在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,或者能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去,在上述情况下,可在能够使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解从而选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
从在得到的绝缘层上更进一步高精度地形成指定深度的槽的观点考虑,优选上述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,可对上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层选择性地进行切削并除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
从在所得到的绝缘层上更进一步高精度地形成指定深度的槽的观点考虑,优选使上述第1绝缘层比上述第2绝缘层更硬。此时,在从上述第2绝缘层侧切削多层绝缘膜时,可将上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层选择性地除去。
上述第1、第2绝缘层的硬度可以通过利用粘弹性分光计或者示差扫描热量计(DSC)测得的绝缘层的玻璃化温度进行代用评价。另外,可以通过该评价来判定硬度的高低。
上述多层绝缘膜优选为在从上述第2绝缘层侧进行切削时,可将上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层的多层绝缘膜选择性地除去。上述多层绝缘膜优选在从所述第2绝缘层侧进行激光直接图案化时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去。此时,仅将上述第2绝缘层选择性地除去,因此,能够更进一步高精度地在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。在从上述第2绝缘层侧切削上述多层绝缘膜时,优选不除去上述第1绝缘层。
例如,在上述第2绝缘层的树脂成分对激光的波长光的吸收高于上述第1绝缘层的树脂成分的情况下,第2绝缘层的树脂成分变得更容易切削。
从在得到的绝缘层上更进一步高精度地形成指定深度的槽的观点考虑,就上述多层绝缘树脂膜而言,优选上述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于上述第2绝缘层中树脂成分的交联度,或者优选上述第1绝缘层中无机填充材料的含量多于上述第2绝缘层中无机填充材料的含量。优选上述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于上述第2绝缘层中树脂成分的交联度,优选上述第1绝缘层中无机填充材料的含量多于上述第2绝缘层中无机填充材料的含量。在将所述第2绝缘层的局部除去时,上述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于上述第2绝缘层中树脂成分的交联度,另外,上述第1绝缘层中无机填充材料的含量多于上述第2绝缘层中无机填充材料的含量,由此容易使上述第1绝缘层比上述第2绝缘层更硬。
上述第1绝缘层、第2绝缘层中树脂成分的上述交联度可以通过利用粘弹性分光计或者示差扫描热量计(DSC)测得的树脂的玻璃化温度进行代用评价。另外,可以通过该评价来判定上述交联度的大小。
作为使上述第1、第2绝缘层中树脂成分的上述交联度不同的方法,可以举出:对树脂及固化剂的组成进行变更的方法及对固化促进剂的量进行改变的方法等。
在将第2绝缘层3的局部除去时,为了可仅使第1绝缘层2和第2绝缘层3之一选择性地溶解并除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为第2绝缘层3厚度的槽,优选1)可在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化,或者2)在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,或者3)能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去。此时,可以得到在绝缘层上高精度地形成上述深度为第2绝缘层厚度的槽,且在该槽内高精度地形成槽形状的金属布线的多层基板。
优选1)可在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化,优选2)可在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,也优选3)可通过激光的照射仅使上述第2绝缘层溶解并除去。
在1)可在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化的情况下,优选可仅使第1绝缘层固化。1)能够在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化时,可以在使第1绝缘层固化且第2绝缘层局部地固化的固化条件下,通过进行固化仅使第2绝缘层选择性地固化,或者可以在第2绝缘层不固化且仅第1绝缘层固化的固化条件下,通过进行固化仅使第1绝缘层选择性地固化。在固化状态不同的第1绝缘层、第2绝缘层中,可以通过使第2绝缘层局部地溶解而除去来形成槽。此时,可以使第2绝缘层局部地固化,使未固化的第2绝缘层局部溶解而除去。为了使未固化的第2绝缘层局部溶解,优选进行显影。优选可在多层绝缘膜的状态下,使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中仅上述第1绝缘层固化。需要说明的是,所谓“仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化”,是指使一种绝缘层比另一种绝缘层进一步固化,也包括另一种绝缘层的固化与一种绝缘层相比进行到未固化的程度。
2)在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中时,只要可对第2绝缘层利用曝光及显影的原理而使第2绝缘层选择性地且局部地除去即可,与上述第1绝缘层、第2绝缘层是否固化无关。例如,优选通过曝光使进行了光照射的局部可溶于显影液中。可以通过隔着掩膜对第2绝缘层进行局部的光照射来使第2绝缘层局部地溶解于显影液中。
在3)可通过激光的照射仅使上述第2绝缘层溶解并除去时,可以通过对多层绝缘膜照射激光来选择性地仅除去第2绝缘层。另外,可以通过图案状地照射激光来图案状地除去第2绝缘层。
从在得到的绝缘层上更进一步高精度地形成指定深度的槽的观点考虑,为了可在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化,优选1-1)上述第1绝缘层含有光反应性成分,且上述第2绝缘层含有热固性成分,或者1-2)上述第1绝缘层含有热固性成分,且上述第2绝缘层含有光反应性成分,或者1-3)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有热固性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的热固化条件不同,或者1-4)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有光反应性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的光反应条件不同;或者2)可在曝光后的显影中使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层局部地溶解于显影液中。优选1-1)上述第1绝缘层含有光反应性成分,且上述第2绝缘层含有热固性成分,或者1-2)上述第1绝缘层含有热固性成分,且上述第2绝缘层含有光反应性成分,或者1-3)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有热固性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的热固化条件不同,或者1-4)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有光反应性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的光反应条件不同。优选1-1)上述第1绝缘层含有光反应性成分,且上述第2绝缘层含有热固性成分,优选1-2)上述第1绝缘层含有热固性成分,且上述第2绝缘层含有光反应性成分,优选1-3)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有热固性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的热固化条件不同,也优选1-4)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有光反应性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的光反应条件不同。
在1-1)上述第1绝缘层含有光反应性成分,且上述第2绝缘层含有热固性成分的情况下,可以通过加热仅使第2绝缘层选择性地热固化或通过光的照射仅使第1绝缘层选择性地发生光反应。在1-2)上述第1绝缘层含有热固性成分,且上述第2绝缘层含有光反应性成分的情况下,可以通过光的照射仅使第2绝缘层选择性地发生光反应或通过加热仅使第1绝缘层选择性地热固化。在1-3)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有热固性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的热固化条件不同的情况下,可以在仅上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一发生热固化的条件下进行热固化。在1-4)上述第1绝缘层和上述第2绝缘层分别含有光反应性成分,上述第1绝缘层和上述第2绝缘层固化的光反应条件不同的情况下,可以通过在仅上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一发生光反应的条件下进行光反应而仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一发生光反应。另外,可以通过隔着掩膜对第2绝缘层局部地进行光照射来使第2绝缘层局部地固化。另外,可以通过对第2绝缘层进行局部的加热来使第2绝缘层局部地固化。而且,可以通过显影除去未固化的第2绝缘层部分。
(多层基板及多层基板的制造方法)
可以使用上述多层绝缘膜得到具备具有槽的绝缘层的多层基板。
本发明的多层基板具备电路基板、配置在该电路基板上且具有槽的绝缘层、该槽内形成的金属布线。本发明的多层基板中上述绝缘层可使用上述多层绝缘膜形成。上述绝缘层可以直接叠层在电路基板上,也可以隔着其它的绝缘层间接地叠层。
在图2中以剖面图示意性地示出本发明的一个实施方式的使用了多层绝缘膜的多层基板。
在图2所示的多层基板11中,在电路基板12的第1表面上配置有绝缘层13,在与电路基板的第1表面相反的第2表面上配置有绝缘层14。电路基板12具有金属布线12A。金属布线12A露出在电路基板12的表面的一部分区域中。绝缘层13、14分别在与电路基板12侧相反侧的表面具有槽13A、14A。槽13A内形成有金属布线15。槽14A内形成有金属布线16。
在本发明的多层基板的制造方法中,可使用上述的多层绝缘膜。即,在本发明的多层基板的制造方法中,使用多层绝缘膜,该多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层在该第1绝缘层的一个表面的第2绝缘层,所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
本发明的多层基板的制造方法包括如下工序:在电路基板的表面上叠层所述多层绝缘膜;将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽;在形成于所述绝缘层的所述槽内形成金属布线。
另外,在本发明的多层基板的制造方法中,优选使用多层绝缘膜,该多层绝缘膜的上述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。此时,在上述多层绝缘膜中,优选1)可在多层绝缘膜的状态下仅使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层之一固化,或者2)在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,或者3)能够通过照射激光将仅所述第2绝缘层溶解而除去。
多层基板11可以使用多层绝缘膜1如下得到。
首先,如图3(a)所示,将多层绝缘膜1叠层在电路基板12的表面上。将多层绝缘膜1从第1绝缘层2侧叠层在电路基板12表面上。在此,将2层多层绝缘膜1在电路基板12的第1表面和与第1表面相反的第2表面上,各叠层1层。叠层后,优选使多层绝缘膜1半固化或固化。另外,利用光反应的显影进行将第2绝缘层的选择性除去时,将第2绝缘层选择性地除去后,有时可以利用加热进行半固化或固化。
接着,如图3(b)所示,在多层绝缘膜1上形成贯穿孔1a,使其到达金属布线12A且贯穿多层绝缘膜1。在此,仅图示图3(a)所示结构的一部分。
作为上述贯穿孔,例如可形成穿孔或通孔等。作为在多层绝缘膜上形成贯穿孔的方法,可以举出照射紫外线、红外线激光或CO2激光的方法及利用钻孔的开孔方法等。上述穿孔的直径没有特别限定,为30~120μm左右。
接着,如图3(c)所示,将第1绝缘层2和第2绝缘层3中的仅第2绝缘层3选择性地除去且将第2绝缘层3局部地除去,从而在得到的绝缘层13上形成深度为第2绝缘层3厚度的槽13A。即,将第1绝缘层2和第2绝缘层3中的仅第2绝缘层3选择性地除去且将第2绝缘层3局部地除去,从而形成具有槽13A的绝缘层13。绝缘层13具有形成有槽13A的第2绝缘层3和第1绝缘层2。另外,绝缘层13具有源自于贯穿孔1a的贯穿孔13a。在此,由于仅除去第2绝缘层3而不除去第1绝缘层2,因此槽13A的深度与第2绝缘层3的厚度相同。
需要说明的是,在仅使第2绝缘层3溶解并选择性地除去的情况下,为了使第2绝缘层3局部地溶解并除去,如图4所示,可以使第2绝缘层3局部地固化而形成固化的第2绝缘层部分3A和未固化的第2绝缘层部分3B。或者可以使第2绝缘层3局部地溶解于显影液中而形成可溶的第2绝缘层部分3B和不可溶的第2绝缘层部分3A。通过形成这样的第2绝缘层部分3A、3B,经过显影仅使未固化的第2绝缘层部分3B、或者仅可溶于显影液中的第2绝缘层部分3B局部地溶解并除去变得容易。另外,利用光反应进行上述显影形成槽时,在将第2绝缘层部分3B除去后,也有时优选进行利用热的半固化或固化而形成穿孔。
作为形成槽13A的方法,可以举出:从多层绝缘膜的第2绝缘层侧仅对第2绝缘层进行局部地切削的方法;使第1绝缘层固化并使第2绝缘层局部地固化并通过显影除去未固化的第2绝缘层部分的方法;使第1绝缘层部分地固化而未使第2绝缘层固化,然后,使第2绝缘层局部地固化并通过显影使未固化的第2绝缘层部分除去的方法;可在曝光后的显影中使上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中的仅上述第2绝缘层局部地溶解于显影液中的方法;加热到仅第2绝缘层熔解或升华的温度而使第2绝缘层局部地除去的方法;以及对第2绝缘层照射激光的方法等。在上述显影中,可使用能够对应该通过显影除去的绝缘层部分进行溶解的显影液。
接着,根据需要进行除胶渣处理。由于上述贯穿孔的形成,在穿孔内的底部形成有源自于绝缘层中所含的树脂成分的树脂残渣即胶渣的情况较多。为了除去上述胶渣,优选进行除胶渣处理。除胶渣处理也有时兼具粗化处理。在上述除胶渣处理中,例如可使用锰化合物、铬化合物或过硫酸化合物等化学氧化剂等。这些化学氧化剂可在添加水或有机溶剂后,以水溶液或有机溶剂分散溶液的形式使用。除胶渣处理中所使用的除胶渣处理液通常含有碱。除胶渣处理液优选含有氢氧化钠。
作为上述锰化合物,可以举出:过锰酸钾及过锰酸钠等。作为上述铬化合物,可以举出:重铬酸钾及无水铬酸钾等。作为上述过硫酸化合物,可以举出:过硫酸钠、过硫酸钾及过硫酸铵等。
上述除胶渣处理的方法没有特别限定。作为上述除胶渣处理的方法,例如优选使用30~90g/L过锰酸或过锰酸盐溶液及30~90g/L氢氧化钠溶液在处理温度30~85℃及1~30分钟的条件下处理固化物的方法。该除胶渣处理优选进行1次或2次。上述除胶渣处理的温度优选为50~85℃的范围内。
接着,如图3(d)所示,在槽13A内填充金属形成金属布线15。在此,仅在槽13A及贯穿孔13a内选择性地形成金属布线15。另外,可以通过预先形成槽13A而形成与图案状的槽13A的形状对应形状的金属布线15。
为了在绝缘层的槽内选择性地形成金属布线,优选根据需要进行敏化处理工序。通过敏化处理对绝缘层的表面赋予钯催化剂后,对其部分选择性地实施无电解镀,在其上形成电镀,由此可形成图案。在敏化处理工序中,具体而言,以碱清洁液对多层绝缘膜进行处理从而对表面进行脱脂清洗。清洗后,以预浸液对多层绝缘膜进行处理后,以活化液处理绝缘层来赋予钯催化剂。此时,由于钯催化剂附着在绝缘层13外侧表面的整面上,因此以陶瓷抛光轮等对表面进行抛光,使槽13A及贯穿孔13a内以外的绝缘层的表面的钯掉落后,转移至无电解镀工序,由此可在槽13A及贯穿孔13a内选择性地形成镀敷图案。
需要说明的是,可以如图5所示,在槽13A及贯穿孔13a内填充金属且也在绝缘层13的表面上叠层金属来形成金属层15A,而不在敏化处理后进行陶瓷抛光轮抛光。此时,通过表面削磨或电蚀刻等将金属层15A局部地除去,由此可以形成金属布线15。
另外,关于电路基板12的第2表面侧的多层绝缘膜1,也进行与第1表面侧的多层绝缘膜1同样的处理,由此可以形成具有槽14A及贯穿孔14a的绝缘层14,且在绝缘层14内形成金属布线16。这样可以得到图2所示的多层基板11。
(多层绝缘膜的详细内容)
构成上述多层绝缘膜的第1绝缘层、第2绝缘层优选通过含有热固性成分的树脂组合物形成或通过含有光反应性成分的树脂组合物形成。上述热固性成分优选含有热固性树脂和热固化剂。上述光反应性成分优选含有光反应性树脂,优选含有光反应引发剂。构成上述多层绝缘膜的第1绝缘层、第2绝缘层优选通过含有热固性树脂和热固化剂的树脂组合物(第1树脂组合物、第2树脂组合物)形成。该树脂组合物优选含有无机填充材料。关于上述第1绝缘层或上述第2绝缘层中的不包括溶剂的成分100重量%中无机填充材料的含量,上述第1绝缘层中无机填充材料的含量优选比上述第2绝缘层中无机填充材料的含量多,更优选多5重量%以上,进一步优选多10重量%以上,特别优选多20重量%以上。因此,形成上述第1绝缘层的第1树脂组合物中的不包括溶剂的成分100重量%中无机填充材料的含量优选比用于形成上述第2绝缘层的第2树脂组合物中的不包括溶剂的成分100重量%中无机填充材料的含量多,更优选多5重量%以上,进一步优选多10重量%以上,特别优选多20重量%以上。
下面,对上述树脂组合物中所含的各成分的详细内容进行说明。
[热固性树脂(热固性化合物)(热固性成分)]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有热固性树脂。上述热固性树脂没有特别限定。上述热固性树脂可以仅单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述热固性树脂,例如可以举出:环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂及乙烯基苄基树脂等。从使绝缘性及机械强度更进一步变得良好的观点考虑,上述热固性树脂优选为环氧树脂。
作为上述环氧树脂,可以举出:双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、酚类酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、联苯酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂、萘酚芳烷基型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、蒽型环氧树脂、具有金刚烷骨架的环氧树脂、具有三环癸烷骨架的环氧树脂、及骨架中具有三嗪核的环氧树脂等。
上述环氧树脂在常温(23℃)下可以为液体,也可以为固体。上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有在常温(23℃)下为液体的环氧树脂。在上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层中除去无机填充材料和溶剂的成分(以下有时记载为成分A)100重量%中,在常温下为液体的环氧树脂的各含量优选为10重量%以上,更优选为25重量%以上。若在常温下为液体的环氧树脂的含量为上述下限以上,则容易使多层绝缘膜中无机填充材料的含量增多。上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层中全部上述环氧树脂可以为在常温下为液体的环氧树脂。
从更进一步提高固化物与金属布线之间的粘接强度的观点考虑,上述热固性树脂的热固性官能团的当量优选为90以上,更优选为100以上,且优选为1000以下,更优选为800以下。在上述热固性树脂为环氧树脂的情况下,上述热固性官能团的当量表示环氧当量。
上述热固性树脂的分子量优选为1000以下。此时,容易使多层绝缘膜中的无机填充材料的含量增多。进而,即使无机填充材料的含量较多,也可得到流动性较高的树脂组合物。另外,通过对分子量为1000以下的热固性树脂和热塑性树脂进行组合使用可对多层绝缘膜的熔融粘度的过度降低进行抑制。
在上述热固性树脂或热固化剂不是聚合物的情况下,及在可确定上述热固性树脂或热固化剂的结构式的情况下,上述热固性树脂的分子量及下述热固化剂的分子量是指可由该结构式算出的分子量。另外,在上述热固性树脂或热固化剂为聚合物的情况下,是指重均分子量。
上述重均分子量表示通过凝胶渗透色谱法(GPC)测得的以聚苯乙烯计的重均分子量。
在上述成分A100重量%中,上述热固性树脂总体的含量优选为10重量%以上,更优选为20重量%以上,且优选为95重量%以下,更优选为80重量%以下。
[热固化剂(热固性成分)]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有热固化剂。上述热固化剂没有特别限定。上述热固化剂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述热固化剂,可以举出:氰酸酯化合物(氰酸酯热固化剂)、酚类化合物(酚类热固化剂)、胺化合物(胺热固化剂)、硫醇化合物(硫醇热固化剂)、咪唑化合物、膦化合物、酸酐、活性酯化合物及双氰胺等。其中,从得到由于热引起的尺寸变化更小的固化物的观点考虑,上述热固化剂优选为氰酸酯化合物或酚类化合物。上述热固化剂优选为氰酸酯化合物,也优选为酚类化合物。上述热固化剂优选具有能够与上述热固性树脂的热固性官能团发生反应的官能团。上述热固化剂优选具有能够与上述环氧树脂的环氧基发生反应的官能团。
从更进一步提高固化物与金属布线之间的粘接强度,且在固化物的表面形成更加微细的布线的观点考虑,上述热固化剂优选为氰酸酯化合物、酚类化合物或活性酯化合物。
通过使用上述氰酸酯化合物使固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步得到提高。另外,通过使用上述氰酸酯化合物使无机填充材料的含量较多的多层绝缘膜的处理性变得良好,使固化物的玻璃化温度更进一步提高。上述氰酸酯化合物没有特别限定。作为该氰酸酯化合物,可使用现有公知的氰酸酯化合物。上述氰酸酯化合物可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述氰酸酯化合物,可以举出:酚醛清漆型氰酸酯树脂、双酚型氰酸酯树脂以及这些的一部分三聚化而成的预聚物等。作为上述酚醛清漆型氰酸酯树脂,可以举出:酚类酚醛清漆型氰酸酯树脂及烷基苯酚型氰酸酯树脂等。作为上述双酚型氰酸酯树脂,可以举出:双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂及四甲基双酚F型氰酸酯树脂等。
作为上述氰酸酯化合物的市售品,可以举出:酚类酚醛清漆型氰酸酯树脂(Lonza Japan株式会社制造“PT-30”及“PT-60”)、及双酚型氰酸酯树脂三聚化而成的预聚物(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”、“BA-3000S”、“BTP-1000S”及“BTP-6020S”)等。
上述氰酸酯化合物的分子量优选为3000以下。此时,可以使多层绝缘膜中的无机填充材料的含量增多,即使无机填充材料的含量多,也可得到流动性高的多层绝缘膜。
通过使用上述酚类化合物,使固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步提高。另外,通过使用上述酚类化合物,例如在对固化物表面上的铜布线的表面进行黑化处理或Cz处理时,使固化物与铜布线之间的粘接强度更进一步提高。
上述酚类化合物没有特别限定。作为该酚类化合物,可使用现有公知的酚类化合物。上述酚类化合物可以仅单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述酚类化合物,可以举出:酚醛清漆型酚类、联苯酚型酚类、萘型酚类、二环戊二烯型酚类、芳烷基型酚类及二环戊二烯型酚类等。
作为上述酚类化合物的市售品,可以举出:酚醛清漆型酚(DIC株式会社制造“TD-2091”)、联苯清漆型酚(明和化成株式会社制造“MEH-7851”)、芳烷基型酚化合物(明和化成株式会社制造“MEH-7800”)、以及具有氨基三嗪骨架的酚(DIC株式会社制造“LA1356”及“LA3018-50P”)等。
从更进一步提高固化物与金属布线之间的粘接强度,且在固化物的表面形成更加微细的布线的观点考虑,上述酚类化合物优选为联苯清漆型酚化合物或芳烷基型酚化合物。从更进一步减小固化物表面的表面粗糙度的观点考虑,上述酚类化合物优选具有2个以上的酚性羟基。
上述活性酯化合物没有特别限定。作为上述活性酯化合物的市售品,可以举出:DIC株式会社制造“HPC-8000”、“HPC-8000-65T”及“EXB9416-70BK”等。
从更进一步提高固化物和金属布线的粘接强度,且在固化物的表面形成更加微细的布线,且通过热固化剂赋予良好的绝缘可靠性的观点考虑,上述热固化剂优选含有当量为250以下的热固化剂。上述热固化剂的当量例如在热固化剂为氰酸酯化合物的情况下表示氰酸酯基当量,在热固化剂为酚类化合物的情况下表示酚性羟基当量,在热固化剂为活性酯化合物的情况下表示活性酯基当量。
在上述热固化剂的总量100重量%中,当量为250以下的热固化剂的含量优选为30重量%以上,更优选为50重量%以上。上述热固化剂的总量可以为当量为250以下的热固化剂。若当量为250以下的热固化剂的含量为上述下限以上,则可在绝缘层的表面形成更加微细的布线。而且,若当量为250以下的热固化剂的含量为上述下限以上,则使固化物的玻璃化温度更进一步增高。
上述热固化剂的分子量优选为1000以下。此时,即使上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层中除去溶剂的成分100重量%中无机填充材料的各含量为40重量%以上,也可得到流动性高的树脂组合物。
上述热固性树脂与上述热固化剂的配合比没有特别限定。上述热固性树脂与热固化剂的配合比可根据热固性树脂和热固化剂的种类适宜确定。
在上述成分A的100重量%中,上述热固性树脂和上述热固化剂的总量优选为75重量%以上,更优选为80重量%以上,且优选为99重量%以下,更优选为97重量%以下。
[光反应性树脂(光反应性化合物)(光反应性成分)]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有光反应性树脂。上述光反应性树脂没有特别限定。上述光反应性树脂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述光反应性树脂,可以举出:聚苯并噁唑树脂等。可以使用其以外的光反应性树脂。
另外,在考虑组合使用光固化和热固化的情况下,可以使用环氧树脂等热固性树脂,以及具有热固化的官能团且具有下述结构的固化剂,即,在UV等光照射下,在照射的部分和未照射的部分使溶解性在接下来的显影工序中产生差异的结构。作为这样的材料,例如可以举出DIC株式会社制造的“V-8000”等。
[光反应引发剂(光反应性成分、感光剂)]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层分别不含或含有光反应引发剂。上述光反应引发剂没有特别限定。上述光反应引发剂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述光反应引发剂,可以举出二叠氮萘醌化合物等。可以使用其以外的光反应引发剂。例如在使用上述DIC株式会社制造“V-8000”的情况下,通过使用光反应引发剂可促进UV照射中的树脂的结构变化。作为显现这样的性质的光反应引发剂,例如可以举出:邻重氮萘醌(ジアゾナフトキン)(东洋合成工业株式会社制“PC-5”)等。
另外,作为上述光反应性树脂,可以使用含有光反应引发剂的材料。作为这样的材料,例如可以举出住友Bakelite株式会社制“CRC-8800”等。
上述光反应引发剂的含量没有特别限定。以适宜的量使用上述光反应引发剂,使光反应性树脂适度地反应。在上述成分A的100重量%中,上述光反应性树脂和上述光反应引发剂的总含量优选为75重量%以上,更优选为80重量%以上。另外,只要采用光固化类和热固化类,就没有限定。
[无机填充材料]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层分别不含或含有无机填充材料。上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有无机填充材料。通过上述多层绝缘膜含有无机填充材料,使固化物的热线膨胀率降低,且使固化物与金属布线之间的粘接强度有效地得到提高。上述无机填充材料没有特别限定。上述无机填充材料可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述无机填充材料,可以举出:二氧化硅、滑石、粘土、云母、水滑石、氧化铝、氧化镁、氢氧化铝、氮化铝及氮化硼等。
从更进一步提高固化物和金属布线的粘接强度,且在固化物的表面形成更加微细的布线,且通过固化物赋予良好的绝缘可靠性的观点考虑,上述无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝,更优选为二氧化硅,进一步优选为熔融二氧化硅。通过使用二氧化硅使固化物的热线膨胀率更进一步降低,且使固化物与金属布线之间的粘接强度有效地提高。二氧化硅的形状优选为大致球状。
上述无机填充材料的平均粒径优选为10nm以上,更优选为50nm以上,进一步优选为150nm以上,且优选为20μm以下,更优选为10μm以下,进一步优选为5μm以下,特别优选为1μm以下。若上述无机填充材料的平均粒径为上述下限以上及上述上限以下,则通过粗化处理或除胶渣处理等所形成的孔的大小变得微细,孔的数量变多。其结果,使固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步提高。但是,在利用光反应的情况下,无机填充材料的平均粒径有时优选小于照射的光的波长。
作为上述无机填充材料的平均粒径,可采用为50%的中值径(d50)的值。上述平均粒径可使用激光衍射散射方式的粒度分布测定装置测定。
上述无机填充材料优选为球状,更优选为球状二氧化硅。此时,固化物与金属布线之间的粘接强度有效地得到提高。在上述无机填充材料为球状的情况下,上述无机填充材料的长宽比优选为2以下,更优选为1.5以下。
上述无机填充材料优选进行表面处理,更优选通过偶联剂进行表面处理。由此,固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步得到提高,且在固化物的表面形成更加微细的布线,且对固化物赋予更加良好的布线间绝缘可靠性及层间绝缘可靠性。
作为上述偶联剂,可以举出:硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂及铝偶联剂等。作为上述硅烷偶联剂,可以举出:甲基丙烯酸硅烷、丙烯酸硅烷、氨基硅烷、咪唑硅烷、乙烯基硅烷及环氧硅烷等。
在上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层中上述除去溶剂的成分100重量%中,上述无机填充材料的含量优选为25重量%以上,更优选为30重量%以上,进一步优选为40重量%以上,特别优选为50重量%以上,且优选为90重量%以下,更优选为85重量%以下,进一步优选为80重量%以下。若上述无机填充材料的含量为上述下限以上及上述上限以下,则固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步得到提高,且在固化物表面形成更加微细的布线,同时,若为该无机填充材料的量,也可降低金属铜以及固化物的热线膨胀率。
[热塑性树脂]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层分别不含或含有热塑性树脂。上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有热塑性树脂。该热塑性树脂没有特别限定。上述热塑性树脂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述热塑性树脂,可以举出:酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、橡胶成分及有机填料等。上述热塑性树脂特别优选为苯氧基树脂。通过使用该苯氧基树脂可调整熔融粘度,因此,无机填充材料的分散性变得良好,且在固化过程中多层绝缘膜不易在非目的性的区域中润湿扩散。另外,通过使用热塑性树脂,可对多层绝缘膜相对于电路基板的孔或凹凸的嵌入性发生劣化及无机填充材料的不均匀化进行抑制。
作为上述苯氧基树脂,例如可以举出具有下述骨架的苯氧基树脂等:具有双酚A型的骨架、双酚F型的骨架、双酚S型的骨架、联苯骨架、酚醛清漆骨架、萘骨架及酰亚胺骨架等骨架。
作为上述苯氧基树脂的市售品,例如可以举出:新日铁住金化学株式会社制造的“YP50”、“YP55”及“YP70”、以及三菱化学株式会社制造的“1256B40”、“4250”、“4256H40”、“4275”、“YX6954BH30”及“YX8100BH30”等。
上述热塑性树脂的重均分子量优选为5000以上且优选为100000以下。上述重均分子量表示通过凝胶渗透色谱法(GPC)测得的以聚苯乙烯计的重均分子量。
上述热塑性树脂的含量没有特别限定。在上述成分A的100重量%中,上述热塑性树脂的含量(在热塑性树脂为苯氧基树脂的情况下为苯氧基树脂的含量)优选为1重量%以上,更优选为5重量%以上,且优选为30重量%以下,更优选为20重量%以下,更进一步优选为15重量%以下。若上述热塑性树脂的含量为上述下限以上及上述上限以下,则使固化物的热线膨胀率更进一步降低。另外,多层绝缘膜相对于电路基板的孔或凹凸的嵌入性变得良好。若上述热塑性树脂的含量为上述下限以上,则多层绝缘膜的成膜性提高,可得到更加良好的固化物。若上述热塑性树脂的含量为上述上限以下,则固化物与金属布线之间的粘接强度更进一步提高。
[固化促进剂(热固性成分)]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层分别不含或含有固化促进剂。上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层优选分别含有固化促进剂。通过使用上述固化促进剂使固化速度进一步加速。通过使多层绝缘膜迅速固化使固化物中的交联结构变得均匀,同时未反应的官能团数减少,结果交联密度提高。另外,通过使第1绝缘层中的固化促进剂的含量多于第2绝缘层中的固化促进剂的含量,即使在相同的树脂体系中,也可以在同一固化(加热)条件下,在第1绝缘层、第2绝缘层对到达某一交联度的速度,即,到达某一固化度的速度赋予差异。通过利用上述差异可在预固化的阶段使第1绝缘层的固化度高于第2绝缘层的固化度。上述固化促进剂没有特别限定。上述固化促进剂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述固化促进剂,例如可以举出:咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有机金属化合物等。
作为上述咪唑化合物,可以举出:2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪异三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑异三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑异三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羟基甲基咪唑等。
作为上述磷化合物,可以举出三苯基膦等。
作为上述胺化合物,可以举出:二乙基胺、三乙基胺、二乙四胺、三乙四胺及4,4-二甲基氨基吡啶等。
作为上述有机金属化合物,可以举出:环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、双乙酰丙酮钴(II)及三乙酰丙酮钴(III)等。
上述固化促进剂的含量没有特别限定。在上述成分A的100重量%中,上述固化促进剂的含量优选为0.01重量%以上,且优选为3重量%以下。若上述固化促进剂的含量为上述下限以上及上述上限以下,则多层绝缘膜有效地固化。
[溶剂]
上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层分别不含或含有溶剂。通过使用上述溶剂可将树脂组合物的粘度控制在优选的范围,可以提高树脂组合物的涂敷性。另外,上述溶剂可以用于得到含有上述无机填充材料的浆料。上述溶剂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。
作为上述溶剂,可以举出:丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲酰胺、甲基异丁基酮、N-甲基-吡咯烷酮、正己烷、环己烷、环己酮及为混合物的石脑油等。
上述溶剂的大多数优选在使上述树脂组合物或绝缘层固化前或固化时除去。因此,上述溶剂的沸点优选为200℃以下,更优选为180℃以下。上述树脂组合物中的上述溶剂的含量没有特别限定。考虑树脂组合物的涂敷性等,上述溶剂的含量可适宜变更。
[其它的成分]
以改善耐冲击性、耐热性、树脂的相容性及作业性等为目的,可以在上述树脂组合物及上述第1绝缘层、第2绝缘层中分别添加阻燃剂、偶联剂、着色剂、抗氧化剂、抗紫外线劣化剂、消泡剂、增稠剂、触变性赋予剂及各种波长的吸收剂等。
作为上述偶联剂,可以举出:硅烷偶联剂、钛偶联剂及铝偶联剂等。作为上述硅烷偶联剂,可以举出:乙烯基硅烷、氨基硅烷、咪唑硅烷及环氧硅烷等。
上述偶联剂的含量没有特别限定。在上述成分A100重量%中,上述偶联剂的含量优选为0.01重量%以上,且优选为5重量%以下。
作为上述各种波长的吸收剂,可以举出紫外线吸收剂等。上述紫外线吸收剂可以适宜选择具有对应于使用的紫外线激光的波长的吸收带的紫外线吸收剂。作为上述紫外线吸收剂,可以举出:氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物等。例如,优选在200~380nm的紫外线波长区域具有吸收的紫外线吸收剂,特别优选在300~320nm的紫外线波长区域具有吸收极大的紫外线吸收剂。
上述氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物在300nm附近具有吸收极大,因此通过使用上述氰基丙烯酸酯化合物或二苯甲酮化合物可以提高固化物的紫外线激光加工性。氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物优选为在溶剂中溶解性好的化合物。但是,优选不使用含有可能使电绝缘性劣化的程度的氯的化合物。
上述紫外线吸收剂可以单独用1种,也可以组合使用2种以上。相对于热固性树脂和固化剂总量的100重量份,上述紫外线吸收剂的含量优选为0.5重量份以上,更优选为1重量份以上,进一步优选为2.5重量份以上,且优选为50重量份以下,更优选为30重量份以下,进一步优选为10重量份以下。若上述紫外线吸收剂的含量为上述下限以上,则槽的加工性变得更加良好。若上述紫外线吸收剂的含量为2.5重量份以上,则槽的加工性显著得到提高。若上述紫外线吸收剂的含量为上述上限以下,则固化物的机械物性及电特性变得更加良好。
[多层绝缘膜的其它的详细内容]
作为将上述树脂组合物成形为膜状的方法,例如可以举出:使用挤出机对树脂组合物进行熔融混炼,进行了挤出后,通过T型模头或圆形模头等成形为膜状的挤出成形法;使树脂组合物溶解或分散在溶剂中后,浇铸而成形为膜状的浇铸成形法;以及现有公知的其它的膜成形法等。其中,从可对应于薄型化的方面考虑,优选挤出成形法或浇铸成形法。膜包括片材。该膜为具有第1绝缘层、第2绝缘层的多层绝缘膜。作为多层化的方法,例如可以举出:以热辊层压机等对分别成形的2个膜进行贴合的方法、在涂敷及挤出时同时或者逐步成形膜来成形多层绝缘膜的方法、以及现有公知的其它的多层绝缘膜成形法等。其中,从可在上述膜成形法中连动的方面考虑,优选多层挤出成形法或多层浇铸成形法。
将上述树脂组合物成形为膜状,例如,在不过于进行利用热的固化的程度下,在90~200℃下加热干燥1~180分钟,可以得到B阶段膜。
将可以通过如上所述的干燥工序得到的膜状的树脂组合物称为B阶段膜。上述B阶段膜为处于半固化状态的半固化物。半固化物未完全固化,固化可进一步进行。
上述B阶段膜可以为预浸料坯。特别是在仅将第1绝缘层设为预浸料坯的情况下,在以激光等选择性地对第2绝缘层进行切削时,有无玻璃纤维成为切削容易度的差异。上述B阶段膜可以不是预浸料坯。
上述多层绝缘膜可以在一个表面或两个表面叠层基材,在叠层膜的状态下使用。上述叠层膜优选具备上述多层绝缘膜和叠层在上述多层绝缘膜的一个表面或两个表面的基材。
作为上述叠层膜的上述基材,可以举出:聚对苯二甲酸乙二醇酯膜及聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯树脂膜、聚乙烯膜及聚丙烯膜等烯烃树脂膜、聚酰亚胺树脂膜、铜箔及铝箔等金属箔等。上述基材的表面可以根据需要实施脱模处理、抗静电处理或印刷等表面处理。
下面,通过举出实施例对本发明具体地进行说明。本发明不限定于以下的实施例。
(热固性树脂)
(1)双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制造“850-S”、环氧当量187、固体成分100重量%)
(2)联苯型环氧树脂含有液(日本化药株式会社制造“NC-3000-FH-75M”、环氧当量330、含有固体成分75重量%和甲基乙基酮25重量%)
(3)联苯型环氧树脂(日本化药株式会社制“NC-3000”、环氧当量275、固体成分100重量%)
(固化剂)
(1)氰酸酯固化剂含有液(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”、氰酸酯当量235、含有固体成分75重量%和甲基乙基酮25重量%)
(2)聚酰亚胺固化剂含有液(DIC株式会社制造“V-8000”、含固体成分40重量%和乙二醇乙酸酯60重量%)
(固化促进剂)
(1)咪唑化合物(2-苯基-4甲基咪唑、四国化成工业株式会社制“2P4MZ”)
(热塑性树脂)
(1)含苯氧基树脂液体(三菱化学株式会社制造“YX6954BH30”、含固体成分30重量%、甲基乙基酮35重量%及环己酮35重量%)
(光反应性树脂)
(1)正型感光性聚苯并噁唑树脂(住友Bakelite株式会社制造“CRC-8800”、含有固体成分50重量%和γ-丁内酯50重量%)
(2)DNQ邻重氮萘醌(东洋合成工业株式会社制造“PC-5”、固体成分100重量%)
(紫外线吸收剂)
(1)氰基丙烯酸酯化合物(BASF株式会社制造“Uvinul3035”)
(无机填充材料)
(1)球状二氧化硅1(将Admatechs株式会社制造“SOC2”以具有N-苯基-3-氨基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-573”)进行表面处理而成的球状二氧化硅、平均粒子径0.5μm)
(2)球状二氧化硅2(将Admatechs株式会社制造“SOC1”以具有3-环氧丙氧基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-403”)进行表面处理而成的球状二氧化硅、平均粒子径0.25μm)
(3)球状二氧化硅3(将Admatechs株式会社制造“YC100C”以甲基丙烯酸硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-503”)进行表面处理而成的球状二氧化硅、平均粒子径0.10μm)
(溶剂)
(1)溶剂(CHN、环己酮、和光纯药工业株式会社制造“037-05096”)
(2)溶剂(MEK、甲基乙基酮、和光纯药工业株式会社制造“592-37021”)
(实施例1)
为了得到实施例1的第1绝缘层,制备下述的第1树脂组合物清漆。在氰酸酯固化剂含有液(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”)7.4重量份中混合双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制造“850-S”)7.8重量份、联苯型环氧树脂含有液(日本化药株式会社制造“NC-3000-FH-75M”)8.7重量份、咪唑化合物(四国化成工业株式会社制造“2P4MZ”)0.3重量份、苯氧基树脂含有液(三菱化学株式会社制造“YX6954BH30”)8.2重量份、球状二氧化硅1(将Admatechs株式会社制造“SOC2”以具有N-苯基-3-氨基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-573”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)38.1重量份、球状二氧化硅2(将Admatechs株式会社制造“SOC1”以具有3-环氧丙氧基丙基的硅烷偶联剂(以信越化学工业株式会社制造“KBM-403”进行表面处理而成的球状二氧化硅)6.5重量份、以及环己酮(和光纯药工业株式会社制造“037-05096”)23.0重量份,在常温下搅拌至成为均匀的溶液,得到第1树脂组合物清漆。
为了得到实施例1的第2绝缘层,制备下述的第2树脂组合物清漆。在氰酸酯固化剂含有液(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”)11.9重量份中混合双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制造“850-S”)12.6重量份、联苯型环氧树脂含有液(日本化药株式会社制造“NC-3000-FH-75M”)14.0重量份、咪唑化合物(四国化成工业株式会社制造“2P4MZ”)0.5重量份、苯氧基树脂含有液(三菱化学株式会社制造“YX6954BH30”)13.1重量份、球状二氧化硅1(将Admatechs株式会社制造“SOC2”以具有N-苯基-3-氨基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-573”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)26.2重量份、球状二氧化硅2(将Admatechs株式会社制造“SOC1”以具有3-环氧丙氧基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-403”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)5.2重量份、以及环己酮(和光纯药工业株式会社制造“037-05096”)16.5重量份,在常温下进行搅拌直到成为均匀的溶液,得到第2树脂组合物清漆。
使用涂布器将得到的第1树脂组合物清漆、第2树脂组合物清漆分别各自涂敷到PET膜(东丽株式会社制造“XG284”、厚度25μm)的脱模处理面上,然后,在100℃的吉尔老化恒温箱(ギアオーブン)内干燥2分钟,使溶剂挥发。如上所述,在PET膜上分别得到厚度为15μm、溶剂的残留量为1.0重量%以上且4.0重量%以下的片状的成形体作为第1绝缘层及第2绝缘层。使用隔膜式真空层压机(名机制作所株式会社制造“MVLP-500”)对得到的2个成形体进行贴合,得到叠层有第1绝缘层和第2绝缘层的多层绝缘膜。
(实施例2~4、比较例1及参考例1)
如下述的表1所示对使用的配合成分的种类及配合量(重量份)进行变更,除此以外,与实施例1同样地得到第1树脂组合物清漆、第2树脂组合物清漆及片状的成形体来而制作多层绝缘膜。
(实施例5)
为了得到实施例1的第1绝缘层,制备下述的第1树脂组合物清漆。在含氰酸酯固化剂液体(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”)11.9重量份中混合双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制造“850-S”)12.6重量份、联苯型环氧树脂含有液(日本化药株式会社制造“NC-3000-FH-75M”)14.0重量份、咪唑化合物(四国化成工业株式会社制造“2P4MZ”)0.5重量份、苯氧基树脂含有液(三菱化学株式会社制造“YX6954BH30”)13.1重量份、球状二氧化硅1(将Admatechs株式会社制造“SOC2”以具有N-苯基-3-氨基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-573”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)26.2重量份、球状二氧化硅2(将Admatechs株式会社制造“SOC1”以具有3-环氧丙氧基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-403”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)5.2重量份、以及环己酮(和光纯药工业株式会社制造“037-05096”)16.6重量份,在常温下进行搅拌直到成为均匀的溶液,得到第1树脂组合物清漆。
为了得到实施例1的第2绝缘层,制备下述的第2树脂组合物清漆。在氰酸酯固化剂含有液(Lonza Japan株式会社制造“BA-230S”)3.2重量份中,混合双酚A型环氧树脂(DIC株式会社制造“850-S”)3.3重量份、联苯型环氧树脂含有液(日本化药株式会社制造“NC-3000-FH-75M”)3.8重量份、咪唑化合物(四国化成工业株式会社制造“2P4MZ”)0.1重量份、正型感光性聚苯并噁唑树脂(住友Bakelite株式会社制造“CRC-8800”)47.4重量份、球状二氧化硅1(将Admatechs株式会社制“SOC2”以具有N-苯基-3-氨基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-573”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)23.7重量份、球状二氧化硅2(将Admatechs株式会社制造“SOC1”以具有3-环氧丙氧基丙基的硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制造“KBM-403”)进行表面处理而成的球状二氧化硅)4.2重量份、以及环己酮(和光纯药工业株式会社制造“037-05096”)14.2重量份,在常温下进行搅拌直到成为均匀的溶液,得到第2树脂组合物清漆。
使用涂布器将得到的第1、第2树脂组合物清漆分别各自涂敷到PET膜(东丽株式会社制造“XG284”、厚度25μm)的脱模处理面上后,在100℃的吉尔老化恒温箱内干燥2分钟,使溶剂挥发。如上所述,在PET膜上分别得到厚度为15μm、溶剂的残留量为1.0重量%以上且4.0重量%以下的片状的成形体作为第1绝缘层及第2绝缘层。使用隔膜式真空层压机(名机制作所株式会社制造“MVLP-500”)对得到的2个成形体进行贴合而得到叠层有第1绝缘层和第2绝缘层的多层膜。
(实施例6、比较例2及参考例2)
如下述的表2所示对使用的配合成分的种类及配合量(重量份)进行变更,除此以外,与实施例5同样地得到第1树脂组合物清漆、第2树脂组合物清漆及片状的成形体而制作多层绝缘膜。
(评价基板的制作)
叠层板的底层处理:
将通过蚀刻形成了内层电路的玻璃环氧基板(利昌工业株式会社制造“CS-3665”)的两面浸渍于铜表面粗化剂(MEC株式会社制造“Mec Etch BondCZ-8100”)对铜表面进行粗化处理。
层压:
对得到的多层绝缘膜进行固定,使其与第1绝缘层进行了底层处理的上述玻璃环氧基板相接,使用隔膜式真空层压机(名机制作所株式会社制造“MVLP-500”)进行贴合(层压)。层压通过减压20秒钟将气压设为13hPa以下,然后在100℃、压力0.8MPa下压制20秒钟来进行。
多层绝缘膜的固化:
接着,在实施例1~4、比较例1、2及参考例1、2中,在150℃及60分钟的固化条件下使片状的成形体固化得到叠层样品。在实施例5中,在120℃及4分钟的固化条件下使片状的成形体固化得到叠层样品。在实施例6中,不进行热固化得到叠层样品。
槽的形成:
关于实施例1~4及比较例1、2,用紫外线激光加工机(日立Via Mechanics株式会社制造)从第2绝缘层侧以波长355nm、脉冲频率30kHz、输出0.04mJ、发射数10对上述多层绝缘膜照射激光,以布线间距离20μm形成宽度20μm、深度15μm(=第2绝缘层的厚度)的槽,形成电路图案的槽。
关于实施例5,在下述条件下进行曝光、显影,以布线间距离20μm形成宽度20μm、深度15μm(=第2绝缘层的厚度)的槽,然后在150℃及60分钟的固化条件使其固化。
曝光/显影条件如下设定。
显影液:TMAH(氢氧化四甲基铵)水溶液、洗液:纯水、曝光:354nm紫外线照射200mJ/cm2、显影:浸置式50秒钟
关于实施例6,在下述条件下进行曝光、显影,以布线间距离20μm形成宽度20μm、深度15μm(=第2绝缘层的厚度)的槽,然后在170℃及30分钟的固化条件下使其固化。
曝光/显影条件如下设定。
显影液:TMAH(氢氧化四甲基铵)、洗液:纯水、曝光:354nm紫外线照射500mJ/cm2、显影:浸置式180秒钟(50℃)
除胶渣/粗化处理:
在实施例1~6及比较例1、2中,在60℃的溶胀液(含有Atotech Japan株式会社制造“Swelling Dip Securigant P”和和光纯药工业株式会社制造“sodiumhydroxide”的水溶液)中放入形成有槽的上述叠层样品,在溶胀温度60℃下摇动20分钟。然后,用纯水清洗。
在80℃的过锰酸钠粗化水溶液(Atotech Japan株式会社制造“ConcentrateCompact CP”、和光纯药工业株式会社制造“sodium hydroxide”)中放入溶胀处理过的上述叠层样品,在粗化温度80℃下摇动20分钟。然后,通过40℃的清洗液(Atotech Japan株式会社制造“Reduction Securigant P”、和光纯药工业株式会社制“sulfuric acid”)清洗10分钟后,用纯水进一步清洗。如上所述,对固化物的表层及电路图案槽的内面进行除胶渣/粗化处理。
敏化处理处理:
关于实施例1~6及比较例1、2,以60℃的碱清洁液(Atotech Japan株式会社制造“Cleaner Securigant 902”)对除胶渣/粗化处理过的固化物的表面进行处理5分钟,脱脂清洗。清洗后,以25℃的预浸液(Atotech Japan株式会社制造“Predip Neogant B”)处理上述固化物2分钟。然后,以40℃的活化液(AtotechJapan株式会社制造“Activator Neogant 834”)处理上述固化物5分钟,赋予钯催化剂。接着,通过30℃的还原液(Atotech Japan株式会社制造“ReducerNeogant WA”)处理固化物5分钟。
镀敷处理:
接着,关于实施例1~6及比较例1、2,将上述固化物放入化学铜液(全部为Atotech Japan株式会社制造,“Basic Printganth MSK-DK”、“CopperPrintganth MSK”、“Stabilizer Printganth MSK”、“Reducer Cu”)中,实施无电解镀敷直至镀敷厚度为0.5μm左右。无电解镀敷后,为了除去残留的氢气,在120℃的温度下实施退火30分钟。无电解镀的工序之前的全部的工序以烧杯规模将处理液设为2L,一边摇动固化物一边实施。
接着,对无电解镀敷处理过的固化物实施电镀直至填满电路图案槽。作为电解镀铜,使用硫酸铜溶液(和光纯药工业株式会社制造“硫酸铜五水合物”、和光纯药工业株式会社制造“sulfuric acid”、Atotech Japan株式会社制造“Basicleveler cupracid HL”、Atotech Japan株式会社制“correction agent cupracid GS”),流通0.6A/cm2的电流并实施电镀直至镀敷厚度为25μm左右。进行铜镀敷处理后,在190℃下加热固化物2小时,使固化物进一步固化。仅实施例5,在这之后进一步在270℃下使其固化30分钟。另外,仅实施例6后,进一步在200℃下使其固化2小时。如上所述,得到将镀铜层叠层在上表面而成的固化物。
图案形成:
关于实施例1~6及比较例1、2,对形成的镀铜层中的处于图案槽内以外的铜进行抛光,在此基础上,以上述层压的方法贴合多层绝缘膜并使第1绝缘层朝向基板侧,在150℃及60分钟、接着190℃下2小时的固化条件下进行固化,得到评价基板。
需要说明的是,关于参考例1、2,在上述多层绝缘膜的固化后的工序中进行通常的半添加技术(SAP),由此,与实施例1~6及比较例1、2同样地得到形成了线宽20μm、高度15μm、布线间距离20μm的槽的评价基板。
(评价)
1)电绝缘性
使用得到的评价基板施加6V的电压100小时,以绝缘电阻计测定绝缘率A。并且,在130℃、湿度85%的环境下施加6V的电压100小时,以绝缘电阻计测定绝缘率B。并且,将施加电压后的样品切断,通过显微镜观察剖面来评价电极间是否产生迁移。将B相对于A保持75%以上的值且未产生迁移的情况评价为良好(○),将B相对于A低于75%或产生迁移的情况评价为不良(×)。
2)图案形成性(槽深度的评价)
在上述电绝缘性的迁移评价时进行样品的剖面观察时,对铜图案的底部从第1绝缘层和第2绝缘层的交界线开始沿厚度方向(上下方向)离开的距离进行测量。观察10处的图案剖面,将离开的距离均为±1.5μm以内的情况评价为良好(○),将离开的距离的至少1个超过±1.5μm但离开的距离均在±2.0μm以内的情况评价为可使用(△),将离开的距离的至少1个超过±2.0μm的情况评价为不良(×)。
但是,关于参考例1、2,由于在基板结构上在上述中无法进行评价,因此,图案形成后,对其上层压的多层绝缘膜进行除胶渣,以与上述同样的标准对其上面(第2绝缘层的上面)和图案的上面的位置进行评价。
3)波动
在得到的评价基板中,以表面粗糙度计(Mitutoyo株式会社制“SJ-301”)对基板上面图案引起的波动(undulation)进行测定。将测定值的最大值与最小值之差为1.0μm以下的情况评价为良好(○),将超过1.0μm且为2.0μm以下的情况评价为可使用(△),将超过2.0μm的情况评价为不良(×)。
需要说明的是,关于表1中的预固化后Tg(玻璃化温度),表示在与预固化相同的条件(150℃、60分钟)下使得到的单独的多层绝缘膜固化,使用锉刀分别从第1绝缘层、第2绝缘层削去树脂,使用得到的粉末通过示差扫描热量计(DSC TA株式会社制“Q2000”)测得的值。
将结果示于下述的表1、2。在配合成分的栏中示出用于形成第1绝缘层、第2绝缘层中第1树脂组合物清漆、第2树脂组合物清漆的组成。
Claims (15)
1.一种多层基板的制造方法,
其使用多层绝缘膜,该多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层,所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽,
所述制造方法包括如下工序:
在电路基板的表面上叠层所述多层绝缘膜;
将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽;
在形成于所述绝缘层的所述槽内形成金属布线。
2.如权利要求1所述的多层基板的制造方法,其中,
在将所述第2绝缘层的局部除去时,对所述第2绝缘层进行切削或溶解。
3.如权利要求1或2的多层基板的制造方法,其中,
在将所述第2绝缘层的局部除去时,使所述第1绝缘层比所述第2绝缘层更硬。
4.如权利要求1~3中任一项所述的多层基板的制造方法,其中,
所述多层绝缘膜是如下的多层绝缘膜:在从所述第2绝缘层侧进行激光直接图案化时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地除去,
通过从所述第2绝缘层侧对所述多层绝缘膜进行激光直接图案化,将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层的局部选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
5.如权利要求1~4中任一项所述的多层基板的制造方法,其中,
在将所述第2绝缘层的局部除去时,使所述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于所述第2绝缘层中树脂成分的交联度,或者,
使所述第1绝缘层中无机填充材的含量多于所述第2绝缘层中无机填充材的含量。
6.如权利要求1~5中任一项所述的多层基板的制造方法,其中,
使用多层绝缘膜,其中的所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解从而选择性地除去,在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽,
在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽的工序中,将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性地溶解,而将所述第2绝缘层的局部除去,
能够在多层绝缘膜的状态下仅使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层之一固化,或者在曝光后的显影中所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中,或者能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去。
7.如权利要求6所述的多层基板的制造方法,其中,
所述多层绝缘膜能够在多层绝缘膜的状态下仅使所述第1绝缘层和所述第2绝缘层之一固化。
8.如权利要求6所述的多层基板的制造方法,其中,
在曝光后的显影中,所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层能够局部地溶解于显影液中。
9.如权利要求6所述的多层基板的制造方法,其中,
在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够通过照射激光将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层溶解而除去。
10.一种多层绝缘膜,其用于形成具有槽的绝缘层,所述多层绝缘膜具有第1绝缘层和叠层于所述第1绝缘层的一个表面上的第2绝缘层,
所述第2绝缘层如下构成:在将所述第2绝缘层的局部除去时,能够将所述第1绝缘层和所述第2绝缘层中的仅所述第2绝缘层选择性除去,从而在得到的绝缘层上形成深度为所述第2绝缘层厚度的槽。
11.如权利要求10所述的多层绝缘膜,其中,
在将所述第2绝缘层的局部除去时,可以对所述第2绝缘层进行切削或溶解。
12.如权利要求10或11所述的多层绝缘膜,其中,
所述第1绝缘层比所述第2绝缘层硬。
13.如权利要求10~12中任一项所述的多层绝缘膜,其中,
所述第1绝缘层中树脂成分的交联度高于所述第2绝缘层中树脂成分的交联度,或者所述第1绝缘层中无机填充材料的含量多于所述第2绝缘层中无机填充材料的含量。
14.如权利要求10~13中任一项所述的多层绝缘膜,其用于在多层基板中的电路基板上形成绝缘层。
15.一种多层基板,其包括:
电路基板、
配置于所述电路基板上且具有槽的绝缘层、
形成于所述槽内的金属布线,
所述绝缘层使用权利要求10~14中任一项所述的多层绝缘膜形成。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012214535 | 2012-09-27 | ||
JP2012-214535 | 2012-09-27 | ||
JP2012214534 | 2012-09-27 | ||
JP2012-214534 | 2012-09-27 | ||
PCT/JP2013/075876 WO2014050871A1 (ja) | 2012-09-27 | 2013-09-25 | 多層基板の製造方法、多層絶縁フィルム及び多層基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104685979A true CN104685979A (zh) | 2015-06-03 |
CN104685979B CN104685979B (zh) | 2018-11-16 |
Family
ID=50388266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380050669.5A Active CN104685979B (zh) | 2012-09-27 | 2013-09-25 | 多层基板的制造方法、多层绝缘膜及多层基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9888580B2 (zh) |
JP (2) | JP6182534B2 (zh) |
KR (1) | KR20150063370A (zh) |
CN (1) | CN104685979B (zh) |
TW (1) | TWI645749B (zh) |
WO (1) | WO2014050871A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107231757A (zh) * | 2016-03-23 | 2017-10-03 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 软性电路板及其制作方法 |
CN110741445A (zh) * | 2017-06-27 | 2020-01-31 | 京瓷株式会社 | 有机绝缘体、粘贴金属的层叠板及布线基板 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105264013B (zh) * | 2013-06-03 | 2018-07-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 印刷电路板材料用树脂组合物、以及使用其的预浸料、树脂片、覆金属箔层叠板和印刷电路板 |
US11174402B2 (en) * | 2016-05-18 | 2021-11-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for LDS, resin molded article, and three-dimensional molded interconnect device |
WO2020060265A1 (ko) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 다층인쇄회로기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 장치 |
KR102257926B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2021-05-28 | 주식회사 엘지화학 | 다층인쇄회로기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 장치 |
JP7454394B2 (ja) | 2019-03-28 | 2024-03-22 | 太陽ホールディングス株式会社 | ドライフィルム、硬化物、電子部品、および、ドライフィルムの製造方法 |
DE102019108870A1 (de) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Träger mit verkleinerter Durchkontaktierung |
JPWO2021187453A1 (zh) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356238A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔付き絶縁シート、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 |
JP2005244069A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
WO2008090835A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | Ajinomoto Co., Inc. | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP2009084507A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Hitachi Kasei Polymer Co Ltd | 多層接着フィルム及びそれを用いたカバーレイフィルム、銅箔付き多層接着フィルム |
JP2010153571A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06260763A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
JP2000261147A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
JP4895448B2 (ja) | 2001-09-27 | 2012-03-14 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板 |
JP2005051053A (ja) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波積層部品の製造方法 |
JP4432517B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | 複合多層基板 |
US20100006334A1 (en) | 2008-07-07 | 2010-01-14 | Ibiden Co., Ltd | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
JP2010262954A (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板の製造方法 |
KR20110044369A (ko) | 2009-10-23 | 2011-04-29 | 삼성전기주식회사 | 트렌치기판 및 그 제조방법 |
JP5512562B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-06-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板 |
JP6260763B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2018-01-17 | 三菱自動車工業株式会社 | クランクシャフトの支持構造 |
-
2013
- 2013-09-25 WO PCT/JP2013/075876 patent/WO2014050871A1/ja active Application Filing
- 2013-09-25 US US14/425,496 patent/US9888580B2/en active Active
- 2013-09-25 KR KR1020157005773A patent/KR20150063370A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-09-25 JP JP2014538519A patent/JP6182534B2/ja active Active
- 2013-09-25 CN CN201380050669.5A patent/CN104685979B/zh active Active
- 2013-09-27 TW TW102135160A patent/TWI645749B/zh active
-
2016
- 2016-09-26 JP JP2016187311A patent/JP6326109B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356238A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔付き絶縁シート、多層配線板、及び多層配線板の製造方法 |
JP2005244069A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
WO2008090835A1 (ja) * | 2007-01-23 | 2008-07-31 | Ajinomoto Co., Inc. | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP2009084507A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Hitachi Kasei Polymer Co Ltd | 多層接着フィルム及びそれを用いたカバーレイフィルム、銅箔付き多層接着フィルム |
JP2010153571A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107231757A (zh) * | 2016-03-23 | 2017-10-03 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 软性电路板及其制作方法 |
CN110741445A (zh) * | 2017-06-27 | 2020-01-31 | 京瓷株式会社 | 有机绝缘体、粘贴金属的层叠板及布线基板 |
CN110741445B (zh) * | 2017-06-27 | 2021-05-25 | 京瓷株式会社 | 有机绝缘体、粘贴金属的层叠板及布线基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI645749B (zh) | 2018-12-21 |
JP6326109B2 (ja) | 2018-05-16 |
US9888580B2 (en) | 2018-02-06 |
WO2014050871A1 (ja) | 2014-04-03 |
US20150257277A1 (en) | 2015-09-10 |
KR20150063370A (ko) | 2015-06-09 |
JP6182534B2 (ja) | 2017-08-16 |
CN104685979B (zh) | 2018-11-16 |
TW201417636A (zh) | 2014-05-01 |
JPWO2014050871A1 (ja) | 2016-08-22 |
JP2017011298A (ja) | 2017-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104685979A (zh) | 多层基板的制造方法、多层绝缘膜及多层基板 | |
TWI565589B (zh) | 防焊乾膜之製備方法及使用其之膜積層體 | |
JP6391851B2 (ja) | 層間絶縁材料及び多層プリント配線板 | |
CN104508760B (zh) | 绝缘树脂材料及多层基板 | |
CN108291008B (zh) | 树脂组合物和多层基板 | |
CN108976709A (zh) | 固化性树脂组合物 | |
TWI395787B (zh) | 樹脂組成物、及使用該樹脂組成物之積層樹脂膜 | |
JP2010053334A (ja) | エポキシ系樹脂組成物、プリプレグ、硬化体、シート状成形体、積層板及び多層積層板 | |
JP6167621B2 (ja) | 樹脂組成物、並びに印刷配線板用樹脂フィルム及びその製造方法 | |
JP2018115334A (ja) | エポキシ樹脂材料及び多層基板 | |
CN110382589A (zh) | 树脂材料、叠层膜以及多层印刷布线板 | |
TWI612537B (zh) | 絕緣樹脂膜、預硬化物、積層體及多層基板 | |
JP5752071B2 (ja) | Bステージフィルム及び多層基板 | |
JP6454428B2 (ja) | 硬化体及び多層基板 | |
JP6445816B2 (ja) | 配線板の製造方法、絶縁フィルム及び配線板用絶縁フィルム | |
JP2014208747A (ja) | 樹脂組成物、樹脂フィルム及び多層基板 | |
JP6559520B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂フィルム、積層フィルム及び多層基板 | |
TW201927561A (zh) | 積層膜及印刷佈線板用組合構件 | |
WO2014156734A1 (ja) | 積層体、積層体の製造方法及び多層基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |