CN103789731A - 有机物沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的有机物沉积装置,用于沉积有机物,包括工艺腔室、第一输送轨道、第二输送轨道、至少一个掩模组合体、至少一个基板组合体及至少一个沉积源。所述第一输送轨道及所述第二输送轨道分别配置在所述工艺腔室的内部,所述第二输送轨道与所述第一输送轨道隔开并配置在所述第一输送轨道的上部。所述掩模组合体与所述第一输送轨道结合并沿着所述第一输送轨道输送,所述基板组合体与基板及所述第二输送轨道结合并沿着所述第二输送轨道输送。而且,所述沉积源配置在所述工艺腔室的内部并向所述掩模组合体及所述基板组合体侧提供所述有机物。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机物沉积装置,更为详细地涉及一种通过蒸发法在基板上沉积有机物的有机物沉积装置。
背景技术
在制造有机电致发光显示装置时普遍使用有机物沉积装置。例如,所述有机电致发光显示装置可包括阳极、阴极和设置在这两个电极之间的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。此时,可通过所述有机物沉积装置在基板上沉积有机物,从而形成所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述有机发光层、所述电子传输层及所述电子注入层。
另外,一般来讲在基板上沉积有机物时普遍使用蒸发法(evaporation)。根据所述蒸发法,在腔室内配置有用于加热有机物使之蒸发的沉积源,而且在基板上沉积通过所述沉积蒸发的有机物。然而,所述蒸发法需要在所述腔室的内部空间配置所述基板及掩模,因此由于所述基板及所述掩模的荷载,可能会导致所述掩模外形的变形。所以,随着所述基板大小的增加,所述问题会更加严重,为此正在研究解决该问题的诸多方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机物沉积装置,该装置在基板上有效地沉积有机物,从而更加适合于批量生产。
为了实现本发明的所述目的,本发明的有机物沉积装置包括工艺腔室、第一输送轨道、第二输送轨道、至少一个掩模组合体、至少一个基板组合体及至少一个沉积源。
所述第一输送轨道及所述第二输送轨道分别配置在所述工艺腔室的内部,所述第二输送轨道与所述第一输送轨道隔开并配置在所述第一输送轨道的上部。所述掩模组合体与所述第一输送轨道结合并沿所述第一输送轨道输送,所述基板组合体与所述基板及所述第二输送轨道结合并沿所述第二输送轨道输送。而且,所述沉积源配置在所述工艺腔室的内部并向所述掩模组合体及所述基板组合体侧提供所述有机物。
根据本发明的有机物沉积装置,配置有基板的基板组合体与配置有掩模的掩模组合体隔开,因此在所述基板上沉积有机物时,所述掩模不会受到所述基板的荷载,故能够防止因所述荷载所致的所述掩模外形的变形。所以,使用所述有机物沉积装置能够更加容易地在大型基板上沉积有机物。
而且,根据本发明的有机物沉积装置,在一个工艺腔室内可配置彼此相同或不同的多个沉积源、多个基板组合体及多个掩模组合体,因此能够对配置在所述多个基板组合体的多个基板同时沉积彼此相同或彼此不同的有机物。因此能够缩短有机物沉积工序所需的时间,而且能够更加有效地实现在沉积有机物时所需的装置结构。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的有机物沉积装置的剖视图。
图2是图1所示工艺腔室内部的局部放大立体图。
图3a是图2所示掩模组合体的分解立体图。
图3b是图2所示基板组合体的分解立体图。
图4是本发明的另一实施例的有机膜沉积装置的剖视图。
图5是图4所示掩模组合体的分解立体图。
图6是本发明的又一实施例的有机物沉积装置的剖视图。
图7是本发明的又一实施例的有机物沉积装置的剖视图。
符号说明
10:掩模组合体 50:基板组合体
OM:开放掩模 PM:构图掩模
MC:掩模载体 SB:基板
CK:夹紧部件 SC:基板载体
RL1:第一输送轨道 RL2:第二输送轨道
PC:工艺腔室 C1:第一辅助腔室
C2:第二辅助腔室 DR1:送入口
DR2:送出口 SR:传感部
S1:第一沉积源 100:有机物沉积装置
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施例。通过与附图相关的实施例能够容易理解本发明的所述目的、特征及效果。但是,本发明并不局限于在此说明的实施例,可以以多种形态应用变形。反而,将在后面描述的本发明的实施例是为了更加明确地说明本发明公开的技术思想进而为了向本发明所属领域中具有平均知识的技术人员充分地传递本发明技术思想而提供的。因此,本发明的范围不应解释为仅局限于以下实施例。另外,在以下实施例和附图中的相同的附图标记表示相同的结构要素。
图1是本发明的第一实施例的有机物沉积装置的剖视图,图2是图1所示工艺腔室内部的局部放大立体图。
参照图1及图2,有机物沉积装置100是在基板SB上沉积有机物的装置,在本发明的实施例中所述有机物沉积装置100可用于有机电致发光显示装置的制造。例如,可通过所述有机物沉积装置100在所述基板SB上沉积有机物,从而形成实现所述有机电致发光显示装置的像素的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层及电子传输层。
所述有机物沉积装置100包括工艺腔室PC、第一沉积源S1、第二沉积源S2、第三沉积源S3、第一输送轨道RL1、第二输送轨道RL2、第一辅助腔室C1、第二辅助腔室C2、掩模组合体10及基板组合体50。
所述工艺腔室PC提供执行有机物沉积工序的空间,所述有机物沉积工序为在所述基板SB上沉积从所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供的有机物的工序。在本发明的实施例中,所述有机物沉积工序可应用蒸发法(evaporation),该蒸发法使有机物蒸发,从而在所述基板SB上沉积蒸发的所述有机物。此时,所述工艺腔室PC的内部可保持真空。
所述工艺腔室PC的一侧形成有送入口DR1,所述工艺腔室PC的另一侧形成有送出口DR2,因此,所述掩模组合体10及所述基板组合体50能够通过所述送入口DR1投入到所述工艺腔室PC的内部,而且在所述工艺腔室PC的内部完成所述有机物沉积工序后,所述掩模组合体10及所述基板组合体50能够通过所述送出口DR2从所述工艺腔室PC送出。
所述第一至第三沉积源S1、S2、S3使有机物蒸发并将蒸发的所述有机物向所述掩模组合体10及所述基板组合体50侧提供。在本发明的实施例中,所述第一至第三沉积源S1、S2、S3可在所述工艺腔室PC的内部在所述工艺腔室PC的底面上相互隔开并且沿着第一方向D1排列,而且从所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供的蒸发的所述有机物能够以与所述第一方向D1垂直的第二方向D2为中心向所述掩模组合体10及所述基板组合体50侧移动。
而且,在所述工艺腔室PC的所述底面上可配置有第一隔壁P1及第二隔壁P2。所述第一隔壁P1配置在所述第一及第二沉积源S1、S2之间,第二隔壁P2配置在所述第二及第三沉积源S2、S3之间。因此,在从所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供的有机物向所述掩模组合体10及所述基板组合体50侧移动的期间,能够通过所述第一及第二隔壁P1、P2防止所述有机物的互相混合。
在本实施例中,所述第一至第三沉积源S1、S2、S3可提供彼此不同的有机物。例如,所述有机物沉积装置100用于制造有机电致发光显示装置时,所述第一沉积源S1可提供形成所述有机电致发光显示装置的空穴注入层的有机物,所述第二沉积源S2可提供形成所述有机电致发光显示装置的空穴传输层的有机物,所述第三沉积源S3可提供形成所述有机电致发光显示装置的有机发光层的有机物。
而且,在本实施例中,所述工艺腔室PC配置有所述第一至第三沉积源S1、S2、S3,但所述工艺腔室PC可配置有超过三个的沉积源,而且所述工艺腔室PC也可配置有少于三个的沉积源。
所述第一辅助腔室C1与所述工艺腔室PC的所述送入口DR1相邻配置,所述第二辅助腔室C2与所述工艺腔室PC的所述送出口DR2相邻配置。因此,所述第一辅助腔室C1的内部能够通过所述送入口DR1与所述工艺腔室PC的内部相通,所述第二辅助腔室C2的内部能够通过所述送出口DR2与所述工艺腔室PC的内部相通。
在本发明的实施例中,向所述工艺腔室PC投入之前的所述掩模组合体10及所述基板组合体50可在所述第一辅助腔室C1中等待,在所述工艺腔室PC中完成所述有机物沉积工序的所述掩模组合体10及所述基板组合体50可在所述第二辅助腔室C2中等待。
所述第一输送轨道RL1配置为在所述工艺腔室PC的内部沿着所述第一方向D1延伸并直穿所述工艺腔室PC的内部。所述第一输送轨道RL1与所述掩模组合体10结合并引导所述掩模组合体10的移动。
而且,所述第二输送轨道RL2在所述工艺腔室PC的内部配置在所述第一输送轨道RL1的上部,所述第二输送轨道RL2可沿着所述第一方向D1延伸并与所述第一输送轨道RL1平行。所述第二输送轨道RL2与所述基板组合体50结合并引导所述基板组合体50的移动。
在本发明的实施例中,如上所述,当所述工艺腔室PC的两侧配置有所述第一及第二辅助腔室C1、C2时,所述第一及第二输送轨道RL1、RL2可经过所述送入口DR1及所述送出口DR2进一步向所述第一及第二辅助腔室C1、C2侧延伸。此时,所述掩模组合体10及所述基板组合体50能够通过所述第一及第二输送轨道RL1、RL2依次输送至所述第一辅助腔室C1、所述工艺腔室PC及所述第二辅助腔室C2。
而且,在本发明的实施例中,可提供多个掩模组合体10,并且所述多个掩模组合体10的数量与所述第一至第三沉积源S1、S2、S3的数量相同。此时,由于所述多个掩模组合体具有相同的结构,因此将所述多个掩模组合体中的一个作为示例,并进一步参照图3a进行说明,并且省略对其余掩模组合体的说明。
图3a是图2所示掩模组合体的分解立体图。
参照图1、图2及图3a,掩模组合体10包括开放掩模OM、掩模载体MC及掩模框架MF。所述开放掩模OM形成有与基板SB的单元区域一对一地对应的开口部,而且所述开放掩模OM包括多个支撑部,所述多个支撑部与所述开放掩模OM的边缘部连接以提高所述开放掩模OM的刚性。例如,当所述基板SB具有第一至第三单元区域(图3b的CA1、CA2、CA3)时,所述开放掩模OM形成有一对一地对应所述第一至第三单元区域的第一至第三开口部OP1、OP2、OP3,而且所述开放掩模OM包括配置在所述第一开口部OP1和第二开口部OP2之间的第一支撑部20及配置在所述第二开口部OP2和第三开口部OP3之间的第二支撑部21。
所述掩模框架MF具有包围所述开放掩模OM的所述边缘部的形状,并与所述开放掩模OM的所述边缘部结合。由此,所述开放掩模OM的所述边缘部支撑于所述掩模框架MF,因此能够进一步提高所述开放掩模OM的刚性,而且能够容易操作所述开放掩模OM。
所述掩模载体MC与所述掩模框架MF结合。更为详细地,在所述掩模载体MC中与所述第一至第三开口部OP1、OP2、OP3对应的位置形成有开口部25,所述掩模框架MF能够***于所述开口部25并与所述掩模载体MC结合。因此,如上所述,在与所述开放掩模OM结合的所述掩模框架MF与所述掩模载体MC结合的情况下,在所述开放掩模OM中除所述开放掩模OM的边缘部之外的其余部分能够通过所述开口部25暴露在外部。
而且,所述掩模载体MC与所述第一输送轨道RL1结合。在本发明的实施例中,在所述掩模载体MC中相对的两侧沿着所述第一方向D1并列形成有第一槽H1,在所述第一槽H1能够供所述第一输送轨道RL1的第一突出部30***。因此,能够沿形成有所述第一输送轨道RL1及所述第一槽H1的所述第一方向D1输送所述掩模载体MC。
在本发明的实施例中,也可通过磁浮方式沿着所述第一输送轨道RL1输送所述掩模载体MC。此时,所述掩模载体MC可进一步包括配置在所述第一槽H1内的磁铁部件(未图示),而且在所述第一突出部30可设置有与所述磁铁部件产生斥力的另一磁铁部件。
在本发明的另一实施例中,除了所述磁浮方式外还可通过如驱动辊及驱动链的直线驱动方式沿着所述第一输送轨道RL1输送所述掩模载体MC。例如,当通过所述驱动辊输送所述掩模载体MC时,在所述第一槽H1的内部可配置有与所述第一突出部30的上表面接触并通过驱动部(未图示)驱动的多个输送辊(未图示)。
在本发明的实施例中,可提供多个基板组合体50,所述多个基板组合体50的数量与所述第一至第三沉积源S1、S2、S3的数量及所述掩模组合体10的数量相同。此时,所述多个掩模组合体具有相同的结构,因此将所述多个掩模组合体中的一个作为示例,并进一步参照图3b进行说明,并且省略对其余掩模组合体的说明。
图3b是图2所示基板组合体的分解立体图。
参照图1、图2及图3b,基板组合体50包括基板SB、基板载体SC及夹紧部件CK。如上所述,当开放掩模OM形成有第一至第三开口部(图3a的OP1、OP2、OP3)时,所述基板SB可具有与所述第一至第三开口部OP1、OP2、OP3一对一地对应的第一至第三单元区域CA1、CA2、CA3。
所述基板载体SC与所述基板SB结合。更为详细地,在所述基板载体SC形成有将所述第一至第三单元区域CA1、CA2、CA3暴露在外部的开口部55,而且所述基板载体SC与所述基板SB中除了所述第一至第三单元区域CA1、CA2、CA3外的边缘部结合。
所述夹紧部件CK配置在所述基板载体SC上并夹紧所述基板SB的边缘部。因此,如图2图示,即使所述基板SB配置在所述基板载体SC的下部,从而与所述第一沉积源S1更加接近,也能够通过所述夹紧部件CK防止所述基板SB脱离所述基板载体SC。而且,如前所述,所述工艺腔室PC的内部能够保持真空,因此所述夹紧部件CK可通过静电方式或粘接方式夹紧所述基板SB。
而且,所述基板载体SC与所述第二输送轨道RL2结合。在本发明的实施例中,在所述基板载体SC中彼此相对的两侧沿着所述第一方向D1并列形成有第二槽H2,所述第二槽H2能够供所述第二输送轨道RL2的第二突出部60***。因此,能够沿形成有所述第二输送轨道RL2及所述第二槽H2的所述第一方向D1输送所述基板载体SC。
在本发明的实施例中,也可通过磁浮方式沿着所述第二输送轨道RL2输送所述基板载体SC。此时,所述基板载体SC可进一步包括配置在所述第二槽H2内的磁铁部件(未图示),而且可在所述第二突出部60设置有与所述磁铁部件产生斥力的另一磁铁部件。
而且,在本发明的另一实施例中,除了所述磁浮方式外还可通过如驱动辊及驱动链的直线驱动方式沿着所述第二输送轨道RL2输送所述基板载体SC。
在本发明的实施例中,所述有机物沉积装置100可进一步包括传感部SR,所述传感部SR可配置在所述第一辅助腔室C1。所述传感部SR可感测所述第一输送轨道RL1和所述第二输送轨道RL2之间的第一间隔及/或所述掩模组合体10和所述基板组合体50之间的第二间隔。因此,能够通过与从所述传感部SR提供的所述第一间隔及/或所述第二间隔相关的数据防止所述掩模组合体10和所述基板组合体50互相接触从而在沉积于所述基板SB上的有机物产生划伤或压痕。
另外,根据前述的所述有机物沉积装置100的结构,所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供彼此不同的有机物,与此同时,多个掩模组合体及多个基板组合体能够一对一地对应组成一对并保持排列成行状态,并且沿所述第一方向D1从所述第一辅助腔室C1经过所述工艺腔室PC输送至所述第二辅助腔室C2侧。结果是,分别配置在多个所述基板组合体的所述基板SB上能够依次沉积由所述第一沉积源S1提供的有机物、由所述第二沉积源S2提供的有机物及由所述第三沉积源S3提供的有机物。
因此,在所述工艺腔室PC内,能够在所述基板SB上连续沉积由所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供的彼此不同的有机物。因此,能够容易进行在所述基板SB上沉积所述彼此不同的有机物的有机物沉积工序,而且,所述有机物沉积工序能够同时在一个所述工艺腔室PC内进行,由此能够进一步简化用于执行所述有机物沉积工序的装置结构。
图4是本发明的另一实施例的有机膜沉积装置的剖视图,图5是图4所示掩模组合体的分解立体图。在说明图4及图5之前需要说明的是,对前述参照图1、图2、图3a及图3b说明过的结构要素标注附图标记,并省略对所述结构要素的重复说明。
参照图4及图5,可提供多个掩模组合体11,所述多个掩模组合体11的数量与所述第一至第三沉积源S1、S2、S3的数量及基板组合体50的数量相同。此时,所述多个掩模组合体具有彼此相同的结构,因此将所述多个掩模组合体中的一个作为示例进行说明,并且省略对其余掩模组合体的说明。
所述掩模组合体11包括构图掩模PM、掩模载体MC及掩模框架MF。即在图4及图5所示的实施例中,所述掩模组合体11包括所述构图掩模PM以取代开放掩模(图3a的OM)。
所述构图掩模PM可具有与基板SB的第一至第三单元区域(图3b的CA1、CA2及CA3)一对一地对应的第一至第三掩模图案MP1、MP2、MP3,在所述第一至第三掩模图案MP1、MP2、MP3分别形成有多个微小的开口部。因此,从第一至第三沉积源S1、S2、S3提供的有机物通过所述第一至第三掩模图案MP1、MP2、MP3沉积在所述基板SB上,故所述有机物能够沉积在所述基板SB上的同时通过所述第一至第三掩模图案MP1、MP2、MP3构成图案。
在本发明的实施例中,所述构图掩模PM可为具有所述第一至第三掩模图案MP1、MP2、MP3的金属掩模即所谓的纯金属掩模(fine metal mask)。
根据前述的所述有机物沉积装置101的结构,所述第一至第三沉积源S1、S2、S3提供彼此不同的有机物,与此同时,多个掩模组合体及多个基板组合体可一对一对一地对应组成一对并保持排列成行状态,同时沿所述第一方向D1从所述第一辅助腔室C1经过所述工艺腔室PC输送至所述第二辅助腔室C2侧。结果是,能够在分别配置于多个所述基板组合体的所述基板SB上依次沉积由所述第一沉积源S1提供的第一有机物、由所述第二沉积源S2提供的第二有机物及由所述第三沉积源S3提供的第三有机物,与此同时,所述第一至第三有机物能够通过配置在所述掩模组合体11的所述构图掩模PM构成图案。
图6是本发明的又一实施例的有机物沉积装置的剖视图。在说明图6之前需要说明的是,对于前述参照图1、图2、图3a及图3b说明过的结构要素标注附图标记,并省略对所述组成要素的重复说明。
参照图6,与图1所示的有机物沉积装置(图1的100)不同地,有机物沉积装置102包括提供彼此相同的有机物的多个沉积源。在图6所示的实施例中,所述有机物沉积装置102包括三个第一沉积源S1,所述三个第一沉积源S1可沿第一方向D1依次排列。
根据前述的所述有机物沉积装置102的结构,当三个掩模组合体10及三个基板组合体50一对一地对应组成一对并保持排列成行状态,并向所述工艺腔室PC侧投入,而且所述三个第一沉积源S1分别提供有机物时,能够同时在分别配置在多个所述三个基板组合体50的基板SB上沉积所述有机物。
图7是本发明的又一实施例的有机物沉积装置的剖视图。在说明图7之前需要说明的是,对于前述实施例中已经说明过的结构要素标注附图标记,并省略对所述结构要素的重复说明。
参照图7,与前述参照图4说明的有机物沉积装置(图4的101)不同地,有机物沉积装置103包括提供彼此相同的有机物的沉积源。在图7所示的实施例中,所述有机物沉积装置103包括三个第一沉积源S1,所述三个第一沉积源S1可沿第一方向D1依次排列。
根据前述的所述有机物沉积装置103的结构,当三个掩模组合体11及三个基板组合体50一对一地对应组成一对并保持排列成行状态,并向所述工艺腔室PC侧投入,而且所述三个第一沉积源S1分别提供有机物时,能够同时在分别配置在多个所述三个基板组合体50的基板SB上沉积所述有机物。而且,在所述基板SB上沉积所述有机物的同时,能够通过分别配置在多个所述三个掩模组合体11的构图掩模PM来对所述有机物进行构图。
以上参照实施例进行了说明,但可以理解的是,所属技术领域的技术人员在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想及领域的范围内,能够对本发明进行多种修改及变更。
Claims (16)
1.一种有机物沉积装置,用于在基板上沉积有机物,包括:
工艺腔室;
第一输送轨道,配置在所述工艺腔室的内部;
第二输送轨道,在所述工艺腔室的内部配置在所述第一输送轨道的上部,并与所述第一输送轨道隔开;
至少一个掩模组合体,与所述第一输送轨道结合并沿所述第一输送轨道输送;
至少一个基板组合体,与所述基板及所述第二输送轨道结合并沿所述第二输送轨道输送;及
至少一个沉积源,配置在所述工艺腔室的内部,并向所述掩模组合体及所述基板组合体侧提供所述有机物。
2.根据权利要求1所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述第一输送轨道及所述第二输送轨道沿着彼此相同的方向延伸并且平行。
3.根据权利要求2所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述掩模组合体包括:
掩模;
掩模框架,与所述掩模的边缘部结合;及
掩模载体,与所述掩模框架及所述第一输送轨道结合,并形成有开口部,所述开口部用于使所述掩模中除了所述掩模的所述边缘部外的其余部分暴露在外部,
所述基板组合体包括:
基板载体,与所述基板的边缘部及所述第二输送轨道结合,并形成有开口部,所述开口部用于使所述基板中除了所述基板的所述边缘部外的其余部分暴露在外部;及
夹紧部件,配置在所述基板载体上,用于夹紧所述基板的所述边缘部。
4.根据权利要求3所述的有机物沉积装置,其特征在于,
在所述工艺腔室的内部设置有多个所述沉积源,并且在多个所述沉积源中的至少两个提供彼此不同的有机物。
5.根据权利要求4所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述掩模组合体及所述基板组合体的数量分别与多个所述沉积源的数量相同。
6.根据权利要求5所述的有机物沉积装置,其特征在于,
与多个所述掩模组合体一对一地对应而设置有多个所述掩模,而且多个所述掩模中的至少一个为开放掩模,所述开放掩模与所述基板的单元区域对应而开口。
7.根据权利要求5所述的有机物沉积装置,其特征在于,
与多个所述掩模组合体一对一地对应而设置有多个所述掩模,而且多个所述掩模中的至少一个为构图掩模,所述构图掩模与所述基板的单元区域对应而形成有掩模图案。
8.根据权利要求3所述的有机物沉积装置,其特征在于,
在所述工艺腔室的内部设置有多个所述沉积源,并且在多个所述沉积源中的至少两个提供彼此相同的有机物。
9.根据权利要求8所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述掩模组合体及所述基板组合体的数量分别与多个所述沉积源的数量相同。
10.根据权利要求9所述的有机物沉积装置,其特征在于,
与多个所述掩模组合体一对一地对应而设置有多个所述掩模,而且多个所述掩模中的至少一个为开放掩模,所述开放掩模与所述基板的单元区域对应而开口。
11.根据权利要求9所述的有机物沉积装置,其特征在于,
与多个所述掩模组合体一对一地对应而设置有多个所述掩模,而且多个所述掩模中的至少一个为构图掩模,所述构图掩模与所述基板的单元区域对应而形成有掩模图案。
12.根据权利要求3所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述第一输送轨道及所述第二输送轨道分别沿着第一方向延伸,在所述掩模载体设置有沿所述第一方向形成并与所述第一输送轨道结合的第一槽,在所述基板载体设置有沿所述第一方向形成并与所述第二输送轨道结合的第二槽。
13.根据权利要求12所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述掩模组合体通过磁浮方式沿所述第一输送轨道输送,所述基板组合体通过磁浮方式沿所述第二输送轨道输送。
14.根据权利要求1所述的有机物沉积装置,其特征在于,进一步包括:
传感部,用于感测所述第一输送轨道和所述第二输送轨道之间的间隔及所述掩模组合体和所述基板组合体之间的间隔中的至少一者。
15.根据权利要求1所述的有机物沉积装置,其特征在于,进一步包括:
第一辅助腔室,与所述工艺腔室的送入口相邻配置;及
第二辅助腔室,与所述工艺腔室的输出口相邻配置,
所述第一辅助腔室收容向所述工艺腔室投入之前的所述掩模组合体及所述基板组合体,所述第二辅助腔室收容沉积有所述有机物的所述掩模组合体及所述基板组合体。
16.根据权利要求15所述的有机物沉积装置,其特征在于,
所述第一输送轨道及所述第二输送轨道分别经过所述送入口及所述送出口进一步向所述第一辅助腔室及所述第二辅助腔室侧延伸。
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