CN103310732A - 一种像素电路及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以对TFT的阈值电压漂移进行补偿，改善显示装置显示亮度的不均匀性，及延长其使用寿命。包括：第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，第五晶体管，第一存储电容，第二存储电容以及发光器件。本发明适用于制造显示面板。

Description

一种像素电路及其驱动方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种，由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystal display，液晶显示器)的下一代新型平面显示器。
在现有的AMOLED显示面板中，每个OLED均包括多个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)开关电路，由于生产工艺和制作水平等的限制，导致在大面积玻璃基板上制作的TFT开关电路常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上出现非均匀性，从而使得流经AMOLED的电流不仅会随着TFT长时间导通所产生的导通电压应力的变化而改变，而且还会随着TFT的阈值电压漂移而有所不同。如此一来，将会影响到显示器的亮度均匀性与亮度恒定性。另一方面，工作状态下的AMOLED还将长时间处于偏压状态，加快了显示装置衰减的速率，从而降低了显示装置的寿命。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，用以对TFT阈值电压漂移进行补偿，改善显示装置显示亮度的不均匀性，延长显示装置的使用寿命。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种像素电路，包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一存储电容、第二存储电容及发光器件；
所述第一晶体管的栅极连接所述第三晶体管的第一极，其第一极连接所述第五晶体管的第二极，其第二极连接第一电压；
所述第二晶体管的栅极连接第一控制线，其第一极连接所述第四晶体管的第二极，其第二极连接所述第五晶体管的第二极；
所述第三晶体管的栅极连接所述第一控制线，其第一极连接所述第一存储电容的一端，其第二极连接可变电压；
所述第四晶体管的栅极连接第二控制线，其第一极连接数据线；
所述第五晶体管的栅极连接发光控制线，其第一极连接所述发光器件的阳极；
所述第二存储电容的一端与所述第一存储电容的另一端相连，其另一端连接所述可变电压；
所述发光器件的阴极连接第二电压。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的像素电路。
本发明实施例的又一方面，提供一种像素电路驱动方法，包括：
导通第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，控制第一晶体管处于关闭状态，同时数据线输入低电平，清除发光器件阳极的电荷；
关闭所述第四晶体管和所述第五晶体管，导通所述第二晶体管和所述第三晶体管，可变电压控制所述第一晶体管导通，所述第一晶体管阈值电压存储在第一存储电容中；
导通所述第四晶体管，关闭所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管，数据线输入的高电平储存在第二存储电容中；
关闭所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管，导通所述第一晶体管、所述第五晶体管，通过所述第一晶体管和所述第五晶体管的电流驱动所述发光器件发光。
本发明实施例提供的像素电路及其驱动方法、显示装置，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压及第一电压无关，从而对第一晶体管阈值电压的不一致或漂移进行了补偿，避免了第一电压的电阻压降(I-R drop)对流过发光器件的电流所造成的影响，显著改善了显示装置显示亮度的均匀性，另一方面，通过清除发光器件阳极的电荷，避免了发光器件长时间处于正偏压状态，从而有效减缓了发光器件衰减的速率，大大提高了显示装置的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种像素电路的连接结构示意图；
图2为驱动图1所述像素电路时各信号线的时序图；
图3为图1所示像素电路在初始化阶段的等效电路示意图；
图4为图1所示像素电路在采集阶段的等效电路示意图；
图5为图1所示像素电路在数据输入阶段的等效电路示意图；
图6为图1所示像素电路在发光阶段的等效电路示意图；
图7为本发明实施例提供的一种像素电路驱动方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的像素电路1，如图1所示，包括：
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第一存储电容C1、第二存储电容C2以及发光器件L。
第一晶体管T1的栅极连接第三晶体管T3的第一极，其第一极连接第五晶体管T5的第二极，其第二极连接第一电压(Vdd)。
第二晶体管T2的栅极连接第一控制线Sn-1，其第一极连接第四晶体管T4的第二极，其第二极连接第五晶体管T5的第二极。
第三晶体管T3的栅极连接第一控制线Sn-1，其第一极连接第一存储电容C1的一端，其第二极连接可变电压(Vref)。
第四晶体管T4的栅极连接第二控制线Sn，其第一极连接数据线Date。
所述第五晶体管T5的栅极连接发光控制线Em，其第一极连接发光器件L的阳极。
第二存储电容C2的一端与第一存储电容C1的另一端相连，其另一端连接可变电压(Vref)。
发光器件L的阴极连接第二电压(Vss)。
需要说明的是，本发明实施例中的发光器件L可以是现有技术中包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)或OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)在内的多种电流驱动发光器件。在本发明实施例中，是以OLED为例进行的说明。
本发明实施例提供的像素电路及其驱动方法、显示装置，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压及第一电压无关，从而对第一晶体管阈值电压的不一致或漂移进行了补偿，避免了第一电压的电阻压降(I-R drop)对流过发光器件的电流所造成的影响，显著改善了显示装置显示亮度的均匀性，另一方面，通过清除发光器件阳极的电荷，避免了发光器件长时间处于正偏压状态，从而有效减缓了发光器件衰减的速率，大大提高了显示装置的使用寿命。
需要说明的是，在本发明实施例中，电压Vdd可以是指高电压，电压Vss可以是低电压或接地端。
其中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5可以均为N型晶体管；或者第一晶体管T1可以为N型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5可以均为P型晶体管；或者第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5可以均为P型晶体管；或者第一晶体管T1可以为P型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5可以均为N型晶体管。当采用不同类型的晶体管时，像素电路的外部控制信号也各不相同。
例如，以N型晶体管为例，在本发明实施例所提供的像素电路中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为N型增强型TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)或N型耗尽型TFT。其中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5的第一极均可以指的是源极，第二极则均可以指的是漏极。
以下以第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5均为N型耗尽型TFT为例，对本发明实施例提供的像素电路的工作过程进行详细说明。
图1所示的像素电路工作时，其工作过程具体可以分为四个阶段，分别为：初始化阶段、采集阶段、数据输入阶段和发光阶段。图2是图1所示像素电路工作过程中各信号线的时序图。如图2所示，在图中分别用Pr、P1、P2和P3来相应地表示初始化阶段、采集阶段、数据输入阶段和发光阶段。
第一阶段为初始化阶段，该阶段的等效电路如图3所示，其中，实际通电线路和器件采用实线表示，未通电单元采用虚线表示，以下各等效电路图与改图表示方式相同。在初始化阶段，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn和发光控制线Em输入高电平，可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为低电平。如图3所示第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5被导通，关闭第一晶体管T1，第一存储电容C1和第二存储电容C2被重置，并且第二晶体管T2的第一极与第四晶体管T4的第二极相连的节点b处的电压为低电压(Vdate)，所以发光器件L的阳极电位为该低电位(Vdata)，所以发光器件L上储存的电荷通过被导通的第五晶体管T5、第二晶体管T2及第四晶体管T4输出，这样一来，可以使得OLED阳极长时间存储的电荷清除，从而确保其不处于正偏压状态，从而减缓OLED衰减的速度，提高显示装置的寿命。
第二阶段为采集阶段，该阶段的等效电路如图4所示。在该采集阶段，可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为高电平，第一控制线Sn-1输入高电平、第二控制线Sn和发光控制线Em输入低电平。如图4所示，关闭第四晶体管T4、第五晶体管T5，第二晶体管T2、第三晶体管T3被导通，可变电压(Vref)输入的高电平使得第一晶体管T1导通，第一晶体管T1的栅极与第三晶体管T3的第一极相连的节点a处的电压为高电压(Vref)，因为该电压使得第一晶体管T1刚好导通，从而使得与第一存储电容的另一端电位相同的c点电位升为Vref-Vth，其中Vth为第一晶体管的阈值电压，其被存储在第一存储电容C1中。
第三阶段为数据输入阶段，该阶段的等效电路如图5所示。在这个阶段可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为高电平，第二控制线Sn输入高电平、第一控制线Sn-1和发光控制线Em输入低电平。如图5所示，关闭第二晶体管T2、第三晶体管T3、第五晶体管T5，第四晶体管T4被导通，数据线Data输出的数据电压(Vdata)存储于第二存储电容C2中。此时，节点b的电压为(Vdata)。因为第二阶段中第一晶体管的阈值电压Vth已存储于第一存储电容C1中，从而使得节点a的电位提升为：A＝Vref+Vdata-Vref+Vth＝Vdata+Vth。
第四阶段为发光阶段，该阶段的等效电路如图6所示。在这个阶段，可变电压(Vref)、发光控制线Em为高电平，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn和数据线Data输出的数据电压(Vdata)输入低电平。如图6所示，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4关闭，第一晶体管T1、第五晶体管T5被导通。此时，使得第一晶体管导通的电压为第三阶段中节点a处的电压，即Vgs＝Vdata+Vth，因此流过第一晶体管T1的电流驱动OLED发光，该电流IOLED为：
I OLED = 1 2 × K × ( V gs - V th ) 2 = 1 2 × K × ( V data + V th - V th ) 2 - - - ( 1 ) = 1 2 × K × ( V data ) 2
其中，K为关联于第一晶体管T1的电流常数，Vdata为数据电压，Vref为可变电压，Vth为晶体管的阈值电压。现有技术中，不同像素单元之间的Vth不尽相同，且同一像素中的Vth还有可能随时间发生漂移，这将造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。
由以上公式(1)可知，用于驱动OLED发光的电流IOLED与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，而且该电流也不受第一电压(Vdd)的控制。因此消除了晶体管阈值电压非均匀型及第一电压的电阻压降(I-R drop)对显示效果的影响。通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压及第一电压无关，从而对第一晶体管阈值电压的不一致或漂移进行了补偿，避免了第一电压的I-R drop对流过发光器件的电流所造成的影响，显著改善了显示装置显示亮度的均匀性，另一方面，通过清除发光器件阳极的电荷，避免了发光器件长时间处于正偏压状态，从而有效减缓了发光器件衰减的速率，大大提高了显示装置的使用寿命。
需要说明的是，在上述实施例中，晶体管均是以N型耗尽型TFT为例进行的说明。或者，同样可以采用N型增强型TFT，其不同之处在于，对于耗尽型TFT，阈值电压Vth为负值，而对于增强型TFT，阈值电压Vth为正值。
此外，第一晶体管T1还可以采用N型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为P型晶体管，驱动这样一种结构的像素电路的外部信号的时序也应当做相应的调整，其中，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn以及发光控制线Em的时序与图2中所示的相应的信号时序相反(即二者的相位差为180度)。
或者，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5均为P型晶体管，驱动这样一种结构的像素电路的外部信号的时序也应当做相应的调整，其中，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn、可变电压(Vref)、数据电压(Vdata)以及发光控制线Em的时序与图2中所示的相应的信号时序相反(即二者的相位差为180度)。
或者，第一晶体管T1为P型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均为N型晶体管，驱动这样一种结构的像素电路的外部信号的时序也应当做相应的调整，其中，可变电压Vref和数据电压(Vdata)的时序与图2中所示的相应的信号时序相反(即二者的相位差为180度)。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种像素电路。所述显示装置可以包括多个像素单元阵列，每一个像素单元包括如上所述的任意一个像素电路。具有与本发明前述实施例提供的像素电路相同的有益效果，由于像素电路在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。
具体的，本发明实施例所提供的显示装置可以是包括LED显示器或OLED显示器在内的具有电流驱动发光器件的显示装置。
本发明实施例提供的显示装置，包括像素电路，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压及第一电压无关，从而对第一晶体管阈值电压的不一致或漂移进行了补偿，避免了第一电压的I-R drop对流过发光器件的电流所造成的影响，显著改善了显示装置显示亮度的均匀性，另一方面，通过清除发光器件阳极的电荷，避免了发光器件长时间处于正偏压状态，从而有效减缓了发光器件衰减的速率，大大提高了显示装置的使用寿命。
本发明实施例提供的像素电路驱动方法，可以应用于前述实施例中所提供的像素电路，如图7所示，包括：
S701、导通第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，控制第一晶体管处于关闭状态，同时数据线输入低电平，清除发光器件阳极的电荷。
S702、关闭第四晶体管和第五晶体管，导通第二晶体管和第三晶体管，可变电压控制第一晶体管导通，第一晶体管阈值电压存储在第一存储电容中；
S703、导通第四晶体管，关闭第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管，数据线输入的高电平储存在第二存储电容中；
S704、关闭第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，导通第一晶体管、第五晶体管，通过第一晶体管和第五晶体管的电流驱动所述发光器件发光。
本发明实施例提供的像素电路驱动方法，通过多个晶体管和电容对电路进行开关和充放电控制，可以使得存储电容保持第一晶体管栅极和源极之间的栅源电压不变，从而使得通过第一晶体管的电流与该第一晶体管的阈值电压及第一电压无关，从而对第一晶体管阈值电压的不一致或漂移进行了补偿，避免了第一电压的I-R drop对流过发光器件的电流所造成的影响，显著改善了显示装置显示亮度的均匀性，另一方面，通过清除发光器件阳极的电荷，避免了发光器件长时间处于正偏压状态，从而有效减缓了发光器件衰减的速率，大大提高了显示装置的使用寿命。
需要说明的是，本发明实施例中的发光器件可以是现有技术中包括LED或OLED在内的多种电流驱动发光器件。
其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第五晶体管均可以为N型晶体管；或者第一晶体管为N型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为P型晶体管；或者第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第五晶体管T5均为P型晶体管；或者第一晶体管T1为P型晶体管，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均为N型晶体管。
例如，以N型晶体管为例，在本发明实施例所提供的像素电路中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5均可以为N型增强型TFT或N型耗尽型TFT。
需要说明的是，当第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第五晶体管均为N型耗尽型晶体管时，控制信号的时序可以如图2所示，包括：
初始化阶段：第一控制线、第二控制线和发光控制线输入高电平，可变电压和数据线输入低电平；
采集阶段：第二控制线和发光控制线输入低电平，第一控制线、可变电压和数据线输入高电平；
数据输入阶段：第一控制线和发光控制线输入低电平，第二控制线、可变电压和数据线输入高电平；
发光阶段：第一控制线、第二控制线和数据线输入低电平，可变电压和发光控制线输入高电平。
例如，当该第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第五晶体管均为N型耗尽型薄膜晶体管时，步骤S701具体可以包括：
该步骤即为初始化阶段，参照图2所示，在初始阶段中，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn和发光控制线Em输入高电平，可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为低电平。如图3所示第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5被导通，关闭第一晶体管T1，第一存储电容C1和第二存储电容C2被重置，并且第二晶体管T2的第一极与第四晶体管T4的第二极相连的节点b处的电压为低电压(Vdate)，所以发光器件L的阳极电位为该低电压(Vdata)，所以发光器件L上储存的电荷通过被导通的第五晶体管T5、第二晶体管T2及第四晶体管T4输出，这样一来，可以使得OLED阳极长时间存储的电荷清除，从而确保其不处于正偏压状态，从而减缓OLED衰减的速度，提高显示装置的寿命。
相应的，步骤S702具体可以包括：
该步骤为采集阶段，在该采集阶段，可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为高电平，第一控制线Sn-1输入高电平、第二控制线Sn和发光控制线Em输入低电平。如图4所示，关闭第四晶体管T4、第五晶体管T5，第二晶体管T2、第三晶体管T3被导通，可变电压(Vref)输入的高电平使得第一晶体管T1导通，第一晶体管T1的栅极与第三晶体管T3的第一极相连的节点a处的电压为高电压(Vref)，因为该电压使得第一晶体管T1刚好导通，从而使与第一存储电容的另一端电位相同的c点电位升为Vref-Vth，其中Vth为第一晶体管的阈值电压，其被存储在第一存储电容C1中。
步骤S703具体可以包括：
该阶段为数据输入阶段，在这个阶段可变电压(Vref)和数据线Data输出的数据电压(Vdata)为高电平，第二控制线Sn输入高电平、第一控制线Sn-1和发光控制线Em输入低电平。如图5所示，关闭第二晶体管T2、第三晶体管T3、第五晶体管T5，第四晶体管T4被导通，数据线Data输出的数据电压(Vdata)存储于第二存储电容C2中。此时，节点b的电压为(Vdata)。因为第二阶段中第一晶体管的阈值电压Vth已存储于第一存储电容C1中，从而使得节点a的电位提升为：A＝Vref+Vdata-Vref+Vth＝Vdata+Vth。
步骤S704具体可以包括：
该阶段为发光阶段，在这个阶段，可变电压(Vref)、发光控制线Em为高电平，第一控制线Sn-1、第二控制线Sn和数据线Data输出的数据电压(Vdata)输入低电平。如图6所示，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4关闭，第一晶体管T1、第五晶体管T5被导通。此时，使得第一晶体管导通的电压为第三阶段中节点a处的电压，即Vgs＝Vdata+Vth，因此流过第一晶体管T1的电流驱动OLED发光，该电流IOLED与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，而且该电流也不受第一电压(Vdd)的控制。因此消除了晶体管阈值电压非均匀型及第一电压的电阻压降I-R drop对显示效果的影响。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一存储电容、第二存储电容及发光器件；
所述第一晶体管的栅极连接所述第三晶体管的第一极，其第一极连接所述第五晶体管的第二极，其第二极连接第一电压；
所述第二晶体管的栅极连接第一控制线，其第一极连接所述第四晶体管的第二极，其第二极连接所述第五晶体管的第二极；
所述第三晶体管的栅极连接所述第一控制线，其第一极连接所述第一存储电容的一端，其第二极连接可变电压；
所述第四晶体管的栅极连接第二控制线，其第一极连接数据线；
所述第五晶体管的栅极连接发光控制线，其第一极连接所述发光器件的阳极；
所述第二存储电容的一端与所述第一存储电容的另一端相连，其另一端连接所述可变电压；
所述发光器件的阴极连接第二电压。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管；或，
所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管；或，
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管；或，
所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管的第一极均为源级，第二极均为漏级。
4.根据权利要求1或3所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管包括耗尽型薄膜晶体管TFT或增强型TFT。
5.根据权利要求1或3所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一所述像素电路。
7.一种像素电路驱动方法，其特征在于，包括：
导通第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管，控制第一晶体管处于关闭状态，同时数据线输入低电平，清除发光器件阳极的电荷；
关闭所述第四晶体管和所述第五晶体管，导通所述第二晶体管和所述第三晶体管，可变电压控制所述第一晶体管导通，所述第一晶体管阈值电压存储在第一存储电容中；
导通所述第四晶体管，关闭所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管，数据线输入的高电平储存在第二存储电容中；
关闭所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管，导通所述第一晶体管、所述第五晶体管，通过所述第一晶体管和所述第五晶体管的电流驱动所述发光器件发光。
8.根据权利要求7所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管为N型晶体管；或，
所述第一晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管；或，
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P型晶体管；或，
所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管均为N型晶体管。
9.根据权利要求7或8所述的像素电路驱动方法，其特征在于，所述晶体管包括耗尽型TFT或增强型TFT。
10.根据权利要求9所述的像素电路驱动方法，其特征在于，当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管均为N型耗尽型晶体管时，控制信号的时序包括：
初始化阶段：第一控制线、第二控制线和所述发光控制线输入高电平，所述可变电压和所述数据线输入低电平；
采集阶段：所述第二控制线和所述发光控制线输入低电平，所述第一控制线、所述可变电压和所述数据线输入高电平；
数据输入阶段：所述第一控制线和所述发光控制线输入低电平，所述第二控制线、所述可变电压和所述数据线输入高电平；
发光阶段：所述第一控制线、所述第二控制线、所述可变电压和所述数据线输入低电平，所述发光控制线输入高电平。
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