CN103185725A - Led晶圆多晶粒检测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明为一种LED晶圆多晶粒检测方法，并依据计算结果，调整数个探针模块的最佳的探针间距，在测量时，导入数学函式计算出最近的扎针位置及坐标，再利用Z up/down的修正，以提升整体的扎针率。本发明为一种LED晶圆多晶粒检测装置，其包括检测平台、晶粒影像撷取模块、晶粒位置数量分析模块以及晶粒探针模块。检测平台具有可移动的中空平台，其中置晶胶膜放于其中空平台上，晶粒影像撷取模块具有影像撷取镜头用于撷取LED发光晶粒影像，晶粒位置数量分析模块，是接收晶粒影像撷取模块的影像数据并分析其晶粒的位置及数量，以及晶粒探针模块用于检测晶粒的良率。

Description

LED晶圆多晶粒检测方法及装置

技术领域

本发明为一种检测方法及装置，尤指一种LED晶圆多晶粒检测方法及装置。

背景技术

在LED发光晶粒制程中，因各制程步骤间无法避免的原因而产生缺陷，因此为维持产品质量的稳定，通常在进行各项LED发光晶粒制程的同时，亦须针对所生产的LED发光晶粒组件进行缺陷检测，根据检测的结果分析造成这些缺陷的根本原因，之后才能进一步根据制程参数的对调来避免或减少缺陷的产生，以达到提升LED发光晶粒制程良率以及可靠度的目的。

在传统检测的技术步骤上，常将切割后的LED发光晶粒黏附于一层置晶胶膜上，以便利批次检测及制程步骤间移动，然而，胶膜通常具有热塑性及可拉伸延展等特性，并于制程中拉伸，以配合检测与制程机台的检测位置而进行，在LED发光晶粒造成过程中，每一晶粒上的集成电路均会利用探针的方式进行电性量测的步骤，而上述的置晶胶膜的拉伸延展，往往造成LED发光晶粒分布距离不同及位置偏移，而造成多芯片探针(multi die)测试的扎针率下降，因而增加测试次数及时间等缺点。

发明内容

本发明为提供一种LED晶圆多晶粒检测方法，其方法包括下列步骤，先将LED发光晶圆切割为复数个LED发光晶粒后，将所述LED发光晶圆覆盖热塑性材质的置晶胶膜。接着，将附有LED发光晶粒的置晶胶膜加热后沿周围平均施力拉张，使此置晶胶膜上的各LED发光晶粒间形成间隔及具有距离。再者，将此附有LED发光晶粒的置晶胶膜移入LED发光组件检测装置的检测平台，经由晶粒影像撷取模块撷取所述复数个LED发光晶粒的影像后，将影像信息传到晶粒位置数量分析模块。最后，晶粒位置数量分析模块计算出所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，并依据计算后的所述复数个LED发光晶粒的位置，手动或自动调整数个探针模块的最佳的探针间距。此外，通过数学函式的计算，定义出最佳的扎针位置及坐标，再利用Z up/down的修正，以提升整体的扎针率。

本发明为提供一种LED晶圆多晶粒检测装置，其包括检测平台、晶粒影像撷取模块、晶粒位置数量分析模块以及晶粒探针模块。

检测平台，具有可移动的中空平台，可将附有LED发光晶粒的置晶胶膜放于此检测平台的中空平台上。晶粒影像撷取模块，具有影像撷取镜头，用于撷取LED发光晶粒的影像。晶粒位置数量分析模块，是接收上述晶粒影像撷取模块撷取的LED发光晶粒影像，以分析其晶粒的位置及数量。以及，晶粒探针模块，其设置于中空平台的上方，且用于检测LED发光晶粒的良率。此晶粒探针模块，更具包括数个固定座及数个探针，其各固定座的一端设于中空平台之上，而探针设于各固定座的另一端，用于侦测LED发光晶粒的良率。

本发明为提供的LED晶圆多晶粒检测装置，可将多芯片探针(multi die)的扎针率提高到99%，以缩短LED发光晶粒的扎针测试次数及测试的时间。

附图说明

图1为本发明的示意图；

图2为LED发光晶位移示意图；

图3为探针与LED发光晶相对位置示意图；

图4为探针与LED发光晶相对位置示意图；

图5为探针与LED发光晶相对位置示意图；

图6为探针的Z up/down示意图；

图7为本发明的方法流程图；

图8为X方向探针扎针率的扎针分布图；

图9为Y方向探针扎针率的扎针分布图；

图10为调整后探针扎针率的扎针分布图；

附图标记说明

1  LED晶圆多晶粒检测装置；

2  检测平台；

3  晶粒影像撷取模块；

4  晶粒位置数量分析模块；

5  晶粒探针模块；

51 探针；

51a~51h 探针；

6  LED发光晶粒；

6a~6m LED发光晶粒；

S71~S75 步骤流程。

具体实施方式

请参阅图1，如图所示为本发明的一种LED晶圆多晶粒检测装置1，其中包括检测平台2、晶粒影像撷取模块3、晶粒位置数量分析模块4以及晶粒探针模块5。其中检测平台2具有可移动的中空平台，且可将附有LED发光晶粒6的置晶胶膜置放于该检测平台2的中空平台上。晶粒影像撷取模块3，其具有影像撷取镜头用于撷取LED发光晶粒6的影像。晶粒位置数量分析模块4，是接收上述LED发光晶粒6影像撷取模块撷取的LED发光晶粒影像6，以分析其LED发光晶粒6的位置及数量。晶粒探针模块5，其设置于中空平台的上方，且用于检测LED发光晶粒6的良率。此晶粒探针模块5，更具包括数个固定座及数个探针51，其固定座的一端设于中空平台的上，而探针51设于固定座的另一端，可依据量测需求进行Z up/down的修正，用于侦测LED发光晶粒6的良率。

本发明为一种LED晶圆多晶粒检测装置1，其检测LED发光晶粒6的步骤如下，将LED发光晶圆切割为LED发光晶粒6后，将其覆盖热塑性材质的置晶胶膜。将附有LED发光晶粒6的置晶胶膜加热后沿周围平均施力拉张，使附于置晶胶膜上的各LED发光晶粒6间具形成间隔及具有距离。将拉张后的置晶胶膜移入LED发光组件检测装置1的检测平台2，经由晶粒影像撷取模块3撷取LED发光晶粒6的影像后，将影像信息传到晶粒位置数量分析模块4，由此晶粒位置数量分析模块4计算出其LED发光晶粒6的位置及间距，最后依据计算后的LED发光晶粒6的位置，手动或自动调整数个探针模块的最佳的探针51间距，以提高探针51扎针率以及缩短检测LED发光晶粒6的时间。

请参阅图2所示，由于置晶胶膜的拉伸延展而导致附于置晶胶膜上的各LED发光晶粒6产生微量的不规则位移，如图2a所示，为LED发光晶粒6a和6b的间产生的水平方向偏移α及LED发光晶粒6b和6c的间产生的垂直方向偏移β，如图2b所示，为LED发光晶粒6d和6e的间产生的角度偏移θ，再者，如图3所示，进行测试时因探针51间距为固定值，而LED发光晶粒6的间距却随着位置的不同而有所差异，因此藉由本发明的LED晶圆多晶粒检测装置1中的晶粒位置数量分析模块4，藉由下列四种算法分别计算出最佳探针51间距及量测时最佳的下针位置及坐标。

算法1：

于LED晶圆多晶粒检测装置1中的晶粒位置数量分析模块4中，取得每个LED发光晶粒6的位置，并计算每颗相邻LED发光晶粒6的间距，并在排序后取中间50%的数据并计算出其算术平均数，藉以得知其LED发光晶粒6的位置及间距。采用公式d_xy-1=a_xy–a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m确定，具体如下列公式：

d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_1m-1=a_1m-a_1m-1

d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_2m-1=a_2m-a_2m-1

...

...

d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_nm-1=a_nm-a_nm-1

其中n表示LED发光晶粒6的X方向的排数，m表示LED发光晶粒6的Y方向的排数，有上述可推论的a_nm为第n排第m颗LED发光晶粒6的X坐标，b_nm为第n排第m颗LED发光晶粒6的Y坐标，并依据上式可得任一相邻两个LED发光晶粒6的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1-a_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)

任一相邻两个LED发光晶粒6的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1–b_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)

令D_Q1为d_ij的第一四分位数，D_Q3为d_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列

D_Q1≤d_ij≤D_Q3

再取其LED发光晶粒6的X轴方向距离算术平均数即为所求(取得的值为探针51在X轴方向的相邻间距)。

令K_Q1为k_ij的第一四分位数，K_Q3为k_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列

K_Q1≤k_ij≤K_Q3

再取其LED发光晶粒6的Y轴方向距离算术平均数即为所求(取得的值为探针51在Y轴方向的相邻间距)。

算法2：

于LED晶圆多晶粒检测装置1中的晶粒位置数量分析模块4中，藉由取得每个LED发光晶粒6的位置，并由K-Means的分群法则取得最具代表性的数值，藉以得知其探针51的最佳间距。采用公式d_xy-1=a_xy–a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m确定，具体如下列公式：

d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_1m-1=a_1m-a_1m-1

d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_2m-1=a_2m-a_2m-1

...

...

d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_nm-1=a_nm-a_nm-1

其中n表示LED发光晶粒6的X方向的排数，m表示LED发光晶粒6的Y方向的排数，a_nm为第n排第m颗LED发光晶粒6的X坐标，b_nm为第n排第m颗LED发光晶粒6的Y坐标，并依据上式可得任一相邻两个LED发光晶粒6的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1–a_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)

任一相邻两个LED发光晶粒6的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1–b_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)

依照下列步骤决定探针51的扎针位置，步骤如下：

步骤一：假设R为LED发光晶粒6的大小，K为一批次待测的LED发光晶粒6的数量，S为LED发光晶粒6的间隙，取S误差值正负25%，并切割为K-1等分，即表示如下：

(1.25-0.75)S/(K-1)=0.5S/(K-1)

之后令T为0.5S/(K-1)

则K-1个初始群集中心依序为

R+S-((K-2)/2)T,R+S-((K-2)/2-1)T,…,R+S-2T,R+S-T,R+S,R+S+T,R+S+2T,R+S+3T,…,R+S+(K-3)T，R+S+((K-2)/2)T。

步骤二：计算每一个d_ij到各个群集中心的距离后，将各d_ij分配到具有最短距离的群集中，此时产生具有数个d_ij为成员的初始群集的集合。

步骤三：根据每个初始群集的集合里所有d_ij，重新计算出初始群集的新质量中心，利用此新质量中心取代的前初始群集的集合的质量中心。

步骤四：指定完新质量中心的后，再一次比较每一个d_ij与新的群集中心的间的距离，然后根据距离，再度重新分配每一个d_ij所属的群集。

步骤五：持续反复步骤三到四，直到群集成员不再变动为止，决定其探针51的扎针位置。

算法3：

本算法3是通过微调下针坐标，使多芯片探针(multi die)的扎针次数减少，请参阅图4所示，LED晶圆多晶粒检测装置1中的晶粒位置数量分析模块4中，取得每个LED发光晶粒6的位置的示意图。如图所示，假设探针51a与探针51b的距离为x，探针51b与探针51c的距离为y，探针51c与探针51d的距离为z，并假设LED发光晶粒6f与LED发光晶粒6g的距离为a，LED发光晶粒6g与LED发光晶粒6h的距离为b，LED发光晶粒6h与LED发光晶粒6i的距离为c。依照下列三项公式：

P=a-x

Q=b-y

R=c-z

在取得P、Q、R的最小值Min1，最大值Max1代入下列公式：

位移量=(|Min1|+Max1)/2

而由上式可得，LED发光晶粒6f～6i的最佳量测坐标位置即为

(X1+位移量,Y1+位移量)

上述的算法1即算法2为计算出探针51间距的最佳值，其中算法2相较算法1虽可取得更精确的数值，但其演算步骤亦较为繁琐。因此，基于执行效率的考虑，当通过算法1所取得扎针率未达设定门坎时方使用算法2。再者，通过算法3的微调下针坐标，是为了使连续的多晶粒的扎针次数能够更为减少。

算法4：

本算法4即为Z up/down的修正，是利用晶粒探针模块5调整探针51的扎针次序，以提高扎针率，以确保每一个LED发光晶粒6均被本发明的LED晶圆多晶粒检测装置1检测过。请参阅图5所示，LED晶圆多晶粒检测装置1中的晶粒位置数量分析模块4中，取得每个LED发光晶粒6的位置的示意图。如图5a所示，因探针51e、探针51f、探针51g及探针51h的间为固定距离，透过晶粒位置数量分析模块4，取得每个LED发光晶粒6的位置后得知探针51g对应量测的LED发光晶粒6l以偏移到欲量测的范围外，因此于第一次扎针时先将以探针51e、探针51f及探针51h量测LED发光晶粒6j、LED发光晶粒6k及LED发光晶粒6m，并将探针51g抬起略过量测偏移的LED发光晶粒6l，如及图6a所示；如图5b所示，于第二次扎针时再将探针51e、探针51f及探针51h抬起略过量测LED发光晶粒6j、LED发光晶粒6k及LED发光晶粒6m，并将探针51g移动到LED发光晶粒6l的量测点下针并执行检测步骤，如图6b所示。

本发明为一种LED晶圆多晶粒检测方法，并请参阅图7所示，其检测LED发光晶粒6的步骤如下：

S71：将LED发光晶圆切割为LED发光晶粒6后，将其覆盖热塑性材质的置晶胶膜；

S72：将附有LED发光晶粒6的置晶胶膜加热后沿周围平均施力拉张，使附于置晶胶膜上的各LED发光晶粒6间具形成间隔及具有距离；

S73：将拉张后的置晶胶膜移入LED发光组件检测装置1的检测平台2，经由晶粒影像撷取模块3撷取LED发光晶粒6的影像后，将影像信息传到晶粒位置数量分析模块4；

S74：由晶粒位置数量分析模块4计算出其LED发光晶粒6的位置及间距；

S75：依据计算后的LED发光晶粒6的位置，手动或自动调整数个探针模块的最佳的探针51间距，以提高探针51扎针率以及缩短检测LED发光晶粒6的时间。

请参阅图8及图9，如图所示为本发明于导入算法1及算法2后，调整探针距离前的探针51的扎针分布图，如图8所示，为X方向探针扎针率的扎针分布图，X轴方向的探针扎针率为89.77%，如图9所示，为Y方向探针扎针率的扎针分布图，Y轴方向的探针扎针率为93.30%。请参阅图10，为调整后探针扎针率的扎针分布图，是本发明于导入算法1及算法2后，再导入算法3以微调下针的坐标及探针距离后的探针51的扎针分布图，如图所示，调整后的探针51扎针率可提高到99.96%。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，包括步骤：

a、将LED发光晶圆切割为复数个LED发光晶粒后，将所述LED发光晶圆覆盖热塑性材质的置晶胶膜，形成附有LED发光晶粒的置晶胶膜；

b、将所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜加热后沿周围平均施力拉张，使附于所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的各LED发光晶粒间具形成间隔及具有距离；

c、将所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜移入LED发光组件检测装置的检测平台，经由晶粒影像撷取模块撷取所述复数个LED发光晶粒的影像后，将影像信息传到晶粒位置数量分析模块；

d、所述晶粒位置数量分析模块计算出所述复数个LED发光晶粒的位置及间距；

e、依据计算后的所述复数个LED发光晶粒的位置，手动或自动调整数个探针模块的最佳的探针间距；以及

f、依据调整后所述数个探针模块的最佳的探针间距，分析并计算出每次下针的最佳坐标，并再利用Z up/down的修正后，进行量测。

2.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块是根据接收所述晶粒影像撷取模块的影像数据后，计算出所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置。

3.根据权利要求2所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒探针模块是根据所述晶粒位置数量分析模块计算出的所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置，调整探针间的距离。

4.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

计算所述复数个LED发光晶粒的间距，并在排序后取中间50%的数据并计算出算术平均数，因此确定所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，采用下列公式确定：

d_xy-1=a_xy-a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m

其中n为所述复数个LED发光晶粒的X方向的排数，m是为所述复数个LED发光晶粒的Y方向的排数；

由上式界定任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1–a_ij

任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1–b_ij

其中，i为介于1和m之间的正整数，j为介于1和n之间的正整数；

令D_Q1为d_ij的第一四分位数，D_Q3为d_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列：

D_Q1≤d_ij≤D_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离算术平均数；

令K_Q1为k_ij的第一四分位数，K_Q3为k_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列

K_Q1≤k_jj≤K_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的Y轴方向距离算术平均数，即为所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距。

5.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

计算所述复数个LED发光晶粒的间距，并由K-Means的分群法则取得最具代表性的数值，因此确定所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，采用下列公式确定：

d_xy-1=a_xy-a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m

其中，n为所述复数个LED发光晶粒的X方向的排数，m为所述复数个LED发光晶粒的Y方向的排数，并依据上式可得任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1-a_ij

任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1–b_ij

其中，i为介于1和m之间的正整数，j为介于1和n之间的正整数；

假设R为所述复数个LED发光晶粒的大小，K为一批次待测的所述复数个LED发光晶粒的数量，S为所述复数个LED发光晶粒的间隙，取S误差值正负25%，并切割为K-1等分，即表示为

(1.25-0.75)S/(K-1)=0.5S/(K-1)

后令T为0.5S/(K-1)，则K-1个初始群集中心依序为

R+S-((K-2)/2)T，R+S-((K-2)/2-1)T，…,R+S-2T，R+S-T，R+S,R+S+T，R+S+2T，R+S+3T,…,R+S+(K-3)T，R+S+((K-2)/2)T；

计算每一个d_ij到各个群集中心的距离后，将各d_ij分配到具有最短距离的群集中，此时产生具有数个d_ij为成员的初始群集的集合；

根据每个初始群集的集合里所有d_ij重新计算出一新群集质量中心，并利用所述新群集质量中心取代所述初始群集的质量中心；

再一次比较每一个d_ij与所述新群集质量中心之间的距离，然后根据距离，再度重新分配每一个d_ij所属的群集；

重复上述的重新分配每一个d_ii步骤，直到群集成员不再变动为止，决定其探针的扎针位置。

6.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

P=a-x

Q=b-y

R=c-z

其中，第一探针与第二探针的距离为x，第二探针与第三探针的距离为y，第三探针与第四探针的距离为z，第一LED发光晶粒与第二LED发光晶粒的距离为a，第二LED发光晶粒与第三LED发光晶粒的距离为b，第三LED发光晶粒与第四LED发光晶粒的距离为c；

取得P、Q、R的最小值Min1，最大值Max1代入下列公式

位移量=(|Min1|+Max1)/2

由上式可得，所述复数个LED发光晶粒的实际坐标位置以

(X₁+位移量,Y₁+位移量)表示。

7.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

计算所述复数个LED发光晶粒的间距，并在排序后取中间50%的数据并计算出算术平均数，因此确定所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，采用下列公式确定：

d_xy-1=a_xy–a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m

其中n为所述复数个LED发光晶粒的X方向的排数，m是为所述复数个LED发光晶粒的Y方向的排数；

由上式界定任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1–a_ij

任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的Y距离表示式为:

k_ij=b_ij+1-b_ij

其中，i为介于1和m之间的正整数，j为介于1和n之间的正整数；

令D_Q1为d_ij的第一四分位数，D_Q3为d_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列：

D_Q1≤d_ij≤D_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离算术平均数；

令K_Q1为k_ij的第一四分位数，K_Q3为k_ij的第三四分位数，取符合下列条件的数列

K_Q1≤k_ij≤K_Q3

再取所述复数个LED发光晶粒的Y轴方向距离算术平均数，即为所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距；

P=a-x

Q=b-y

R=c-z

其中，第一探针与第二探针的距离为x，第二探针与第三探针的距离为y，第三探针与第四探针的距离为z，第一LED发光晶粒与第二LED发光晶粒的距离为a，第二LED发光晶粒与第三LED发光晶粒的距离为b，第三LED发光晶粒与第四LED发光晶粒的距离为c；

取得P、Q、R的最小值Min1，最大值Max1代入下列公式

位移量=(|Min1|+Max1)/2

由上式可得，所述复数个LED发光晶粒的实际坐标位置以

(X₁+位移量,Y₁+位移量)表示，其中(X₁,Y₁)表示发光晶粒的原坐标位置，所述探针的扎针率为99.96%。

8.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其中所述晶粒位置数量分析模块计算的探针间距，计算步骤如下：

计算所述复数个LED发光晶粒的间距，并由K-Means的分群法则取得最具代表性的数值，因此确定所述复数个LED发光晶粒的位置及间距，采用下列公式确定：

d_xy-1=a_xy–a_xy-1，1≤x≤n，1≤y≤m

其中，n为所述复数个LED发光晶粒的X方向的排数，m为所述复数个LED发光晶粒的Y方向的排数，并依据上式可得任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的X轴方向距离表示式为:

d_ij=a_ij+1-a

任一相邻两个所述复数个LED发光晶粒的Y距离表示式为:

k  =b_ij+1-b_ij

其中，i为介于1和m之间的正整数，j为介于1和n之间的正整数；

假设R为所述复数个LED发光晶粒的大小，K为一批次待测的所述复数个LED发光晶粒的数量，S为所述复数个LED发光晶粒的间隙，取S误差值正负25%，并切割为K-1等分，即表示为

(1.25-0.75)S/(K-1)=0.5S/(K-1)

后令T为0.5S/(K-1)，则K-1个初始群集中心依序为

R+S-((K-2)/2)T,R+S-((K-2)/2-1)T,…,R+S-2T,R+S-T,R+S,R+S+T,R+S+2T,R+S+3T,…,R+S+(K-3)T,R+S+((K-2)/2)T；

计算每一个d_ii到各个群集中心的距离后，将各d_ij分配到具有最短距离的群集中，此时产生具有数个d_ij为成员的初始群集的集合；

根据每个初始群集的集合里所有d_ij重新计算出一新群集质量中心，并利用所述新群集质量中心取代所述初始群集的质量中心；

再一次比较每一个d_ij与所述新群集质量中心之间的距离，然后根据距离，再度重新分配每一个d_ij所属的群集；

重复上述的重新分配每一个d_ij步骤，直到群集成员不再变动为止，决定其探针的扎针位置；

P=a-x

Q=b-y

R=c-z

其中，第一探针与第二探针的距离为x，第二探针与第三探针的距离为y，第三探针与第四探针的距离为z，第一LED发光晶粒与第二LED发光晶粒的距离为a，第二LED发光晶粒与第三LED发光晶粒的距离为b，第三LED发光晶粒与第四LED发光晶粒的距离为c；

取得P、Q、R的最小值Min1，最大值Max1代入下列公式

位移量=(|Min1|+Max1)/2

由上式可得，所述复数个LED发光晶粒的实际坐标位置以

(X₁+位移量,Y₁+位移量)表示，其中(X₁,Y₁)表示发光晶粒的原坐标位置；所述探针的扎针率为99.96%。

9.根据权利要求1所述的LED晶圆多晶粒检测方法，其特征在于，包括步骤：

以所述晶粒位置数量分析模块计算出所述复数个LED发光晶粒的位置及间距并判断出偏移的LED发光晶粒；

以所述探针模块进行量测所述复数个LED发光晶粒，并将所述偏移的LED发光晶粒相对应的探针抬起，使所述偏移的LED发光晶粒未执行量测；

再次以所述探针模块进行量测所述复数个LED发光晶粒，将量测过的LED发光晶粒对应的探针抬起，并将所述偏移的LED发光晶粒相对应的探针降下，对所述偏移的LED发光晶粒执行量测。

10.一种LED晶圆多晶粒检测装置，其特征在于，包括：

检测平台，是具有可移动的中空平台，所述中空平台用于放置附有LED发光晶粒的置晶胶膜；

晶粒影像撷取模块，具有影像撷取镜头，并撷取所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的LED发光晶粒影像；

晶粒位置数量分析模块，用于接收所述晶粒影像撷取模块的影像数据；以及

晶粒探针模块，设置于所述中空平台的边缘，并接触所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的LED发光晶粒。

11.根据权利要求10所述的LED晶圆多晶粒检测装置，其特征在于，其中所述探针模块，还包括：复数个固定座，各所述固定座的一端设于所述中空平台边缘，并且各所述固定座的另一端分别设有探针，所述探针模块可进行Zup/down的修正。

12.根据权利要求10所述的LED晶圆多晶粒检测装置，其特征在于，其中所述晶粒位置数量分析模块是根据接收所述晶粒影像撷取模块的影像数据后，计算出所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置。

13.根据权利要求12所述的LED晶圆多晶粒检测装置，其特征在于，其中所述晶粒探针模块是根据所述晶粒位置数量分析模块计算出的所述附有LED发光晶粒的置晶胶膜上的所述LED发光晶粒的位置，调整探针间的距离。

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