CN103060763A - 真空成膜方法及真空成膜装置 - Google Patents

Abstract

提供一种紧凑且使用方便、初期成本和运行成本均低廉的真空成膜装置及真空成膜方法。在成膜室（2）内设置工件支架（10）和磁控管电极（15）。在磁控管电极（15）设置第一靶材料（16），且与之重叠地设置第二靶材料（17）。第二靶材料（17、17）能够采用覆盖第一靶材料（16）的位置和敞开的位置这两个位置。向工件支架（10）与第一、二靶材料（16、17）之间能够选择地施加直流电压和高频电压。

Description

真空成膜方法及真空成膜装置

技术领域

本发明涉及将注塑成形后的成膜用工件向成膜室搬入而进行成膜的真空成膜方法及真空成膜装置，并未限定于此，但尤其是涉及还能够继续形成重合膜的真空成膜方法及真空成膜装置。

背景技术

作为在成膜用工件的表面的局部具有0.01~几μm级的薄膜的产品，可以列举例如装备于汽车的前灯。该前灯由蒸镀装置、溅射装置、或CVD成膜装置来制造，但这种真空成膜装置也适用于磁盘的生成、CD/DVD的记录面的金属膜的生成、液晶显示装置的透明电极的生成、光催化剂膜的生成。具有这种薄膜的产品利用注塑成形成形出成膜用工件，并且设置在真空状态的成膜室内，接着利用后述的成膜要素而形成薄膜。而且，对基板上的有机发光层进行保护的保护膜也利用同样的真空成膜装置形成。

以往，在这种成膜用工件的表面形成薄膜的蒸镀方法或成膜方法作为干涂法而广为周知，已知有例如：使成膜用工件的表面与靶材料相对，在几Pa~几十Pa左右的氩气环境中对靶材料施加300~几kV的负的电压，然后放电而形成薄膜的溅射方法；在真空室中将从电子枪产生的电子束向靶材料照射而使其加热蒸发，从而在成膜用工件的表面进行成膜的电子束蒸发方法；对基板施加300~几kV的负的电压，在几Pa的氩气的压力下进行真空蒸镀的离子镀方法；及等离子体成膜方法等，另外还已知有化学蒸镀法。

还已知有如上述那样形成薄膜，在所述薄膜上继续形成重叠形式的膜即重合膜的成膜方法。该已知的成膜方法包括：将注塑成形后的成膜用工件搬入到低真空状态的前室内的工序；向高真空状态的溅射室移送而成膜出薄膜的工序；接着向中真空状态的重合室移送而以层叠的方式形成重合膜的工序；及经由低真空状态的取出室而作为产品取出的工序等。实施这样的多个工序的室包括前室、溅射室、重合室、取出室等，存在装置整体大型化而初期成本高的缺点。而且，由于整体室的容积大，因此存在真空吸引花费时间、消耗能量也高涨、运行成本升高的问题。

另外，在利用上述的干涂法来成形薄膜时，若在成膜用工件、成膜室等存在水分，则膜的生成、尤其是薄膜向成膜用工件的表面的密接性受损。因此，在将成膜用工件向成膜室搬入并进入实质性的成膜动作之前，进行将成膜室内形成为1×10^-3Pa左右的高真空而除去水分的前处理。由于这种前处理而消耗能量增加，成膜花费长时间且成本升高。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2011-58048号公报

在专利文献1中公开了一种在成膜室内具备成膜用的靶和重合膜用的靶这两个靶的成膜装置。在所述靶上分别设置开闭器，并且配置成横向一列。与成膜用的靶和重合膜用的靶对应设置的成膜用工件的支承部在所述靶之间移动。而且，在上述专利文献1中公开了一种将从成形机取出的成膜用工件通过例如热风保温至40℃以上并向真空成膜用室移载，然后减压后而进行成膜的真空成膜方法。

专利文献1公开的真空成膜方法或成膜装置在1个成膜室内设置成膜用和重合膜用这两个靶电极，因此与以往的由两个成膜室构成的周知的装置相比，变得紧凑而初期成本和运行成本均得到某种程度的减少。不过，可意识到还有改良的余地。例如，由于将两个靶电极配置成横向一列，因此在横向上较长的成膜装置主体并不一定紧凑。而且，由于成膜装置大，换言之成膜室的容积大，因此排气用的真空泵等的容量大，排气时间也长，初期成本和运行成本均升高。

另外，专利文献1记载的成膜用工件由于被保温，因此能够期待某种程度的水分除去，但加温保持基于如下的理由而可以说成为没有特殊意义的无用的处理。通常，注塑成形后的成形品即成膜用工件以比室温高的状态从模具取出，但如此的话，在比室温高的状态下受到从成膜用工件排出的气体的支配，水分的吸存不可能发生。进一步说明的话，通常已知的情况是，树脂成形品在成形后，达到常温后保持排出气体与水分吸存的平衡状态并在约4小时稳定。如在规定时间内向成膜装置主体内搬入，则温度下降小，即便没有水分的问题，也吹出热风而保持为40℃以上，因此会无用地消耗能量。

另外，在使腔室内急剧减压时，由于隔热减压而腔室内的温度急剧下降。其结果是，腔室的内壁会结露。由于并未特别采取针对这种现象的对策，因此必须在将结露水排除后进入成膜动作，从而成膜花费时间。当逐渐减压时，即使能够避免结露，由于排气花费时间，结果是成膜时间变长。

发明内容

因此，本发明目的在于提供一种无论是由单层构成的薄膜，还是层叠于该薄膜的方式的重合膜，都能够以廉价的设备费且以低的运行成本形成的真空成膜方法及在该方法的实施中使用的真空成膜装置。

本发明为了实现上述目的，成膜用工件通过注塑成形而成形。在该注塑成形中，如以往周知那样，适用固定侧模具和可动侧模具。从模具取出的成膜用工件向成膜室搬入，然后成膜。此时，取出成膜用工件而向成膜室搬入时的外部气体温度或工厂内的室温即使在夏天的高温时也为大致30~35℃以下。另一方面，从模具取出的成膜用工件的温度远高于室温，例如为80℃左右。因此，成膜用工件由从其表面排出的气体支配，成膜用工件不会吸存水分。而且，树脂制的成膜用工件为热的不良导体，因此不会发生急剧的温度下降。因此，在本发明中从模具取出的成膜用工件不用格外进行加热等的温度处理，向成膜室搬入。此时，成膜室内被调温成取出成膜用工件时的、大致模具温度即成膜用工件不会再熔融的程度的约80℃，将成膜室内的水分除去。由于水分被除去，因此能够急速减压而缩短成膜时间。

在能够减压也能够导入惰性气体或单体的成膜室内设有：载置成膜用工件的工件支架；及与该工件支架相对，根据需要重叠安装靶材料的磁控管电极。即，在磁控管电极设置第一靶材料，与该第一靶材料重叠而设置第二靶材料。该第二靶材料采用覆盖第一靶材料的覆盖位置和敞开的避让位置。

向这种成膜室内搬入成膜用工件，并且向工件支架与设置于磁控管电极的第一、二靶材料之间选择性地施加直流电压（DC）和高频电压（RF），从而在成膜工件上形成薄膜，而且在薄膜上成形重合膜。

即，本发明第一方面为了实现上述目的而构成为一种真空成膜方法，其特征在于，将注塑成形的成膜用工件安装在成膜室的工件支架上，其中，所述成膜室配置成使设置于磁控管电极的第一、二靶材料在与所述工件支架相对的方向上重合，对所述成膜室内进行减压，使所述第二靶材料退避，向所述第一靶材料与所述工件支架之间施加电压，利用所述第一靶材料在所述成膜用工件的表面上形成薄膜。

本发明第二方面构成为一种真空成膜方法，其特征在于，将注塑成形的成膜用工件安装在成膜室的工件支架上，其中，所述成膜室配置成使设置于磁控管电极的第一、二靶材料在与所述工件支架相对的方向上重合，对所述成膜室内进行减压，由所述第二靶材料覆盖所述第一靶材料，向所述第二靶材料与所述工件支架之间施加电压，利用所述第二靶材料在所述成膜用工件的表面上形成薄膜。。

本发明第三方面构成为一种真空成膜方法，其特征在于，通过第一方面所述的方法形成薄膜，接着向所述成膜室内导入重合用单体，由所述第二靶材料覆盖所述第一靶材料，向所述第二靶材料与所述工件支架之间施加电压，而以层叠在所述薄膜上的方式形成重合膜。

本发明第四方面构成为一种真空成膜方法，其特征在于，通过第一或第二方面所述的方法形成薄膜，接着向所述成膜室内导入重合用单体，向所述第一靶材料与所述工件支架之间或所述第二靶材料与所述工件支架之间施加电压，而以层叠在所述薄膜上的方式形成重合膜。

本发明第五方面构成为一种真空成膜方法，以第一至第四方面中任一方面为基础，其特征在于，向所述靶材料施加高频，将附着在该靶材料的表面上的绝缘物除去来形成薄膜或重合膜。

本发明第六方面构成为一种真空成膜方法，以第一至第五方面中任一方面为基础，其特征在于，在从注塑成形用的模具取出的成膜用工件降温至低于室温之前，将该成膜用工件搬入至被调温成接近取出了该成膜用工件的所述模具的温度的成膜室内，形成薄膜或重合膜。

本发明第七方面构成为一种真空成膜装置，在被控制成所希望的环境的成膜室内设有：载置成膜用工件的工件支架；及能够安装靶材料的磁控管电极，所述真空成膜装置的特征在于，在所述磁控管电极上设置第一靶材料，并以重叠于所述第一靶材料的方式设置第二靶材料，所述第二靶材料能够采取覆盖所述第一靶材料的位置和敞开的位置这两个位置。

本发明第八方面构成为一种真空成膜装置，以第七方面为基础，其特征在于，向所述工件支架与第一、二靶材料之间选择性地施加直流电压和高频电压。

本发明第九方面构成为一种真空成膜装置，以第七或第八方面为基础，其特征在于，所述第二靶材料由两个板状的电极构成，该两个板状的电极被左右对开地驱动，从而覆盖所述第一靶材料或敞开。

本发明第十方面构成为一种真空成膜装置，以第七至第九方面中任一方面为基础，其特征在于，在所述成膜室设有两个惰性气体导入口和两个排气口，所述一个惰性气体导入口和一个排气口设置在所述靶电极的背面侧。

【发明效果】

如以上那样，根据本发明，在被控制成所希望的环境的成膜室内设有载置成膜用工件的工件支架和能够安装靶材料的磁控管电极，在磁控管电极设置第一靶材料，在所述第一靶材料上重叠地设置第二靶材料，第二靶材料能够采取覆盖第一靶材料的位置和敞开的位置这两个位置，因此即具备第一、二两个靶材料，但由于所述靶材料以与工件支架相对的方式重叠设置，因此与相对于工件支架沿着横向排列设置的以往的装置相比，变得紧凑。由此，成膜室的容积减小，能够适用容量小的排气泵。因此，能得到提供一种廉价的真空成膜装置的效果。而且，由于成膜室的容积小，因此能够节能地在短时间内减压成规定的压力。因此，还可得到能够以低运行成本通过本发明第一、二方面所述的方法形成薄膜的效果。

另外，根据本发明，第二靶材料设置成能够以可采取覆盖第一靶材料的位置和敞开的位置这两个位置的方式驱动，因此可以将第一、二靶材料适当分开使用而在成膜用工件的表面形成薄膜，也能够以层叠在该薄膜上的方式，通过第三方面所述的方法形成重合膜。此时，不用使靶材料和工件支架移动而能够形成重合膜。

根据另一发明，由于成膜室内被调温成接近取出了成膜用工件的模具的温度，因此会将成膜室内的水分除去。因此，可得到能够将成膜工件向成膜室搬入而急速减压来形成薄膜的效果。

此外，根据另一发明，两个中的1个惰性气体导入口和1个排气口设置在靶电极的背面侧，因此向靶电极的背面侧这样狭窄的空间内也能够容易且短时间地导入惰性气体，而且能够完全排出，因此能够以短的形成循环形成高品质的薄膜。

附图说明

图1是本发明的实施方式的真空成膜装置的示意性的剖视图。

【标号说明】

W成膜用工件            2成膜室

10工件支架             15磁控管电极

16第一靶材料           17第二靶材料

25直流电源             27高频电源

31第一惰性气体导入管   31第二惰性气体导入管

43单体导入管           47干气导入管

50粗吸管（吸引管）

具体实施方式

以下，通过图1，说明本发明的真空成膜装置的实施方式。本实施方式的真空成膜装置的概略情况如图1所示，包括：由成膜室2构成的成膜装置主体1；注塑成形出成膜用工件的成形机；及将由成形机成形出的成膜用工件向成膜室2搬运的移送装置。然而，无论是成形机还是移送装置均能够以已知的方式实施，因此在图1中未表示。

成膜室2以呈大致长方体的方式由框体构成。在图1中，在左方的侧部的开口部设有被驱动成沿着与纸面垂直的垂直方向滑动的开闭门。打开该开闭门而将成膜用工件向成膜室2内搬入或从成膜室2内搬出，通过关闭而能够将内部保持为气密。如此构成的成膜室2的、包括开闭门的内周面由铝制的板材覆盖，对其表面涂硅，在外周面粘贴橡胶加热片。通过该橡胶加热片，内部的温度被保持为接近成形机的模具温度，更明确来说被保持为接近取出成膜用工件时的模具温度的温度，例如虽然因树脂的种类而不同但被保持为80℃左右。当成为80℃以上时，成膜用工件有时发生热变形，因此还具备冷却装置。即，被调温成80℃左右。

图1中虽未明确表示，但在使成膜用工件出入成膜室内的台车6的前端部设置有开设了多个细孔的规定高度的整流板7。经由该整流板7，在打开开闭门时，能够将从后述的干气罐稍加压而向成膜室2吹入的干气排出。由此，能够防止在高温多湿时水分随便地侵入成膜室2的情况，从而能够缩短真空泵的工作时间。

真空成膜装置如前述那样，作为溅射成膜装置、电子束蒸发装置、离子镀成膜装置等而已知，溅射方式的成膜装置也作为直流式、高频式、磁控管式等而周知，因此不进行详细说明。而且，向主要由辉光放电而得到的低温等离子体导入有机气体时，分子量逐渐增加，从等离子体空间沉积于成膜工件表面而形成重合膜，但该成膜装置也周知，因此不进行详细说明。

以下，对于图1示意性表示的成膜要素进行说明。在成膜室2的底板4的规定位置上设有工件支架10。该工件支架10从底板4到规定高度，在上下方向上被沿着旋转方向驱动旋转360度以上。工件支架10与成膜室2的壁面导通，因此当向壁面施加例如正的电压时，工件支架10也被施加电压。

与工件支架10相对地在其上方空间设置有磁控管电极15即（及）背板。在该磁控管电极15上设有第一靶材料16，且与该第一靶材料16重叠地设有第二靶材料17。第二靶材料17、17在图1中以左右对开地打开的状态表示，但关闭时能够重叠于第一靶材料16并覆盖第一靶材料16。如此，第一、二靶材料16、17重叠，因此能够成膜出两种不同的薄膜。并且，尽管是能够成膜出两种不同的薄膜的装置，但成膜室2尽可能地在横向上紧凑。而且，不用使成膜用工件沿着横向移动就能够形成重合膜。第二靶材料17、17由根据需要覆盖第一靶材料16然后释放的一对板构成。一对板状的第二靶材料17、17的端部安装在各个驱动臂18、18的前端部。驱动臂18、18的另一端部由绝缘衬套19、19轴支承为旋转自如。因此，由未图示的活塞缸单元等对驱动臂18、18进行驱动时，第二靶材料17、17左右对开地进行开闭。由于是左右对开地开闭，因此虽然设置有由两张板构成的第二靶材料17、17，但成膜室2并未扩宽成必要以上。

在成膜室2的外部，直流电源（DC）、高频电源（RF）、单体罐等如以下说明那样设置。即，电源端子20经由未图示的绝缘盖体21，并通过同样未图示的树脂制螺栓而安装于成膜室2的上部的盖体。该电源端子20越过磁铁箱而到达磁控管电极15。并且，该电源电缆22与磁控管电极15连接。在磁控管电极15即（及）背板，根据需要从外部供给冷却水并使其在背板内循环，从而能够对磁控管电极15或第一、二靶材料16、17进行冷却。需要说明的是，向背板供给的冷却水在本实施方式中从1个部位导入，在内部循环而从导入口附近流出。由此，对冷却水进行密封的部分变短。

根据本实施方式，具备直流电源（DC）和高频电源（RF）。直流电源25经由滤波器26与开关装置29连接，高频电源27经由匹配箱28与开关装置29连接。负的电压从开关装置29利用电缆22向磁控管电极15施加，正电压经由电缆23等向成膜室2的壁面施加，因此向工件支架10施加。向磁控管电极15施加的电压被向第一靶材料16施加，但第二靶材料17、17成为与第一靶材料16重叠的状态时，也向第二靶材料17、17施加电压。当切换开关装置29时，可以取代直流电压而施加高频电压。

与氩气那样的惰性气体罐连接的第一、二惰性气体导入管31、32在成膜室2的上壁开口，与氧或氮气罐连接的气体导入管40、单体导入管43及干气导入管47在侧壁开口，真空吸管即吸引成低真空度的粗吸管50在底壁开口。

在第一惰性气体导入管31安装有流量控制阀33和电磁开闭阀34。该管31在成膜室2的宽的部分开口而构成主导入管。在第二惰性气体导入管32安装有针阀35和电磁开闭阀36。该第二惰性气体导入管32是辅助性的导入管，利用该管而向靶电极15的背面侧这样狭窄的空间供给惰性气体。从第二惰性气体导入管32分支出安装有排气用阀37的吸引管38。该吸引管38的终端与粗吸管50连接。利用该吸引管38，将倾向于积存在靶电极15的背面侧的狭窄部位处的惰性气体等的不需要气体大致完全排出。

在单体导入管43安装有单体导入阀44和单体用流量控制阀45，并与单体罐46连接。干气导入管47经由通气阀48而与干气罐49连接。在粗吸管50安装有伺服蝶式阀51、干泵52、旋转泵53，并向大气中开口。

本实施方式的真空成膜装置如上述那样，具备工件支架10、磁控管电极15、直流电源25、高频电源27、开关装置29等，并且在磁控管电极15上设有第一靶材料16，可以将第二靶材料17设置成与第一靶材料16重叠，因此通过将它们适当组合而能够形成各种薄膜，但以下说明其代表的成膜例。

如众所周知那样，向由固定侧模具和可动侧模具构成的型腔注射熔融树脂而成形出成膜用工件W。冷却固化到某种程度之后，例如使模具温度下降到80℃左右之后，打开可动侧模具而将成膜用工件W取出。此时的模具温度也即成膜用工件的温度虽然因树脂的种类而不同但为大致80℃。向预先调温成与模具温度相同程度的80℃的成膜室2搬入而安装在工件支架10上。使旋转泵53起动而使成膜室2内急速减压，从而成为规定的压力值。即使急速减压也被加热成80℃左右，而将水分除去，因此不会结露。从第一惰性气体导入管31导入惰性气体、例如氩气。而且，从第二惰性气体导入管31也向磁控管电极15的背面侧导入氩气。由此，成膜室2内成为所希望的环境。接下来，将工件支架10驱动至规定高度，并且一边以规定的速度进行旋转驱动一边如下那样成膜。

（1）利用第一靶材料16形成薄膜的成膜方法。

作为第一靶材料16而将例如铝设置于磁控管电极15。将也起到罩的作用的第二靶材料17、17打开。如此，第一靶材料16如图1所示那样敞开而露出，从而与成膜用工件W相对。

（a）当向磁控管电极15与工件支架10之间施加DC电压时，能够由第一靶材料16在成膜用工件W的表面上形成薄膜。

（b）或者对开关装置29进行切换并施加RF电压而形成薄膜。

（2）利用第二靶材料17、17形成薄膜的成膜方法。

第二靶材料17、17采用其他种类的材料例如不锈钢。将第二靶材料17、17向闭方向驱动而覆盖第一靶材料16并保护第一靶材料16。第二靶材料17与成膜用工件W相对。

（a）当向磁控管电极15与工件支架10之间施加DC电压时，能够利用第二靶材料17在成膜用工件的表面上形成薄膜。

（b）或者利用开关装置29切换成RF电压而形成薄膜。

（3）形成第一层的薄膜，并在其上继续形成重合膜的成膜方法。

如前述那样利用第一靶材料16或第二靶材料17形成薄膜。接着，从单体导入管43将单体向成膜室2内导入，而形成为规定的环境。并且，

（a）向第一靶材料16与工件支架10之间施加DC电压而在薄膜上形成重合膜。

（b）或者由第二靶材料17、17覆盖保护第一靶材料16。并且，向第二靶材料17、17与工件电极10之间施加DC电压而在薄膜上形成重合膜。

（c）或者利用开关装置29切换成RF电压而形成薄膜。

如上述那样成膜时，向第一靶材料16或第二靶材料17附着绝缘物而直流放电可能变得不稳定。这种情况下，或者每当规定时间的运转时利用RF敲击靶材料的表面，即进行预先溅射，将表面的氧化物即绝缘物除去。以下与上述方法同样地形成薄膜或重合膜。

Claims (16)

1.一种真空成膜方法，其特征在于，

将注塑成形的成膜用工件安装在成膜室（2）的工件支架（10）上，其中，所述成膜室（2）配置成使设置于磁控管电极（15）的第一、二靶材料（16、17）在与所述工件支架（10）相对的方向上重合，

对所述成膜室（2）内进行减压，使所述第二靶材料（17、17）退避，向所述第一靶材料（16）与所述工件支架（10）之间施加电压，利用所述第一靶材料（16）在所述成膜用工件（W）的表面上形成薄膜。

2.根据权利要求1所述的真空成膜方法，其特征在于，

接着向所述成膜室（2）内导入重合用单体，由所述第二靶材料（17）覆盖所述第一靶材料（16），向所述第二靶材料（17）与所述工件支架（10）之间施加电压，而以层叠在所述薄膜上的方式形成重合膜。

3.根据权利要求1所述的真空成膜方法，其特征在于，

接着向所述成膜室（2）内导入重合用单体，向所述第一靶材料（16）与所述工件支架（10）之间或所述第二靶材料（17）与所述工件支架（10）之间施加电压，而以层叠在所述薄膜上的方式形成重合膜。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的真空成膜方法，其特征在于，

向所述靶材料（16、17）施加高频，将附着在该靶材料（16、17）的表面上的绝缘物除去来形成薄膜或重合膜。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的真空成膜方法，其特征在于，

在从注塑成形用的模具取出的成膜用工件（W）降温至低于室温之前，将该成膜用工件（W）搬入至被调温成接近取出了该成膜用工件（W）的所述模具的温度的成膜室（2）内，形成薄膜或重合膜。

6.根据权利要求4所述的真空成膜方法，其特征在于，

在从注塑成形用的模具取出的成膜用工件（W）降温至低于室温之前，将该成膜用工件（W）搬入至被调温成接近取出了该成膜用工件（W）的所述模具的温度的成膜室（2）内，形成薄膜或重合膜。

7.一种真空成膜方法，其特征在于，

将注塑成形的成膜用工件安装在成膜室（2）的工件支架（10）上，其中，所述成膜室（2）配置成使设置于磁控管电极（15）的第一、二靶材料（16、17）在与所述工件支架（10）相对的方向上重合，

对所述成膜室（2）内进行减压，由所述第二靶材料（17、17）覆盖所述第一靶材料（16），向所述第二靶材料（17）与所述工件支架（10）之间施加电压，利用所述第二靶材料（17）在所述成膜用工件（W）的表面上形成薄膜。

8.根据权利要求7所述的真空成膜方法，其特征在于，

接着向所述成膜室（2）内导入重合用单体，向所述第一靶材料（16）与所述工件支架（10）之间或所述第二靶材料（17）与所述工件支架（10）之间施加电压，而以层叠在所述薄膜上的方式形成重合膜。

9.根据权利要求7或8所述的真空成膜方法，其特征在于，

向所述靶材料（16、17）施加高频，将附着在该靶材料（16、17）的表面上的绝缘物除去来形成薄膜或重合膜。

10.根据权利要求7或8所述的真空成膜方法，其特征在于，

在从注塑成形用的模具取出的成膜用工件（W）降温至低于室温之前，将该成膜用工件（W）搬入至被调温成接近取出了该成膜用工件（W）的所述模具的温度的成膜室（2）内，形成薄膜或重合膜。

11.根据权利要求9所述的真空成膜方法，其特征在于，

在从注塑成形用的模具取出的成膜用工件（W）降温至低于室温之前，将该成膜用工件（W）搬入至被调温成接近取出了该成膜用工件（W）的所述模具的温度的成膜室（2）内，形成薄膜或重合膜。

12.一种真空成膜装置，在被控制成所希望的环境的成膜室（2）内设有：载置成膜用工件（W）的工件支架（10）；及能够安装靶材料的磁控管电极（15），所述真空成膜装置的特征在于，

在所述磁控管电极（15）上设置第一靶材料（16），并以重叠于所述第一靶材料（16）的方式设置第二靶材料（17），所述第二靶材料（17）能够采用覆盖所述第一靶材料（16）的位置和敞开的位置这两个位置。

13.根据权利要求12所述的真空成膜装置，其特征在于，

向所述工件支架（10）与第一、二靶材料（16、17）之间选择性地施加直流电压和高频电压。

14.根据权利要求12或13所述的真空成膜装置，其特征在于，

所述第二靶材料（17、17）由两个板状的电极构成，该两个板状的电极被左右对开地驱动，从而覆盖所述第一靶材料（16）或敞开。

15.根据权利要求12或13所述的真空成膜装置，其特征在于，

在所述成膜室（2）设有两个惰性气体导入口（31、32）和两个排气口（38、50），所述一个惰性气体导入口（32）和一个排气口（38）设置在所述靶电极（15）的背面侧。

16.根据权利要求14所述的真空成膜装置，其特征在于，

在所述成膜室（2）设有两个惰性气体导入口（31、32）和两个排气口（38、50），所述一个惰性气体导入口（32）和一个排气口（38）设置在所述靶电极（15）的背面侧。

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