CN102659106A - 一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法 - Google Patents

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李长生
杨锋
唐华
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Abstract

本发明公开了一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,步骤为:(1)在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末,加入酒精,控温70℃,加热搅拌1h以上,直至酒精蒸发干净,得剩余粉末;其中,Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1;(2)转剩余粉末至管式炉,在氩气气氛下,1420℃烧结2~2.5h,自然降温,得到Ti3SiC2粉体。本发明以Ti、Si、C、Al等单质为原料,通过优化混合方式,采用无压烧结方法在1420℃及氩气保护下合成了高纯度(96.7%)Ti3SiC2粉末,具有很好的实用性,有很好的经济前景,能产生很好的社会效益。

Description

一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法
技术领域
本发明涉及一种新型的陶瓷材料,具体涉及一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法。 
背景技术
Ti3SiC2作为一种新型的陶瓷材料,结合了金属和陶瓷的很多优良性能,最近受到越来越多的广泛关注。Ti3SiC2属于三元层状化合物,此类化合物的通式为MN + 1AXN (式中 N=1,2 ,3;M 为过渡金属元素,A 为 IIIA 族或 IVA 族元素,X为碳或氮元素)。它们既有与金属相似的良好的导热、导电性,相对柔软、可塑性好以及优越的可加工性,又有与陶瓷材料相近的物理化学性能,如高熔点、抗氧化、耐化学腐蚀、耐高温和优良的抗热震性能等。 
国内外对Ti3SiC2的粉体及块体进行了大量研究,目前制备Ti3SiC2的方法有气象合成法、自蔓延高温合成法、热等静压法和放电等离子烧结等。Zou等用液相反应烧结出纯度很高的Ti3SiC2粉末,Sun等用Ti、Si、TiC、Al粉末在1300℃用无压烧结法合成出高纯度Ti3SiC2粉末。但是,他们的合成工艺大都包含球磨混合,存在生产效率低、操作过程复杂、原料易氧化和耗时长等不足,且在工业上无法实现大批量生产。 
发明内容
发明目的:针对现有技术中存在的不足,本发明的目的是提供一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,以实现操作简单,耗时短,产品纯度高等优点。 
技术方案:为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下: 
一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,步骤如下:
(1)在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末,加入酒精,控温70℃,加热搅拌1h以上,直至酒精蒸发干净,得剩余粉末;其中,Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1;
(2)转剩余粉末至管式炉,在氩气气氛下,1420℃烧结2~2.5h,自然降温,得到Ti3SiC2粉体。
步骤(2)中,以10℃/min的速度加热到1420℃,烧结2h。 
所制备出的Ti3SiC2粉体厚度为10~20nm。 
有益效果:本发明以Ti、Si、C、Al等单质为原料,通过优化混合方式,采用无压烧结方法在1420℃及氩气保护下合成了高纯度(96.7%)Ti3SiC2粉末,具有很好的实用性,有很好的经济前景,能产生很好的社会效益。 
附图说明
图1是实施例1的固体润滑油添加剂钼掺杂二硒化钨纳米片的X射线能谱(EDS)谱图。 
图2是实施例1的固体润滑油添加剂钼掺杂二硒化钨纳米片电镜(SEM)下的微观形貌图片。 
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的解释。 
实施例1 
将Ti、Si、C、Al等单质粉末以摩尔比Ti:Si:C:Al=3:1:2:0.1称量,将原料粉末倒入烧杯中,加入适量酒精,然后将烧杯置于恒温磁力搅拌器上,加热温度70℃,并不断搅拌。酒精在加热过程中被蒸发,大约经过1小时,酒精蒸发干净。将剩下的粉末放入坩埚,并放进管式炉中烧结,在氩气气氛下以10℃/min的速度加热到1420℃,保温2h,随炉冷却室温,得到纯度很高的Ti3SiC2粉末。通过XRD衍射图片,如图1所示,可以看出样品的成分是纯度很高的Ti3SiC2粉末,纯度高达96.7%。通过SEM图片可以看到样品的微观形貌是层状的结构,如图2所示,Ti3SiC2的纳米片表面非常平整光滑,纳米片的尺寸比较大,厚度在10到20nm左右。
实施例2 
将Ti、Si、C、Al等单质粉末以摩尔比Ti:Si:C:Al=2.9:1.1:2.1:0.11称量,将原料粉末倒入烧杯中,加入适量酒精,然后将烧杯置于恒温磁力搅拌器上,加热温度70℃,并不断搅拌。酒精在加热过程中被蒸发,大约经过1h,酒精蒸发干净。将剩下的粉末放入坩埚,并放进管式炉中烧结,在氩气气氛下以10℃/min的速度加热到1420℃,保温2.5h,随炉冷却室温,得到纯度很高的Ti3SiC2粉末。纯度高达95.3%。
实施例3 
将Ti、Si、C、Al等单质粉末以摩尔比Ti:Si:C:Al=3.1:0.9:1.9:0.09称量,将原料粉末倒入烧杯中,加入适量酒精,然后将烧杯置于恒温磁力搅拌器上,加热温度70℃,并不断搅拌。酒精在加热过程中被蒸发,大约经过1小时,酒精蒸发干净。将剩下的粉末放入坩埚,并放进管式炉中烧结,在氩气气氛下以10℃/min的速度加热到1420℃,保温2h,随炉冷却室温,得到纯度很高的Ti3SiC2粉末。纯度高达96.5%。

Claims (3)

1.一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,其特征在于,步骤如下:
(1)在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末,加入酒精,控温70℃,加热搅拌1h以上,直至酒精蒸发干净,得剩余粉末;其中,Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1;
(2)转剩余粉末至管式炉,在氩气气氛下,1420℃烧结2~2.5h,自然降温,得到Ti3SiC2粉体。
2.根据权利要求1所述的无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,其特征在于:步骤(2)中,以10℃/min的速度加热到1420℃,烧结2h。
3.根据权利要求1所述的无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法,其特征在于:所制备出的Ti3SiC2粉体厚度为10~20nm。
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