CN102598403B

CN102598403B - 表面通信装置

Info

Publication number: CN102598403B
Application number: CN201080048493.6A
Authority: CN
Inventors: 小林直树
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2009-10-30
Filing date: 2010-10-08
Publication date: 2014-12-10
Anticipated expiration: 2030-10-08
Also published as: US9070962B2; WO2011052361A1; US20120206314A1; CN102598403A; JPWO2011052361A1; JP5644769B2

Abstract

本发明提供一种表面通信装置，其具备：电磁波传送部，传送电磁波且具有薄板形状；和供电装置部和接收装置部中的至少一方，所述供电装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且向所述电磁波传送部供给电磁波，所述接收装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且接收经由所述电磁波传送部传送的所述电磁波。所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方具备：电磁波耦合部，对所述电磁波传送部发送电磁波，或者接收来自所述电磁波传送部的所述电磁波；和电磁波抑制部，具有以包围所述电磁波耦合部的方式沿着所述电磁波传送部的表面排列的多个导体的单位结构，抑制来自所述电磁波耦合部与所述电磁波传送部之间的电磁波的泄漏。

Description

表面通信装置

技术领域

本发明涉及向负载供给电力的技术，特别是涉及从供电侧向薄板供给电力、或者从薄板向负载等受电侧供给电力的表面通信装置。

背景技术

作为通过利用电磁波的通信向负载供给电力的方法，具有如下的方法：供电装置和接收装置分别以不导通的方式配置在薄板状的通信介质中，将从供电装置以无线方式供给的电力经由薄板状的通信介质在接收装置侧以无线方式接收。并且，作为该方法的变形例，还有如下方法：以接触供电方式进行从供电装置到通信介质的供电，以无线方式进行从通信介质到接收装置的接收。作为又一变形，容易想到以无线供电方式进行从供电装置到通信介质的供电、且以接触供电方式进行从通信介质到接收装置的供电的方法也可以应用于未来的应用范围。以上，将这种通信方法以及包括变形例在内，在以下适当称作“表面通信”。表面通信是可在二维薄板上的任意2点之间进行通信，或者可在薄板上的任意点进行发送或接收的其中一方的方法。

在这种方法中，例如专利文献1公开了用于从供电装置向接收装置供给电力的电磁波在薄板状介质中在相对置的导体所夹持的峡谷区域内传播的结构。

此外，非专利文献1公开了薄板状的通信介质上的电力通信的原理。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开2008-295176号公报

非专利文献

非专利文献1：篠田裕之、“素材表面に形成する高速センサネットヮ一ク”、計測と制御、2007年2月号、第46巻、第2号、p.98-103

发明内容

(发明想要解决的课题)

但是，目前的表面通信中存在如下的问题。

一般，供电装置与接收装置之间的电力传输效率、即通信性能，依赖于供电装置与薄板状的通信介质之间、薄板状的通信介质与接收装置之间的电力传输效率。理想的是，供电装置的情况下，只要向薄板状的通信介质发送由供电装置供给的全部电力即可。但是，实际上，会从供电装置与薄板状的通信介质之间的间隙向外部泄漏电磁波的一部分。接收装置的情况下，只要从薄板上的通信介质可接收由接收装置接收的全部电力即可。但是，实际上，会从接收装置与薄板上的通信介质之间的间隙向外部泄漏电磁波的一部分。

泄漏到外部的电磁波即泄漏电磁波作为放射电力而损失掉，因此会降低通信性能。而且，由于泄漏电磁波会影响周围的电波环境，因此期望尽可能地抑制。

因此，本发明的目的在于提供一种可抑制从供电部与薄板之间的间隙或接收部与薄板之间的间隙向装置的外部泄漏的电磁波、且能提高通信性能的表面通信装置。

(用于解决课题的手段)

本发明的第1实施方式所涉及的表面通信装置具备：电磁波传送部，其传送电磁波且具有薄板形状；和供电装置部和接收装置部中的至少一方，所述供电装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且向所述电磁波传送部供给电磁波，所述接收装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且接收经由所述电磁波传送部传送的所述电磁波。所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方具备：电磁波耦合部，其对所述电磁波传送部发送电磁波，或者接收来自所述电磁波传送部的所述电磁波；和电磁波抑制部，其具有以包围所述电磁波耦合部的方式沿着所述电磁波传送部的表面排列的多个导体的单位结构，抑制来自所述电磁波耦合部与所述电磁波传送部之间的电磁波的泄漏。

此外，本发明的第2实施方式所涉及的表面通信装置具备：电磁波传送部，其传送电磁波且具有薄板形状；供电装置部，其向所述电磁波传送部供给电磁波；和接收装置部，其接收经由所述电磁波传送部传送的所述电磁波。所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上。所述供电装置部和所述接收装置部的至少一方具备：电磁波耦合部，其对所述电磁波传送部发送电磁波，或者接收来自所述电磁波传送部的所述电磁波；和电磁波抑制部，其具有以包围所述电磁波耦合部的方式沿着所述电磁波传送部的表面排列的多个导体的单位结构，抑制来自所述电磁波耦合部与所述电磁波传送部之间的电磁波的泄漏。

在上述中，导体的单位结构是由至少一个以上的导体要素构成的结构体。在沿着电磁波传播部的表面排列多个上述的导体的单位结构的情况下，期望使用单位结构的物理形状相同的导体结构，但是也可以不相同。而且，在上述中，期望沿着电磁波传播部的表面的多个单位结构的间距恒定，但是可以不恒定。并且，在上述中，期望尽可能沿着电磁波传播部的表面多重排列包围电磁波耦合部的单位结构郡，但是也可以不多重排列。

(发明效果)

根据本发明，很难在电磁波耦合部与电磁波传送部之间的间隙传播电磁波，抑制来自表面通信装置的泄漏电磁波的同时能够提高通信性能。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的表面通信装置的示意结构的侧视图。

图2是从上方看图1的示意结构的图。

图3是本发明的实施方式所涉及的、放大了供电装置部与电磁波传播薄板对置的部分的图。

图4是在本实施方式的变形例所涉及的表面通信装置中放大了供电装置部和电磁波传播薄板对置的部分的图。

图5是表示本发明的表面通信装置结构的第一实施方式的图。

图6是沿着图5的切断线A-A的剖视图。

图7是用于通过等效电路模型补充说明图5的结构的图。

图8是表示本发明的表面通信装置的第二实施方式的图。

图9是用于说明人工阻抗导体的第二实施方式的图。

图10是表示本发明的第二实施方式所涉及的电磁场解析模型的图。

图11是表示本发明的第二实施方式所涉及的电磁场解析结果的图。

图12是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的图。

图13是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第一变形例的俯视图。

图14是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第二变形例的俯视图。

图15是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第三变形例的俯视图。

图16是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第四变形例的俯视图。

图17是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第五变形例的剖视图。

图18是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第六变形例的剖视图。

图19是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的第七变形例的剖视图。

图20是表示本发明的表面通信装置的第四实施方式的图。

图21是表示本发明的表面通信装置的第四实施方式的变形例的图。

图22是表示本发明的表面通信装置的第五实施方式的图。

图23是表示本发明的表面通信装置的第五实施方式的变形例的图。

图24是表示本发明的表面通信装置的第六实施方式的图。

图25是表示本发明的表面通信装置的第七实施方式的图。

图26是表示本发明的表面通信装置的第八实施方式的图。

图27是表示本发明的表面通信装置的第九实施方式的图。

图28是表示本发明的表面通信装置的第十实施方式的图。

图29是表示本发明的表面通信装置的第十一实施方式的图。

图30是表示本发明的表面通信装置的第十二实施方式的图。

图31是表示本发明的表面通信装置的第十三实施方式的图。

图32是表示本发明的表面通信装置的第十四实施方式的图。

图33是表示本发明的表面通信装置的第十五实施方式的图。

图34是表示本发明的表面通信装置的第十六实施方式的图。

图35是表示本发明的表面通信装置的第十七实施方式的图。

图36是表示本发明的表面通信装置的第十八实施方式的图。

图37是表示本发明的表面通信装置的第十八实施方式的变形例的图。

图38是表示本发明的表面通信装置的第十八实施方式的其他变形例的图。

图39是表示本发明的表面通信装置的第十九实施方式的图。

图40是表示本发明的表面通信装置的第二十实施方式的图。

图41是表示本发明的表面通信装置的第二十一实施方式的图。

图42是表示本发明的表面通信装置的第二十二实施方式的图。

图43是表示本发明的表面通信装置的第二十三实施方式的图。

图44是表示本发明的表面通信装置的第二十三实施方式的变形例的图。

图45是表示本发明的表面通信装置的第二十三实施方式的其他变形例的图。

图46是表示本发明的表面通信装置的第三实施方式的其他变形例的图。

图47是表示本发明的表面通信装置的第二实施方式的变形例的图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明用于实施本发明的表面通信装置的最佳方式。但是，本发明并不仅限于这些实施例。

(基本结构)

图1是表示本实施方式所涉及的表面通信装置的示意结构的侧视图，图2是从上方看图1的示意结构的图。

如图1和图2所示，在本实施方式所涉及的表面通信装置中，供电装置部(电磁波发送部)11和接收装置部(电磁波接收部)15设置在薄板状的电磁波传播薄板(电磁波传送部)14上。可在电磁波传送薄板14上设置多个供电装置部11和接收装置部15。也可以在电磁波传播薄板14上以可装卸的方式设置供电装置部11和接收装置部15。针对电磁波传播薄板14，在薄板上的任意位置以无导体接触、不导通状态，设置这些供电装置部11或者接收装置部15。在此，薄板状意味着布状、纸状、箔状、板状、膜状、薄膜状、网状等、具有作为面的广度、且厚度薄的板。

供电装置部11具备电磁波产生部12、发送电磁波耦合部13和泄漏电磁波抑制部30。泄漏电磁波抑制部30包围发送电磁波耦合部13的外周部。

图3是在图1中放大了供电装置部11和电磁波传播薄板14对置的部分的图。

如该图3所示，发送电磁波耦合部13具有放射导体13a和基准导体13b，是经由网眼层22向电磁波传播层21发送从电磁波产生部12接收到的电磁波的结构。

电磁波传送薄板14向沿着电磁波传送薄板14的薄板面的方向传播从供电装置部11供电的电磁波。电磁波传播薄板14在导体平坦层20的表面按顺序层叠电磁波传播层21、网眼层22、绝缘层23。

网眼层22是形成为网状的导体。

在电磁波传播薄板14中，在网眼层22和导体平坦层20所夹持的空间内，向沿着薄板的面的方向传播电磁波。

将绝缘层23设置成不会互相导通供电装置部11或接收装置部15与电磁波传播薄板14。作为绝缘层23的介质，是具有特定的介电常数、磁性率且不会使直流电流流过的介质。该介质还包含空气、真空。

接收装置部15由接收在电磁波传播薄板14中传送的电磁波的接收电磁波耦合部(电磁波耦合部)16、和输出所接收的电磁波的电磁波输出部17构成。接收电磁波耦合部16的结构基本上具有与发送电磁波耦合部13相同的结构。即，接收电磁波耦合部16由放射导体13a和基准导体13b的组合构成。但是，接收电磁波耦合部16在进行接收时不向电磁波传播层21发送电磁波，相反地接收来自电磁波传播层21的电磁波。以后，需要特别区分发送和接收时，将与接收电磁波耦合部16中的放射导体13a相同的结构称作接收导体。与发送电磁波耦合部13相同，接收装置部15也可以具备包围接收电磁波耦合部16的外周部的泄漏电磁波抑制部30。

泄漏电磁波抑制部30夹着绝缘层23与网眼层22对置，防止从发送电磁波耦合部13泄漏的电磁波沿着绝缘层23传播。

泄漏电磁波抑制部30由与发送电磁波耦合部13的基准导体13b连接的人工阻抗导体33、和夹在人工阻抗导体33与绝缘层23之间的空间层34构成。将相邻的绝缘层23和空间层34统称为泄漏电磁波层35。空气层34可以是空气，也可以由空气以外的电介质填充。

人工阻抗导体33抑制由发送电磁波耦合部13产生的电磁波中的未进入电磁波传播层21的电磁波作为泄漏电磁波而沿着泄漏电磁波层35泄漏到装置外侧区域36。因此，人工阻抗导体33使上述泄漏电磁波反射到发送电磁波耦合部13侧，或者经由网眼层22发送给电磁波传播层21。并且，在本发明的实施方式中，人工阻抗导体33以二维方式排列了特定的单位结构，以便在泄漏电磁波抑制部30中包围发送电磁波耦合部13。

如图4所示，在从电磁波传播薄板14装卸供电装置部11或接收装置部15时，为了防止与周围的不经意的电接触，也可以在上述的供电装置部11或接收装置部15的底面涂敷绝缘层11a(15a)。

以下，利用附图，说明这种人工阻抗导体33的更具体的结构的多个方式及其原理。另外，以下所示的各方式的说明仅对人工阻抗导体33进行，表面通信装置的其他部分的结构以上述的基本结构所示的构成为准，省略其说明。

(第一实施方式)

图5和图6是用于具体说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第一实施方式的图。图5和图6示出了发送电磁波耦合部13的周围，在接收电磁波耦合部16的周围也具有同样的结构。以下，在其他实施方式中也是同样的。如图5的(a)部和图6所示，本实施方式中的人工阻抗导体33构成为：将一个以上的人工阻抗导体单位结构41沿着电磁波传送薄板14的表面以二维方式配置，且配置成包围发送电磁波耦合部13的基准导体13b的外周部。人工阻抗导体单位结构41表示构成人工阻抗导体33的单位要素。以下，有时单独将人工阻抗导体单位结构41称作单位结构41。

如图5的(a)部、(b)部和图6所示，人工阻抗导体单位结构41由基准导体43、贴片导体44、导体支柱45构成。贴片导体44具有矩形平板状，在基准导体43与泄漏电磁波层35之间安装贴片导体44。导体支柱45对贴片导体44和基准导体43进行导体连接。贴片导体的“贴片”意味着小片、或断片。如将板状的微带天线称作“贴片天线”那样，“贴片”是在电磁学领域里按上述意思普遍采用的用语。

以二维状配置多个人工阻抗导体单位结构41，以便彼此相邻的基准导体43相接触。在每一个人工阻抗导体单位结构41中，基准导体43比贴片导体44大。因此，相邻的贴片导体44彼此不接触。

在图5中，贴片导体44是矩形平板状，但是可以不是矩形状。例如，贴片导体44也可以是任意的多角形状或圆等包括圆滑的边界的形状。

在图6中，人工阻抗导体单位结构41将电磁波耦合部13包围了三重，但是可以不是三重。例如，可以是一重，也可以是五重。也可以是一个方向为三重、其他方向为五重这样的随着方向而多重度不同的方式。另外，也可以是在特定的方向随着列而多重度不同。一般，越是多重，越具有抑制从泄漏电磁波层35泄漏的电磁波的效果。

希望构成人工阻抗导体33的多个人工阻抗导体单位结构41是同一结构，但是可以不是同一结构。在本发明的其他实施方式中说明利用了有意设成非同一结构时的物理现象的例子。

另外，希望构成人工阻抗导体33的多个人工阻抗导体单位结构41针对沿着泄漏电磁波层35的面以恒定间距排列，但是可以不是以恒定间距排列。

在图6中，被人工阻抗导体33覆盖的区域与电磁波耦合部13之间的边界形状是矩形，但是可以不是矩形。例如，边界形状也可以包括凹凸。而且，也可以在电磁波耦合部13的内部存在被人工阻抗导体33填充的区域。另外，也可以在被人工阻抗导体33覆盖的区域之中存在多个电磁波耦合部13。

在图3中，利用粗线箭头表示了从放射导体13a放射的电磁波的传播路径101、传播路径102、传播路径103。该图3示出：想要从放射导体13a向泄漏电磁波层35传播的电磁波的大部分没有被传播，而是渗出到电磁波传播层21，或者返回到发送电磁波耦合部13。即，定义为人工阻抗导体33的电磁波耦合部13的周围导体抑制由发送电磁波耦合部13产生的电磁波中的未进入电磁波传播层21的电磁波作为泄漏电磁波而沿着泄漏电磁波层35泄漏到装置外侧区域36的情况。

为此，优选起到泄漏电磁波的波导作用的泄漏电磁波层35、即由发送电磁波耦合部13的周围导体和网眼层22包围的区域作为传输线路而具有极高或者极低的特性阻抗。在电磁波的频率被确定为特定的频带时，使上述传输线路具有极高或者极低的特性阻抗是通过调整上述周围导体的形状来实现的。更具体而言，将上述周围导体设成在上述的特定频带附近产生谐振的结构的重复结构，从而可在上述的频带内获得极高或者极低的特性阻抗。

图7是用于通过等效电路模型补充说明上述理论说明的图。在图7中，符号201表示由人工阻抗导体33和网眼层22包围的泄漏电磁波层35的等效电路。符号202表示向由网眼层22和导体平坦层20包围的区域传播电磁波的电磁波传播薄板14的等效电路。符号203表示用于示出两个电磁波传送层21和22经由网眼开口部而耦合的情况的阻抗。

如图7所示，关于本实施方式所示的人工阻抗导体33，当相邻的贴片导体44间的电容耦合、和流过相邻的贴片导体44、导体支柱45及基准导体43的环流所引起的感应耦合处于支配地位时，表示并联谐振电路被串联连结的等效电路。并且，当导体支柱45产生的感应耦合、以及贴片导体44与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合处于支配地位时，表示串联谐振电路被并联连结的等效电路。结果，可由不一定是谐振频率一致的并联谐振电路和串联谐振电路交替地连结的等效电路，来表示人工阻抗导体33与电磁波传播薄板14的表面之间的结构。上述中，并联谐振电路被串联连结的等效电路表示在特定的频率下具有极高的特性阻抗，串联谐振电路被并联连结的等效电路表示在特定的频率下具有极低的特性阻抗。由此，通过在发送电磁波部10的周围设置人工阻抗导体33，从而在因上述结构而引起了谐振的情况下，泄漏电磁波的一大半被泄漏电磁波层35反射，或者穿过网眼层22而潜入到电磁波传播层21，其结果能够抑制泄漏到装置外部的泄漏电磁波。另外，人工阻抗单位结构41排列得越多，上述谐振电路就被连结得越多，因此抑制泄漏电磁波的频率的带宽具有按照覆盖相应谐振频率的方式变宽的倾向。

根据以上的理由，在包围发送电磁波耦合部13的多个人工阻抗导体单位结构41的物理尺寸全部一致的情况下，抑制泄漏电磁波的频率的带宽形成为覆盖相应的谐振频率。另一方面，在上述中，即使多个人工阻抗导体单位结构41的物理尺寸不一致，只要多个谐振频率存在于想要抑制泄漏电磁波的频带附近，则不会显著降低上述的频带下的泄漏电磁波抑制效果。在以下说明的各种实施方式中，与第一实施方式相同，泄漏电磁波抑制部30由一个以上的人工阻抗导体单位结构的重复结构构成。此外，抑制泄漏的机械结构也与上述相同，可作为并联谐振电路的串联连结或者串联谐振电路的并联连结来近似地进行说明。

即使多个人工阻抗导体单位结构的物理形状不一致，只要上述不一致性所引起的多个谐振频率存在于想要抑制泄漏电磁波的频带的附近，则不会显著降低上述的频带下的泄漏电磁波抑制效果，也可以以与上述的第一实施方式相同的方式来进行说明。

即使沿着多个人工阻抗导体单位结构的泄漏电磁波层35的方向的间距不一致，只要上述不一致性所引起的多个谐振频率存在于想要抑制泄漏电磁波的频带的附近，则不会显著降低上述的频带下的泄漏电磁波抑制效果，也可以以与上述的第一实施方式的物理尺寸相关的理论相同的方式来进行说明。

(第二实施方式)

图8是用于说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第二实施方式的图。

如图8的(a)部所示，本实施方式中的人工阻抗导体33构成为：使一个以上的人工阻抗导体单位结构51以二维方式包围发送电磁波耦合部13的基准导体13b的周围。

如图8的(a)部所示，人工阻抗导体单位结构51表示构成人工阻抗导体33的单位结构。图8的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。人工阻抗导体单位结构51由基准导体53、上层贴片导体55、和导体支柱54构成。基准导体53构成为被分割成贴片状的导体。相对于基准导体53而言，在与泄漏电磁波层35相反的一侧的层上安装上层贴片导体55。导体支柱54对上层贴片导体55和基准导体53进行导体连接。上层贴片导体55经由导体支柱54以桥状连接互相相邻的基准导体53彼此。

在本实施方式中，可以通过基准导体53与贴片导体55之间的电容耦合、以及由导体支柱54产生的感应耦合，表示成将并联谐振电路串联连结的等效电路。由此，泄漏电磁波的大部分被泄漏电磁波层35反射，或者穿过网眼层22潜入电磁波传播层21，其结果能够抑制泄漏到装置外部的泄漏电磁波。

接着，利用附图说明表示本发明的第二实施方式的有效性的计算结果。

图9是为了进行第二实施方式的有效性验证而使用的电磁解析用的模型的立体图。在该图中，上层贴片导体55、基准导体53都具有各边的长度为12mm的正方形状。在二维空间内构成7×7的周期结构，整体成为110×110mm的人工阻抗导体33。

图10是电磁场解析用模型的侧视图。在上述人工阻抗导体33的正下方，放置电磁波传播部14，该电磁波传播部14具有与人工阻抗导体33相同的二维尺寸、且与人工阻抗导体33相接触。在图10中，电磁波传播部14的绝缘层23具有0.25mm的厚度和2.3的相对介电常数。网眼层22构成为1mm宽度的导体在二维下以3mm的间隔配置。电磁波传播层21是满足具有2mm的厚度、相对介电常数为1.4的介质。构成人工阻抗导体33的背景的基板材料121是相对介电常数为4.2的材料。导体支柱54的高度是0.2mm。泄漏电磁波抑制部30若还包括绝缘层23，则具有3.25mm的厚度。在本解析模型中使用的贴片状导体结构被模式化成厚度为0的理想导体，导体支柱54的半径是0.15mm。

在解析中，将图中的泄漏电磁波层35的左端设为第一端口P1、泄漏电磁波层35的右端设为第二端口P2、电磁波传播部14的左端设为第三端口P3、电磁波传播部14的右端设为第四端口P4，利用时域差分法计算电力耦合率(S参数)。

图11是其计算结果。图11被图表化为横轴表示到10GHz为止的频率(GHz)、纵轴表示电力耦合率(dB)。

在图11中，实线1表示第一端口P1的反射率。虚线m表示第一端口P1到第二端口P2的耦合率。单点划线n表示第一端口P1到第三端口P3的耦合率。双点划线o表示第一端口P1到第四端口P4的耦合率。

根据图11可知，具有以下倾向：在特定频带下、具体而言是在4.2GHz附近，在泄漏电磁波层35传播的电磁波急剧减少的同时，反射变大，还提高了与电磁波传播层21的耦合。这表示通过使用本发明的实施方式，在特定频率下，可抑制从供电装置部11与电磁波传播层21的间隙、即泄漏电磁波层泄漏到外部的电磁波。

(第三实施方式)

图12是用于具体说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第三实施方式的图。

如图12的(a)部所示，本实施方式中的人工阻抗导体33构成为：一个以上的人工阻抗导体单位结构61以二维方式包围发送电磁波耦合部13的基准导体13b的周围。图12的(b)部是人工阻抗导体单位结构61的俯视图。

人工阻抗导体单位结构61表示构成人工阻抗导体33的单位结构。

人工阻抗导体单位结构61由矩形平板状的贴片导体63、和连接布线64构成，该连接布线64是电连接与相邻的贴片导体63之间的布线。

在图12中，贴片导体63是矩形平板状，但可以不是矩形。贴片导体63也可以是例如任意的多角形或圆等包括圆滑的边界的形状。

由此，在特定频率下，相邻的贴片导体63间的电容耦合与连接布线64产生的感应耦合所引起的谐振现象处于支配地位，可近似地表现为并联谐振电路被串联连结的等效电路。泄漏电磁波的大部分被泄漏电磁波层35反射，或者穿过网眼层22潜入电磁波传播层21，其结果可抑制向装置的外部泄漏的泄漏电磁波。在本实施方式中，连接布线64位于贴片导体63的端部边的中点附近，但可以不是位于中点附近。连接布线64例如可以位于边的角落。

上述的等效并联谐振电路的电感依赖于连接布线64与贴片导体63的位置关系。因此，如图13所示，通过将连接布线64和贴片导体63的位置关系的组合设成2种以上，从而上述的等效并联谐振电路的谐振频率也成为多个组合。其结果，还可以获得泄漏电磁波抑制频带的宽频带化、多个频带下的泄漏电磁波抑制效果。图13表示在贴片导体63端部边的中点附近放置了连接布线64时和在角落放置了连接布线64时的2种位置关系的组合。例如，通过设置成使连接布线64和贴片导体63的位置关系具有微妙的不同的组合，从而上述谐振频率也成为具有微妙的不同的组合，因此泄漏电磁波的抑制频带变宽。而且，通过使上述的位置关系成为极端不同的组合，从而上述谐振频率的相差也变大，因此作为这些不同谐振频率的重叠，泄漏电磁波抑制频带成为更加宽的频带，或者可在多个频带下获得泄漏抑制效果。

在本实施方式中，连接相邻的贴片导体63的连接布线64是一根，但是可以不是一根。例如，如图14所示，通过将连接相邻的贴片导体63的连接布线64设为2根以上，从而上述的等效并联谐振电路的电感变得比连接布线64为一根时的电感还小，其结果上述谐振频率也偏移到高频侧。因此，可实现抑制泄漏电磁波的频带的高频化。也可以将上述的连接相邻的贴片导体63的连接布线64的根数如图15那样设置成多个不同的组合。此时，根据根数的组合或位置关系，若还存在上述的谐振频率成为微妙的不同的多个组合的情况，则还存在成为大不相同的谐振频率的多个组合的情况。因此，能够获得泄漏电磁波抑制频带的宽频带化、多个频带下的泄漏电磁波抑制效果。

在本实施方式中，连接布线64是直线状的布线，但可以不是直线状，也可以是迂回状的布线。例如，如图16所示，可以使连接布线64迂回成曲流状(zigzag)。

如上所述，在使连接导体64迂回的情况下，由于布线的电感比直线状的布线的电感强，因此，结果是上述的谐振频率变小。即，可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

在本实施方式说明的人工阻抗结构中，通过使与人工阻抗结构相接的空间的介电常数极大，从而可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。这是因为，上述的等效并联谐振电路的电容变大，其结果谐振频率向低频侧偏移。

图17是设成与人工阻抗结构的下侧相接的层的介电常数比其余的泄漏电磁波层的介电常数大的高电介质层61b的情况。

图18是设成与人工阻抗结构的上侧相接的层的介电常数比泄漏电磁波层的介电常数大的高电介质层61c的情况。

图19是设成与人工阻抗结构的上侧和下侧相接的层的介电常数比其余的泄漏电磁波层的介电常数大的高电介质层61b、61c的情况。在上述图17至图19的任一情况下，如上述的说明，可实现泄漏电磁波频带的低频化。

(第四实施方式)

图20是用于具体说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第四实施方式的图。图20的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图20的(b)部是贴片导体44的立体图。

图20所示的结构与图5示出的第一实施方式所示的结构大致相同。图20所示的第四实施方式的结构和图5所示的第一实施方式的结构的不同点在于，基准导体43与贴片导体44之间的层、即人工阻抗导体中间层71由具有比构成泄漏电磁波层35的介质的介电常数还高的介电常数的物质构成。

由此，通过设置人工阻抗导体中间层71，能够减小在特定频率下成为高阻抗的贴片导体的尺寸。例如，通过在人工阻抗导体中间层71中采用印刷电路基板所使用的BC(Buried Capacitor)基板，从而可实现本结构。

在这种结构中，可通过在贴片导体44与基准导体43之间使用具有高介电常数的材料来实现单位结构的小型化。其理由是，通过设置人工阻抗导体中间层71，与图5所示的第一实施方式的结构相比，可增加贴片导体44与基准导体43之间的电容，相应地能够减小用于在特定频率下产生谐振的贴片导体的面积。

在第四实施方式中，如图21所示，还假设了在生成人工阻抗导体33的基板的工序中，在泄漏电磁波层的下侧也存在高介电常数层的结构。此时也与上述相同，能够期待减小用于在特定频率下产生谐振的贴片导体的面积的效果。

(第五实施方式)

图22是用于具体说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第五实施方式的图。图22的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图22的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

图22所示的结构与图8示出的第二实施方式所示的结构大致相同。图22所示的结构和图8所示的结构的不同点在于，基准导体53与贴片导体55之间的层、即人工阻抗导体中间层81由具有比构成泄漏电磁波层35的介质的介电常数还高的介电常数的物质形成。

由此，通过设置人工阻抗导体中间层81，与图8示出的第二实施方式相比，能够减小在特定频率下成为高阻抗的贴片导体的尺寸。例如，通过在泄漏电磁波抑制部30中采用印刷电路基板所使用的BC(BuriedCapacitor)基板，从而可实现本结构。

在这种结构中，也可以通过在贴片导体55与基准导体53之间使用具有高介电常数的材料，从而实现人工阻抗导体单位结构51的小型化。

在第五实施方式中，如图23所示，还假设了在生成人工阻抗导体33的基板的工序中，在泄漏电磁波层的下侧也存在高介电常数层的结构。此时也与上述相同，能够期待减小用于在特定频率下产生谐振的贴片导体的面积的效果。

(第六实施方式)

图24是用于具体说明构成泄漏电磁波抑制部30的人工阻抗导体33的第六实施方式的图。图24的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图24的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

图24所示的结构与图8示出的第二实施方式所示的结构大致相同，但是在以下的点不同。在图24所示的泄漏电磁波抑制部30中，在上层贴片导体55的上侧以覆盖人工阻抗导体33的方式设置了屏蔽用导体板(第二导体)91。而且，在图24所示的泄漏电磁波抑制部30中，设置了连接屏蔽用导体板91、和基准导体53的装置外侧区域36侧的端部的屏蔽用导体支柱(第二导体支柱)92。

由此，通过搭载屏蔽用导体板91和屏蔽用导体支柱92，从而期望屏蔽来自包括开口部在内的人工阻抗导体33的无用泄漏电磁波的效果。

在图24所示的结构中，利用屏蔽用导体支柱92连接了装置外区域36侧的端部。但是，连接屏蔽用导体板91、和基准导体53的装置外侧区域36侧的端部的部件只要是屏蔽导体即可，可以不是支柱状。例如，也可以利用板状金属覆盖与屏蔽用导体板91、和基准导体53的装置外侧区域36相接的端部。

在图24中，人工阻抗导体33的单位结构与图8所示的单位结构相同。但是，并不限于此，本实施方式也适用于包括开口部的任何人工阻抗导体。

(第七实施方式)

图25是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第七实施方式的图。

图25所示的结构与图5示出的第一实施方式所示的结构大致相同，但是在以下的点不同。在图25所示的泄漏电磁波抑制部30中，构成人工阻抗导体33的单位结构41的导体支柱45相对于贴片导体44的配置关系不同于相邻的单位结构151的导体支柱152相对于贴片导体44的位置关系。

由此，通过周期性排列两种以上的单位结构41、151，能够得到多个频带下的泄漏电磁波抑制效果。而且，通过设置成相邻的单位结构41、151中的导体支柱45、152的位置稍微不同的结构，从而与上述导体支柱的位置相同的情况相比，能够扩大泄漏电磁波抑制效果频带。

(第八实施方式)

图26是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第八实施方式的图。图26的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图26的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

在图26中，构成图24所示的人工阻抗导体33的单位结构51内的多根导体支柱161相对于贴片导体55的中央，并不处于对称的位置。

对于与一个以上的贴片导体55连接的导体支柱161而言，通过周期性排列将相对于贴片导体55不对称的结构设为单位结构组的该单位结构组，相对设成对称结构的情况而言，能够变更电磁波抑制效果频带。例如，通过在人工阻抗导体33中应用上述导体支柱161的位置稍微不对称的单位结构，从而与上述导体支柱161的位置在所有单位结构中一致的情况相比，能够扩大泄漏电磁波抑制效果频带。这是因为，引起单位结构51的谐振的4个区域的谐振频率随着导体支柱161的位置而具有微妙的差异。而且，也可以将上述4根导体支柱161的位置作为极端不对称的位置的组合，在人工阻抗导体33中应用上述单位结构。由此，引起单位结构51的谐振的4个区域的谐振频率的差异比上述情况还要显著。其结果，作为与这些谐振频率附近频带的重叠，可得到更宽的频带或者可得到多个频带下的泄漏电磁波抑制效果。

(第九实施方式)

图27是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第九实施方式的图。

在图27中，人工阻抗导体33由与图5所示的结构相同的单位结构41构成。在本实施方式中，在构成人工阻抗导体33的多个单位结构41中使用2个以上的不同尺寸的贴片导体44A、44B。混合使用了贴片导体44A的单位结构41A、和使用了尺寸不同于贴片导体44A的贴片导体44B的单位结构41B来进行了设置。此时，通过使用了尺寸互不相同的贴片导体44A、44B的多种的单位结构41A、41B，从而与泄漏电磁波抑制效果频带相关的谐振频率也存在多个。其结果，作为这些谐振频率附近频带的重叠，可得到更宽的频带或者可得到多个频带下的泄漏电磁波抑制效果。

(第十实施方式)

图28是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十实施方式的图。图28的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图28的(b)部是人工阻抗导体单位结构41的立体图。

在图28中，人工阻抗导体33由与图5所示的结构基本相同的单位结构41构成。在本实施方式中，构成人工阻抗导体33的多个单位结构41的每一个具有多根导体支柱45。此时，单位结构41具备多个导体支柱45，从而对与泄漏电磁波抑制效果频带相关的谐振频率带来影响。其结果，可获得不同于导体支柱45为1根时的泄漏电磁波抑制频带。具体而言，通过增加导体支柱45的根数来使电感变弱，因此单位结构41的谐振频率向高频侧偏移，其结果，也可以使泄漏电磁波抑制频带向高频侧偏移。

(第十一实施方式)

图29是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十一实施方式的图。

在图29中，人工阻抗导体33由与图5所示的结构基本相同的单位结构41构成。在本实施方式中，人工阻抗导体33通过组合导体支柱45的根数互不相同的两种以上的单位结构41A、41B而构成。在本实施方式中，是组合了具有1根导体支柱45的单位结构41A、和具有2根导体支柱45的单位结构41B的结构。导体支柱45的根数只要是一根以上即可，可以是任何根数。此外，组合的单位结构41的种类(导体支柱45的根数不同的单位结构41的种类)也不限于2种，可以是3种以上。

通过这种结构，与泄漏电磁波抑制效果频带相关的谐振也根据导体支柱45的根数不同的单位结构41的种类数而在多个频率下产生。其结果，能够得到不同于导体支柱仅为1根时的泄漏电磁波抑制频带。例如，在上述多个谐振频率显著不同的情况下，能够获得多个泄漏电磁波抑制频带。在上述多个谐振频率稍微不同的情况下，可实现泄漏电磁波抑制频带的宽频带化。

(第十二实施方式)

图30是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十二实施方式的图。图30的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图30的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

在图30中，人工阻抗导体33由与图8所示的结构基本相同的单位结构51构成。分别通过多个导体支柱54连接互相对置的上层贴片导体55和基准导体53。此时，由于对与泄漏电磁波抑制效果频带相关的谐振频率产生影响，因此能够获得与连接互相对置的上层贴片导体55和基准导体53的导体支柱54为1根时的情况不同的泄漏电磁波抑制频带。具体而言，通过增加连接互相对置的上层贴片导体55和基准导体53的导体支柱54的根数来使电感变弱。因此，谐振频率向高频侧偏移，其结果还可以使泄漏电磁波抑制频带向高频侧偏移。

(第十三实施方式)

图31是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十三实施方式的图。图31的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图31的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

在图31中，人工阻抗导体33由与图8所示的结构基本相同的单位结构51构成。

本实施方式中，人工阻抗导体33设成将与各单位结构51的贴片导体55对置的多个基准导体53进行连接的导体支柱54的根数是互不相同的两种以上。如图31的(b)部所示，构成为相对于一个贴片导体55组合了经由1根导体支柱54与贴片导体55连接的基准导体53A、和经由2根导体支柱54与贴片导体5连接的基准导体53B。在贴片导体55上连接各个基准导体53A的导体支柱54的根数只要是一根以上即可，可以是任何根数。此外，相对于一个贴片导体55，连接基准导体53的导体支柱54的根数也不限于1根和2根这2种类，也可以是3种以上。

通过这种结构，与泄漏电磁波抑制效果频带相关的谐振也在多个频率下产生，因此能够得到与导体支柱54的配置为一种时的情况不同的泄漏电磁波抑制频带。例如，在上述多个谐振频率显著不同的情况下，可得到多个泄漏电磁波抑制频带。在上述多个谐振频率稍微不同的情况下，可实现泄漏电磁波抑制频带的宽频带化。

(第十四实施方式)

图32是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十四实施方式的图。图32的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图32的(b)部是人工阻抗导体单位结构41的立体图。

在图32中，人工阻抗导体33由与图5所示的结构基本相同的单位结构41构成。在本实施方式中，在单位结构41的基准导体43中形成有开口部210。通过设置在开口部210中的螺旋状导体布线211连接基准导体43和导体支柱45。

由此，通过在基准导体43中追加螺旋状的导体布线211，从而可增大谐振的电感，其结果能够实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

在本实施方式中，通过螺旋状的导体布线211连接了导体支柱45和基准导体53。但是，导体布线211只要是金属导体的布线即可，可以不是螺旋状。导体布线211例如可以是曲流状(zigzag)的布线。而且，导体布线211也可以是直线状。一般，将导体布线211设置成迂回状时的上述谐振的电感比设置成直线状时的上述谐振的电感大，因此可有效地进行上述泄漏电磁波抑制频带的低频化。

(第十五实施方式)

图33是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十五实施方式的图。图33的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图33的(b)部是人工阻抗导体单位结构41的立体图。

在图33中，人工阻抗导体33由与图5所示的结构基本相同的单位结构41构成。在本实施方式中，在单位结构41的贴片导体44中形成有开口部212。通过设置在开口部212中的螺旋状导体布线213连接导体支柱45和贴片导体44。

由此，通过在贴片导体44中追加螺旋状的导体布线213，从而可增大谐振的电感，其结果，能够实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

在本实施方式中，通过螺旋状的导体布线213连接了导体支柱45和贴片导体44。但是，导体布线213只要是金属导体的布线即可，可以不是螺旋状。导体布线213例如可以是曲流状(zigzag)的布线。而且，导体布线213也可以是直线状。一般，将导体布线213设置成迂回状时的上述谐振的电感比设置成直线状时的上述谐振的电感大，因此可有效地进行上述泄漏电磁波抑制频带的低频化。

(第十六实施方式)

图34是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十六实施方式的图。图34的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图34的(b)部是人工阻抗导体单位结构41的立体图。

图34所示的单位结构41代替构成图5所示的人工阻抗导体33的单位结构41的贴片导体44而具备终端开放的布线状导体231。通过在单位结构41中代替贴片导体44而设置终端开放的布线状导体231，从而在大致相当于电磁波的波长的4分之1的奇数倍的频率下产生谐振。因此，其结果，由于能够起到作为人工阻抗导体33的作用，因此可实现泄漏电磁波抑制。

在本实施方式中，将终端开放的布线状导体231设成了螺旋状。但是，布线状导体231只要是金属布线即可，可以不是螺旋状。例如，布线状导体231可以是曲流状(zigzag)的布线。而且，布线状导体231也可以是直线状。

此外，在图34中，布线上导体231是不与电磁波传播薄板14的绝缘层23相接的结构，但是也可以是与绝缘层23相接的结构。

(第十七实施方式)

图35是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十七实施方式的图。

在图35中，在图34所示的布线状导体231与基准导体43之间设置了人工阻抗导体中间层71。人工阻抗导体中间层71由具有比构成泄漏电磁波层35的介质的介电常数还高的介电常数的物质形成。由此，通过由具有高的介电常数的物质形成人工阻抗导体中间层71，从而相当于电磁波的波长的4分之1的奇数倍的频率的波长变短，因此可减小在特定频率下谐振的单位结构的尺寸。例如，通过在泄漏电磁波抑制部30中采用印刷电路基板所使用的BC(Buried Capacitor)基板，从而可实现本结构。

在这种结构中，也可以通过在螺旋状的布线状导体231与基准导体53之间使用具有高介电常数的材料，从而可实现人工阻抗导体单位结构41的小型化。

在本实施方式中，将终端开放的布线231设置成了螺旋状。但是，布线状导体231只要是金属布线即可，可以不是螺旋状。例如，布线231可以是曲流状(zigzag)的布线。而且，布线231也可以是直线状。

在本实施方式中，在布线状导体231与基准导体43之间的层中使用了具有高的介电常数的物质，但是并不限于此。即使在布线状导体231与电磁波传播层21之间的至少一层以上的层中使用具有比其他层更高的介电常数的物质，也能够与上述同样地，减小在特定频率下谐振的单位结构的尺寸。此时，期望布线状导体231和具有上述高的介电常数的物质相连，但是也可以不相连。

(第十八实施方式)

图36是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十八实施方式的图。图36的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图36的(b)部是人工阻抗导体单位结构41的立体图。

图36所示的单位结构41与图5所示的单位结构41相比，不同点在于，导体支柱45的尺寸是2种以上。导体支柱45的尺寸不同的人工阻抗导体单位结构41彼此相邻。而且，相邻的贴片导体44从基准导体43侧看时处于互相重叠的位置关系。通过采取以上的实施方式，获得相邻的贴片导体间的电容耦合，因此可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

此外，作为图36所示的人工阻抗导体33的第十八实施方式的变形例，如图37和图38所示，可以省略长度不同的导体支柱45中的任意一方。无论是省略哪一方，都能够通过省略了导体支柱45的贴片导体，获得相邻的人工阻抗导体单位结构41的电容耦合，从而可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

(第十九实施方式)

图39是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第十九实施方式的图。图39的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图39的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的俯视图。

在图39中，在图8所示的人工阻抗导体单位结构51的导体支柱54与上层贴片导体55之间具有开口。通过螺旋状的布线状导体261连接了导体支柱54和上层贴片导体55。由此，通过追加布线状导体261，能够增大谐振的电感，其结果可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

在本实施方式中，通过螺旋状的导体布线连接了导体支柱54和上层贴片导体55。但是，布线状导体261只要是金属导体的布线即可，可以不是螺旋状。布线状导体261例如可以是曲流状(zigzag)的布线。布线状导体261也可以是直线状。一般，将导体布线261设置成迂回状时的上述谐振的电感比设置成直线状时的上述谐振的电感大，因此可有效地进行上述泄漏电磁波抑制频带的低频化。

(第二十实施方式)

图40是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第二十实施方式的图。图40的(a)部表示泄漏电磁波抑制部30。图40的(b)部是人工阻抗导体单位结构51的仰视图。

在图40中，在图8所示的人工阻抗导体单位结构51的导体支柱54与基准导体53之间具有开口。通过螺旋状的布线状导体271连接了导体支柱54与基准导体53之间。由此，通过追加布线状导体271，能够增大谐振的电感，其结果可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

在本实施方式中，通过螺旋状的导体布线连接了导体支柱54和基准导体53。但是，布线状导体271只要是金属导体的布线即可，可以不是螺旋状。布线状导体271例如可以是曲流状(zigzag)的布线。而且，布线状导体271也可以是直线状。一般，将布线状导体271设置成迂回状时的上述谐振的电感比设置成直线状时的上述谐振的电感大，因此可有效地进行上述泄漏电磁波抑制频带的低频化。

(第二十一实施方式)

图41是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第二十一实施方式的图。

图41所示的结构大致与图5所示的结构相同，不同点在于，是电磁波传播薄板14的绝缘层23和贴片导体44靠近的状态。由此，通过使绝缘层23和贴片导体44靠近，从而能够有效地利用使用了与电磁波传播薄板14的表面之间的电容耦合的谐振。其结果，可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

期望绝缘层23与贴片导体44之间的距离在尽可能靠近的情况下实现上述效果。更期望使绝缘层23和贴片导体44互相接触。而且，在上述效果的基础上，通过有意地提高绝缘层23的介电常数，从而还可以有效地产生利用了贴片导体44与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。在供电装置部11或接收装置部15的底面涂敷了绝缘层11a(15a)的情况下，在上述效果的基础上，通过有意地提高该绝缘层11a(15a)的介电常数，从而还可以有效地产生利用了贴片导体44与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。

本实施方式同样适用于有效利用了使用与电磁波传播薄板14的表面之间的电容耦合的谐振的其他实施方式中。例如，在第十四实施方式(图32)、第十五实施方式(图33)、第十八实施方式(图36～38)中，也可以设成使人工阻抗导体单位结构与绝缘层23相接的结构。

(第二十二实施方式)

图42是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第二十二实施方式的图。

图42所示的结构与图20所示的结构大致相同，不同点在于，在电磁波传播薄板14的绝缘层23与贴片导体44之间设置了具有比人工阻抗导体中间层71还高的介电常数的电介质层280。由此，通过设置具有比成为自身的上层的人工阻抗导体中间层71还高的介电常数的电介质层280，即使在贴片导体44与绝缘层23不接触或者不靠近的状态下，也能够实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。而且，在上述效果的基础上，通过有意地提高绝缘层23的介电常数，从而可有效地产生利用了贴片导体44与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。在供电装置部11或接收装置部15的底面涂敷了绝缘层11a(15a)的情况下，在上述效果的基础上，通过有意地提高该绝缘层11a(15a)的介电常数，从而可以有效地产生利用了贴片导体44与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。

(第二十三实施方式)

图43是关于泄漏电磁波抑制部30具体说明人工阻抗导体33的第二十三实施方式的图。

图43所示的单位结构41A、41B与图5所示的单位结构41相比，不同点在于，设置了2种以上的尺寸的导体支柱45A、45B。此外，设置了导体支柱45A的单位结构41A、和设置了导体支柱45B的单位结构41B相邻。而且，相邻的、单位结构41A的贴片导体44A和单位结构41B的贴片导体44B从基准导体43侧看时处于相互重叠的位置关系。此外，相对于具有最长的导体支柱45A的单位结构41A中的贴片导体44A与绝缘层23接触或靠近的情况，具有比导体支柱45A短的另一个导体支柱45B的人工阻抗导体单位结构41B中的贴片导体44B远离了绝缘层23。在绝缘层23与贴片导体44B之间设置了具有比成为自身的上层的人工阻抗导体中间层71还高的介电常数的电介质层280。

通过以上的实施方式，获得了相邻的贴片导体间的电容耦合。此外，在具有最长的导体支柱45A的人工阻抗导体单位结构41A中，能够有效地利用使用了与电磁波传播薄板14的表面之间的电容耦合的谐振。因此，可实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。而且，在具有比导体支柱45A短的另一个导体支柱45B的人工阻抗导体单位结构41B中，也可以通过在贴片导体44B与绝缘层23之间设置电介质层280，从而能够实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。而且，在上述效果的基础上，通过有意地提高绝缘层23的介电常数，从而还可以有效地产生使用了贴片导体44A、44B与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。在供电装置部11或接收装置部15的底面涂敷了绝缘层11a(15a)的情况下，在上述效果的基础上，通过有意地提高该绝缘层11a(15a)的介电常数，从而可以有效地产生使用了贴片导体44A、44B与电磁波传播薄板14的表面导体层、即网眼层22之间的电容耦合的谐振。

此外，作为图43的第二十三实施方式的变形例，如图44和图45所示，可以省略长度不同的导体支柱45A、45B中的任意一方。此时，通过省略了导体支柱45A(45B)的贴片导体获得相邻的人工阻抗导体单位结构41的电容耦合，可以实现泄漏电磁波抑制频带的低频化。

本发明的表面通信装置并不限于参照附图说明的上述的各实施方式，在其技术范围内可以考虑各种变形例。

例如，上述各实施方式所例举的各构成要素或各处理工艺的组合可以有各种变形例。

此外，在上述各实施方式中，是具备供电装置部11和接收装置部15这两者的结构，但是也可以是只具备任一方的结构。例如，作为只具备供电装置部15的结构，可以通过接触供电实现供给到接收装置部15的电磁波。或者，作为只具备接收装置部15的结构，也可以通过接触供电实现供给到供电装置部11的电磁波。

此外，在上述情况下，是具备供电装置部11、接收装置部15这两者的结构，使用接触供电的一侧的装置部也可以利用其他处理工艺进行追加，从而从本发明的实施方式的构成要素中排除。此外，在上述各实施方式中，被泄漏电磁波抑制部30包围的发送电磁波耦合部13示出了由互相绝缘的放射导体13a和基准导体13b构成的贴片天线结构的例子，但是并不限于上述的形状，只要是可应用为电磁波耦合部的结构即可，可以存在各种变形例。例如，放射导体13a可以是线状、或者布线状，而且放射导体13a和基准导体13b可以不被绝缘。作为上述的不被绝缘的例子，还包括环形天线形状、板状逆F型天线形状、短截线形状等。另外，在接收电磁波耦合部16被泄漏电磁波抑制部30包围的情况下，也与上述的发送电磁波耦合部13的情况相同，只要是可应用为电磁波耦合部的结构即可，可以存在各种变形例。例如，在基本结构的说明中作为接收导体假设了具有与放射导体13a同样的贴片天线结构的情况，但是并不限于上述的形状，也可以具备线状导体、或布线状导体。另外，接收导体和基准导体可以被绝缘，也可以不被绝缘。作为上述的没有被绝缘的例子，也包括例如环形天线形状、板状逆F型天线形状、短截线形状等。

此外，在本发明的实施方式中，示出了放射导体或接收导体存在于电磁波耦合部内部的结构的例子，但是也可以不位于电磁波耦合部的内部。例如，可以在电磁波产生部侧存在放射导体，在电磁波产生部与电磁波耦合部的边界部设置开口部，从而进行电磁波的输入输出。

在放射导体或接收导体不存在于电磁波耦合部内部的情况下，例如，如图46和图47所示，本发明的第二实施方式和第三实施方式中的人工阻抗单位导体结构61也可以与绝缘层23接触。本发明的第五、第八、第十二、第十三、第十九、第二十实施方式等也是同样的。另外，考虑装卸电磁波发送部或电磁波接收部时的安全性，也可以在与人工阻抗单位导体结构侧的绝缘层23的接触面涂敷绝缘层。另外，如本发明的第六实施方式所示，也可以在人工阻抗单位导体结构的上侧搭载屏蔽用导体。

另外，在上述各实施方式中，示出了放射导体或接收导体与电磁波传播薄板14相接的结构例，但是也可以不相接。

此外，在本实施方式中，图2示出了电磁波传播薄板14的网眼层22的开口面的形状为矩形的例子，但是并不限于矩形，只要是可应用为电磁波传播薄板的结构即可，可以是向各种形状的开口形状的变形。例如，可以将开口形状设为六角形、三角形、或圆形。

除此之外，只要不超出本发明的主旨，可以选择取舍上述实施方式所例举的结构，从而适当变更为其他结构。

该申请主张以2009年10月30日申请的日本申请特愿2009-251281、和2010年2月26日申请的日本申请特愿2010-043280为基础的优先权，在此援引其全部公开内容。

(产业上的可利用性)

在以从供电装置侧向接收装置侧传播作为能量的电力为目的的表面通信装置中可以使用本发明的实施方式。与此同时，在以从供电装置侧向接收装置侧传播作为通信数据的电力为目的的表面通信装置中也可以使用本发明的实施方式。例如，可以以如下的目的进行使用，即：在电磁波传播薄板中搭载多个供电装置和接收装置的对，在一部分供电装置与接收装置的对中传播作为能量的电力，在其余的供电装置和接收装置的对中从供电装置侧向接收装置侧传播作为通信数据的电力。

符号说明

10发送电磁波部

11供电装置部(电磁波发送部)

12电磁波产生部

13发送电磁波耦合部

14电磁波传播薄板(电磁波传送部)

15接收装置部(电磁波接收部)

16接收电磁波耦合部(电磁波耦合部)

17电磁波输出部

20导体平坦层

21电磁波传播层

22网眼层

23绝缘层

30泄漏电磁波抑制部

33人工阻抗导体

34空间层

35泄漏电磁波层

41、41A、41B、51、61人工阻抗导体单位结构

43、53基准导体

44、44A、44B、63贴片导体

45、45A、45B、54导体支柱

55上层贴片导体

64连接布线

71、81人工阻抗导体中间层

91屏蔽用导体板(第二导体)

92屏蔽用导体支柱(第二导体支柱)

152、161导体支柱

210、212开口部

211、213、251、261布线状导体

231终端开放的布线状导体

280电介质层

Claims

1.一种表面通信装置，具备：

电磁波传送部，其传送电磁波且具有薄板形状；和

供电装置部和接收装置部中的至少一方，所述供电装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且向所述电磁波传送部供给电磁波，所述接收装置部以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，且接收经由所述电磁波传送部传送的所述电磁波，

其特征在于，

所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方具备：

电磁波耦合部，其对所述电磁波传送部发送电磁波，或者接收来自所述电磁波传送部的所述电磁波；和

电磁波抑制部，其具有以包围所述电磁波耦合部的方式沿着所述电磁波传送部的表面排列的多个导体的单位结构，抑制来自所述电磁波耦合部与所述电磁波传送部之间的电磁波的泄漏。

2.一种表面通信装置，具备：

电磁波传送部，其传送电磁波且具有薄板形状；

供电装置部，其向所述电磁波传送部供给电磁波；和

接收装置部，其接收经由所述电磁波传送部传送的所述电磁波，

所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方以与所述电磁波传送部不导通的状态配置在所述电磁波传送部上，

其特征在于，

所述供电装置部和所述接收装置部中的至少一方具备：

3.根据权利要求1或2所述的表面通信装置，其中，

所述导体的单位结构由与所述电磁波传送部隔着间隔对置且具有板形状的基准导体、与所述基准导体对置且具有板形状的贴片导体、以及连接所述基准导体与所述贴片导体的导体支柱构成。

4.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构的所述基准导体被一体化。

5.根据权利要求4所述的表面通信装置，其中，

从基准导体侧看时，多个相邻的所述贴片导体互相重叠。

6.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构的所述基准导体是互相分离的贴片导体。

7.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

所述贴片导体配置在所述基准导体与所述电磁波传送部之间。

8.根据权利要求7所述的表面通信装置，其中，

将所述基准导体与所述贴片导体之间的层进行填充的空间的介电常数，高于将所述贴片导体与所述电磁波传送部的表面之间进行填充的至少一个层的介电常数。

9.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

相对于所述基准导体，所述贴片导体配置在与所述电磁波传送部相反的一侧。

10.根据权利要求9所述的表面通信装置，其中，

将所述基准导体与所述贴片导体之间的层进行填充的空间的介电常数，高于将所述基准导体与所述电磁波传送部的表面之间进行填充的至少一个层的介电常数。

11.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构包括所述贴片导体与所述导体支柱的位置关系互不相同的2种以上的导体的单位结构。

12.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构包括所述贴片导体的尺寸互不相同的2种以上的导体的单位结构。

13.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构包括至少一个具有连接了2根以上的所述导体支柱的所述贴片导体的导体的单位结构。

14.根据权利要求13所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构包括连接所述基准导体和所述贴片导体的所述导体支柱的根数互不相同的2种以上的导体的单位结构。

15.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

所述基准导体具有设置了布线状导体的开口部，通过所述布线状导体连接了所述基准导体和所述导体支柱。

16.根据权利要求3所述的表面通信装置，其中，

所述贴片导体具有设置了布线状导体的开口部，通过所述布线状导体连接了所述贴片导体和导体支柱。

17.根据权利要求1或2所述的表面通信装置，其中，

所述导体的单位结构由与所述电磁波传送部隔着间隔对置且具有板形状的基准导体、与所述基准导体对置的布线状导体、以及连接所述基准导体与所述布线状导体的导体支柱构成。

18.根据权利要求17所述的表面通信装置，其中，

所述布线状导体配置在所述基准导体与所述电磁波传送部之间。

19.根据权利要求18所述的表面通信装置，其中，

在包括所述基准导体与所述布线状导体之间的层在内的、将所述基准导体与所述电磁波传送部的表面之间进行填充的2个以上的层中，至少一个层的介电常数比其余的层的介电常数高。

20.根据权利要求1或2所述的表面通信装置，其中，

多个所述导体的单位结构由与所述电磁波传送部对置配置的多个贴片导体、和连接互相相邻的所述贴片导体之间的布线导体构成。