CN102376895A - Oled照明基板及其制造方法 - Google Patents
Oled照明基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102376895A CN102376895A CN2011101751343A CN201110175134A CN102376895A CN 102376895 A CN102376895 A CN 102376895A CN 2011101751343 A CN2011101751343 A CN 2011101751343A CN 201110175134 A CN201110175134 A CN 201110175134A CN 102376895 A CN102376895 A CN 102376895A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- layer
- substrate
- oled
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种OLED照明基板及其制造方法,所述OLED照明基板包括基板,所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极,其中,所述基板和阳极之间设有电阻层,所述电阻层划分成多个块状电阻,所述阳极被分割成多个子阳极,每个子阳极和一个块状电阻相串联,多个块状电阻通过互联线相连在一起。本发明提供的OLED照明基板及其制造方法,通过在电源和阳极之间加入串联电阻层,从而起到了电流限制的作用,整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极,被电阻隔离的阳极,产生的汇聚电流强度会减弱,减弱了电流聚集效应,减少阴阳极短路机率,从而解决电极容易被烧坏,以及发光不均匀的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种照明基板及其制造方法,尤其涉及一种OLED照明基板及其制造方法。
背景技术
近年来,已经开发出重量轻且体积小的各种类型的平板照明装置。在各种类型的平板照明装置中,由于有机发光二极管(OLED)来照明,通常具有能耗低,能平面化,大型化等诸多优点,已经成为下一代照明装置的焦点。
图1A为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图,现有OLED照明器件一般包括基板1和后盖2,其中,基板1上沉淀有阳极3,阳极3上设有非常薄的多层有机功能层4,以及位于有机功能层4上的阴极5。OLED发光的原理就是通过在阴极5,阳极3之间加直流电驱动而使有机功能层4发光,如图1B所示。
现在技术中,基板1上的阳极3采用直接蒸镀或沉淀形成整体的大面积阳极,此类方法虽然简单,但是现有技术中的阳极会使得电流聚集时产生很大的电流强度,并进一步带来较强的电流聚集效应,产生的大电流导致电极被烧坏,发生阴阳极短路和发光不均匀等问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED照明基板及其制造方法,可有效解决大电流导致的电极被烧坏,发生阴阳极短路以及发光不均匀等问题。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种OLED照明基板,包括基板,所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极,其中,所述基板和阳极之间设有电阻层,所述电阻层划分成多个块状电阻,所述阳极被分割成多个子阳极,每个子阳极和一个块状电阻相串联,多个块状电阻通过互联线相连在一起。
上述的OLED照明基板,其中,所述多个块状电阻为矩形块状电阻,所述矩形块状电阻的宽度为1纳米~1米,长度为1纳米~1米。
上述的OLED照明基板,其中,所述多个子阳极为矩形块状子阳极,所述矩形块状子阳极大小和所述矩形块状电阻大致相同。
本发明为解决上述技术问题还提供一种上述OLED照明基板制造方法,包括如下步骤:提供一基板,并在该基板上沉积第一金属层和第一光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成电源的互联线图形和电源接线端子;在刻蚀后的第一金属层上继续沉积第一绝缘层和第二光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成接触孔图形;在刻蚀后的第一绝缘层上继续沉积形成电阻层和第三光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形;在刻蚀后的电阻层上继续沉积形成第二绝缘层和第四光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成通孔图形;在刻蚀后的第二绝缘层继续沉积形成阳极层和第五光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形;最后在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上,形成OLED照明基板。
上述的OLED制造方法,其中,所述第一金属层材料为钼钨、钼铝钼或镁银合金。
上述的OLED制造方法,其中,所述第一绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。
上述的OLED制造方法,其中,所述电阻层材料为多晶硅或氧化铟锡。
上述的OLED制造方法,其中,所述阳极层材料为氧化铟锡或镁银合金。
本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明提供的OLED照明基板及其制造方法,通过在电源和阳极之间加入串联电阻层,从而起到了电流限制的作用,整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极,被电阻隔离的阳极,产生的汇聚电流强度会减弱,减弱了电流聚集效应,减少阴阳极短路机率,从而解决电极容易被烧坏,以及发光不均匀的问题。
附图说明
图1A为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图;
图1B为现有的有机发光二极管照明装置的像素等效电路示意图;
图2为本发明的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图;
图3为本发明的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图;
图4为本发明的OLED照明基板制造方法示意图。
图中:
1 基板 2 后盖 3 阳极
4 有机功能层 5 阴极
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图2为本发明的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图;图3为本发明的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图。
请参见图1~图3,本发明的OLED照明基板包括基板1,所述基板1上依次设置有阳极3、有机功能层4和阴极5,其中,所述基板1和阳极3之间设有电阻层,所述电阻层划分成多个块状电阻,所述阳极3被分割成多个子阳极,每个子阳极和一个块状电阻相串联,多个块状电阻通过互联线相连在一起。
图2中电阻驱动有机发光显示装置101由OLED照明像素102的列阵构成。所有的OLED照明像素102均连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。电阻器件与OLED器件串联后分别连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。由于串联电阻的电流限制作用,使得该短路的OLED像素器件不会影响到其他OLED像素器件的正常工作,极大的提高了整个OLED照明器件的良率和可靠性。减弱了电流汇聚效应,减少阴阳极容易短路,电极容易被烧坏,以及发光不均匀的问题。
图4为本发明的OLED照明基板制造方法示意图。
请继续参照图4,本发明的OLED照明基板制造方法包括如下步骤:
步骤S401:在基板上采用溅射或者其他方法沉积形成第一金属层,所述基板为绝缘基板,如玻璃基板;第一金属层可选钼钨,钼铝钼,镁银合金等材料;在第一金属层上涂敷第一光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成电源互联线图形和电源接线端子,互联线图形可以为网格状,条状,或者其他任意形状;原来的电源接线端子现在要在互联线层上实现;进入步骤S402;
步骤S402,在刻蚀后的第一金属层上继续形成第一绝缘层,第一绝缘层可选二氧化硅,氮化硅,正硅酸乙酯(TEOS)等;所述第一绝缘层完全覆盖互联线,在第一绝缘层上涂覆第二光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成接触孔图形,接触孔图形形状为任意形状;进入步骤S403;
步骤S403,在刻蚀后的第一绝缘层上继续形成电阻层,电阻层可选用多晶硅,氧化铟锡等;刻蚀电阻层之前涂覆第三光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形,电阻层图形通过接触孔图形和电源互联线图形相连;电阻层图形优选为矩形块状,矩形块状电阻的线宽范围为1纳米~1米,电阻的线宽设计的越小则电阻的阻值就越大,通过电阻的电流就越小,矩形块状电阻的长度范围为1纳米~1米,电阻的长度设计的越大则电阻的阻值就越大,通过电阻的电流就越小;对于底发射技术,矩形块状电阻的面积设计可以增加发光材料的发光面积;进入步骤S404;
步骤S404,在刻蚀后的电阻层上继续形成第二绝缘层;第二绝缘层选用材料与第一绝缘层情况相同,在第二绝缘层上涂覆第四光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成通孔图形,通孔图形形状为任意形状;进入步骤S405
步骤S405,在刻蚀后的第二绝缘层继续上形成阳极层;阳极层可选用氧化铟锡,镁银合金等;所述阳极层通过通孔图形和电阻层相连;刻蚀阳极材料层之前涂覆第五光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形,阳极层图形形状优选为多个矩形块状子阳极,矩形块状子阳极大小优选和矩形块状电阻大小大致相同;进入步骤S406;
步骤S406,在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上,形成OLED照明基板。
将OLED照明基板与后盖封合,形成OLED照明器件。
综上所述,现有技术的OLED照明器件中基本上通过蒸镀或沉积形成整体的阳极,但是形成的整块大面积的阳极上往往会出现电流聚集效应,聚集后的大电流进而极易导致电极被烧坏,发生阴阳极短路和发光不均匀等问题。电流聚集效应的产生原因,一是在阴阳极形成过程中容易存在微缺陷,而微缺陷会直接诱导电流聚集,二是阴极和阳极电流采用整体设计,导致阴极和阳极的连续面积较大,阴极和阳极的电阻相对较小,一旦整个阳极上的电流聚集,形成的汇聚电流强度过大。微缺陷是难以完全避免的。基于此,本发明通过将电阻串联在电源互联线和阳极之间,将整个阳极细分,电阻起到了电路限制和隔离OLED照明像素的作用,减弱了电流汇聚效应和强度,减少阴阳极容易短路,从而解决电极容易烧坏,以及发光不均匀等问题。即使某个OLED像素器件内部发生短路,由于串联电阻的电流限制作用,使得该短路的OLED像素器件不会影响到其他OLED像素器件的正常工作,极大的提高了整个OLED照明器件的良率和可靠性。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
Claims (8)
1.一种OLED照明基板,包括基板(1),所述基板(1)上依次设置有阳极(3)、有机功能层(4)和阴极(5),其特征在于,所述基板(1)和阳极(3)之间设有电阻层,所述电阻层划分成多个块状电阻,所述阳极(3)被分割成多个子阳极,每个子阳极和一个块状电阻相串联,多个块状电阻通过互联线相连在一起。
2.如权利要求1所述的OLED照明基板,其特征在于,所述多个块状电阻为矩形块状电阻,所述矩形块状电阻的宽度为1纳米~1米,长度为1纳米~1米。
3.如权利要求2所述的OLED照明基板,其特征在于,所述多个子阳极为矩形块状子阳极,所述矩形块状子阳极大小和所述矩形块状电阻大致相同。
4.一种如权利要求1所述的OLED照明基板制造方法;其特征在于,所述方法依次包括如下步骤:
提供一基板,并在该基板上沉积第一金属层和第一光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成电源的互联线图形和电源接线端子;
在刻蚀后的第一金属层上继续沉积第一绝缘层和第二光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成接触孔图形;
在刻蚀后的第一绝缘层上继续沉积形成电阻层和第三光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形;
在刻蚀后的电阻层上继续沉积形成第二绝缘层和第四光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成通孔图形;
在刻蚀后的第二绝缘层继续沉积形成阳极层和第五光刻胶层,曝光显影之后,采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形;
最后在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上,形成OLED照明基板。
5.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法;其特征在于,所述第一金属层材料为钼钨、钼铝钼或镁银合金。
6.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法;其特征在于,所述第一绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。
7.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法;其特征在于,所述电阻层材料为多晶硅或氧化铟锡。
8.如权利要求4所述的OLED照明基板制造方法;其特征在于,所述阳极层材料为氧化铟锡或镁银合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110175134 CN102376895B (zh) | 2011-06-27 | 2011-06-27 | Oled照明基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110175134 CN102376895B (zh) | 2011-06-27 | 2011-06-27 | Oled照明基板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102376895A true CN102376895A (zh) | 2012-03-14 |
CN102376895B CN102376895B (zh) | 2013-11-06 |
Family
ID=45795165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110175134 Active CN102376895B (zh) | 2011-06-27 | 2011-06-27 | Oled照明基板及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102376895B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102967979A (zh) * | 2012-11-29 | 2013-03-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种主动矩阵显示器件 |
CN105355623A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种基于透明陶瓷基板的led灯丝 |
CN105355753A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种玻璃基板led灯丝 |
CN105355756A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 |
CN105405950A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-03-16 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种透明陶瓷基板led灯丝 |
CN112151683A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled发光装置及制备方法、照明灯 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5885498A (en) * | 1996-12-11 | 1999-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic light emitting device and method for producing the same |
JP2003108029A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
CN102064185A (zh) * | 2010-11-05 | 2011-05-18 | 信利半导体有限公司 | 新型透明oled显示屏及其制造方法 |
-
2011
- 2011-06-27 CN CN 201110175134 patent/CN102376895B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5885498A (en) * | 1996-12-11 | 1999-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic light emitting device and method for producing the same |
JP2003108029A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
CN102064185A (zh) * | 2010-11-05 | 2011-05-18 | 信利半导体有限公司 | 新型透明oled显示屏及其制造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102967979A (zh) * | 2012-11-29 | 2013-03-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种主动矩阵显示器件 |
CN102967979B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-05-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种主动矩阵显示器件 |
CN105355623A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种基于透明陶瓷基板的led灯丝 |
CN105355753A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种玻璃基板led灯丝 |
CN105355756A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 |
CN105405950A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-03-16 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种透明陶瓷基板led灯丝 |
CN112151683A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled发光装置及制备方法、照明灯 |
CN112151683B (zh) * | 2019-06-28 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled发光装置及制备方法、照明灯 |
US12048177B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-07-23 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | OLED light-emitting device, method for preparing OLED light-emitting device, and lamp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102376895B (zh) | 2013-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203242671U (zh) | 具有改善的发光质量的有机发光装置 | |
CN105405862B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
TWI280545B (en) | Display and array substrate | |
CN102376895B (zh) | Oled照明基板及其制造方法 | |
CN103489889B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
CN105590953B (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
CN104795434A (zh) | Oled像素单元、透明显示装置及制作方法、显示设备 | |
CN104124259A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
KR20150061921A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
US10186564B2 (en) | Capacitor-driven electroluminescent display and method of manufacturing the same | |
CN106601768A (zh) | 透明显示装置及其制备方法 | |
CN106129102A (zh) | 一种oled封装基板及其制备方法、oled显示面板 | |
CN105742311A (zh) | 一种显示装置及其制备方法 | |
CN101669228A (zh) | 具有阳极氧化金属的发光设备 | |
WO2019184693A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、阵列基板的修复方法、显示装置 | |
CN208111487U (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
CN109216420A (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法 | |
CN104091817B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法 | |
CN102779830A (zh) | 一种金属氧化物的显示装置及其制造方法 | |
WO2021139657A1 (zh) | 有机电致发光结构及其制作方法、显示装置 | |
US8927309B2 (en) | Method for producing organic light-emitting diode illuminating device | |
CN104505397A (zh) | 电激发光显示面板的像素结构及其制作方法 | |
CN104022142B (zh) | 高开口率的顶发射amoled器件与制成方法 | |
CN102820315A (zh) | 一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法 | |
CN211428172U (zh) | 有机电致发光器件和有机电致发光显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |