CN102005522A - Led封胶工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种LED封胶工艺，包括以下步骤：a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤，首先在65℃~75℃的温度下烘烤35min~45min，然后将烤箱温度调整至145℃~155℃，烘烤55min~65min；b、烘烤结束后，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内，取出并将该半成品置入等离子清洗机，设定清洗压力为25Pa~35Pa，功率为470~490W，氢气流量为4mL/min~6mL/min，氩气流量为94mL/min~96mL/min，清洗时间为470s~490s；c、取出经等离子清洗后的半成品，然后在荧光硅胶外通过环氧树脂封装。优点：本发明具有提高了产品光衰性能，同时解决了荧光硅胶与外封环氧树脂胶出现界面分层现象。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED制作工艺，特别是LED封胶工艺。
背景技术
目前在LED封装过程中荧光胶多采用环氧树脂，外封胶也为环氧树脂，二者物质特性相同在封装中很少出现界面分层的现象，但环氧树脂散热性能较差，光衰较大，现较多封装企业用硅胶来做荧光粉配胶，改善了灯珠的散热环境，大大提高了LED的光衰性能，但与作为外封胶的环氧树脂物质特性不同，在封装环节时荧光胶与外封胶之间会出现有界面分层的不良现象。
发明内容
本发明的目的就是为了避免背景技术中的不足之处，提供一种LED封胶工艺。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案： LED封胶工艺，包括以下步骤：
a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤，首先在65℃~75℃的温度下烘烤35 Min ~45Min，然后将烤箱温度调整至145℃~155℃，烘烤55Min~65Min；
b、烘烤结束后，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内，取出并将该半成品置入等离子清洗机，设定清洗压力为25Pa~35Pa，功率为470~490W，氢气流量为4 mL/Min ~6mL/Min，氩气流量为94mL/Min~96mL/Min，清洗时间为470 s ~490s；
c、取出经等离子清洗后的半成品，然后在荧光硅胶外通过环氧树脂封装。
本发明与背景技术相比，具有提高了产品光衰性能，同时解决了荧光硅胶与外封环氧树脂胶出现界面分层现象。
具体实施方式
实施例：LED封胶工艺，其包括以下步骤：
a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤，首先在65℃~75℃的温度下烘烤35 Min ~45Min，然后将烤箱温度调整至145℃~155℃，烘烤55Min~65Min；
b、烘烤结束后，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内，取出并将该半成品置入等离子清洗机，设定清洗压力为25Pa~35Pa，功率为470~490W，氢气流量为4 mL/Min ~6mL/Min，氩气流量为94mL/Min~96mL/Min，清洗时间为470 s ~490s；
c、取出经等离子清洗后的半成品，然后在荧光硅胶外通过环氧树脂封装。
其中上述烤箱需使用专用烤硅胶烤箱，配胶过程中也需与环氧进行分离，避免出现硅胶中毒，致使荧光胶固化不完全。
荧光胶烘烤结束后，送等离子清洗机清洗，清洗后的材料需在一小时内进行外封胶，超过时间的需重新进行清洗。
等离子清洗注意事项：一是清洗物料需摆放在不锈钢托盘上，每盘材料最多可放10K，清洗机内最多可放三盘材料；二是清洗时托盘需放置在腔体挡板中央位置，不可靠后，腔体后部为电极所在区域，该区域内清洗时过于强烈。三是清洗时托盘内不能放置其它无关的物品(如纸片等)，以免导致材料变黄。
需要理解到的是：本实施例虽然本发明作了比较详细的说明，但是这些说明，只是对本发明的简单说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神内的发明创造，均落入本发明的保护范围内。
Claims (1)
1.一种LED封胶工艺，其特征在于包括以下步骤：
a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤，首先在65℃~75℃的温度下烘烤35 Min ~45Min，然后将烤箱温度调整至145℃~155℃，烘烤55Min~65Min；
b、烘烤结束后，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内，取出并将该半成品置入等离子清洗机，设定清洗压力为25Pa~35Pa，功率为470~490W，氢气流量为4 mL/Min ~6mL/Min，氩气流量为94mL/Min~96mL/Min，清洗时间为470 s ~490s；
c、取出经等离子清洗后的半成品，然后在荧光硅胶外通过环氧树脂封装。
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Publications (1)
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