CN101893742B - 表面贴装多通道光耦合器 - Google Patents
表面贴装多通道光耦合器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101893742B CN101893742B CN2010100029444A CN201010002944A CN101893742B CN 101893742 B CN101893742 B CN 101893742B CN 2010100029444 A CN2010100029444 A CN 2010100029444A CN 201010002944 A CN201010002944 A CN 201010002944A CN 101893742 B CN101893742 B CN 101893742B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- substrate
- packaging material
- plastic packaging
- optocoupler package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
一种表面贴装多通道光耦合器。公布了一种光耦合器封装部件。该光耦合器封装部件包括一个基片和多个光耦合器,该基片包括引线框和塑封料,每一个光耦合器包括:(i)光发射器;(ii)光接收器;(iii)置于光发射器和光接收器之间的透光材料,其中光发射器和光接收器电耦合到引线框。
Description
本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2005/005133,国际申请日为2005年02月17日,进入中国国家阶段的申请号为200580012042.6,名称为“表面贴装多通道光耦合器”的发明专利申请的分案申请。
发明背景
光耦合器包含至少一个光发射器,该光发射器通过透光介质光耦合到光接收器。这种结构准许将信息从一个包含光发射器的电路传递到另一个包含光接收器的电路。在这两个电路之间保持高度电隔离。因为信息是横跨绝缘空隙以光的形式来传递的,所以该传递是单向的。例如,光接收器不能限制包含光发射器的电路的操作。该特征是重要的,例如因为发射器可能由使用微处理器或逻辑门的低电压电路来驱动,而同时输出光接收器可能是高电压DC或AC负载电路的一部分。这种光隔离也防止由相对恶劣的输出电路对输入电路所造成的损坏。
常见的光耦合器封装形式是双列直插式封装或DIP。这种封装广泛用于安装集成电路,并且也用于常规的光耦合器。通常制造的各种版本的光耦合器DIP封装部件具有4、6、8或16个引脚。
图1示出了常规的光耦合器DIP封装部件10的横截面。所示的光耦合器10包括引线框24,引线框24包括引线24(a)、24(b)(即引脚)。光发射器12安装在一个引线24(a)上。光接收器14安装在另一个引线24(b)上。光接收器14在接收到光发射器12所产生的光之后就产生了电信号。光发射器12通过其底面电耦合到引线24(a),并且通过导线11耦合到另一个引线(未示出)。相似的是,光接收器14通过底面电耦合到24(b),并且通过导线13耦合到另一个引线(未示出)。本领域的技术人员将会认识到,光发射器12用两个电连接即阳极和阴极来操作。这些连接由导线11和引线24(a)来提供。相似的是,光接收器14用两个电连接(通常是发射极和集电极)来操作。这些连接由导线13和引线24(b)来提供。光耦合器封装部件10还包括透光介质16。塑封料18包住引线框24、光发射器12、光接收器14和透光介质16。
对于图1所示的光耦合器封装部件10,可以做出大量的改进。例如,光耦合器封装部件10需要昂贵且费时的注塑成型工艺。在注塑成型工艺中,塑封料18包住光耦合器封装部件10的其它部分。除了注塑成型工艺本身以外,使用成型材料去除工艺(例如,胶渣去除工艺)来去除多余的塑封料,由此增加了形成光耦合器封装部件的时间和成本。另外,产生不同“形状因子”的模制品(例如,4、6或8引脚封装部件)所需的工具也需要相当大的投资。相应地,如果可以省去注塑成型工艺,则与生产光耦合器封装部件相关联的时间和成本可以减少许多。
对光耦合器封装部件10,也可以做出其它改进。光耦合器封装部件10也容易因热循环而出故障。例如,当塑封料18和透光介质16被加热或冷却时,它们的热膨胀特性差异使它们以不同的比率膨胀或收缩。塑封料18和透光介质16有可能分离,从而导致结构性较弱的封装部件。温度变化也会在引线框24从塑封料18中出来的那些点处产生应力(例如,在点“A”处)。该应力可能会使引线框24断裂或性能变差。同时,导线11、13有时候可能会穿透透光介质16和塑封料18。透光介质16和塑封料18的热膨胀特性差异可能导致导线11和13中产生应力并使它们断裂。
同时也期望减小常规光耦合器封装部件的高度。图1所示的光耦合器封装部件10相对太高。例如,典型的DIP封装部件的净高度约为3.5到4.0毫米。期望减小光耦合器封装部件的高度,这样它便可以具有较矮的外形。如此,可以生产出更小的电子元件。
同时期望增加上述封装部件的功能并减小与制造光耦合器封装部件相关联的成本。
本发明的多个实施例单独地或共同地来解决这些和其它问题。
发明内容
本发明的多个实施例涉及光耦合器封装部件及其制造方法。
本发明的一个实施例涉及一种光耦合器封装部件,它包括:(a)基片,该基片包括引线框和塑封料;(b)光发射器;(c)光接收器,其中光发射器和光接收器电耦合到该引线框;以及(d)透光介质,它被置于光发射器和光接收器之间。
本发明的另一个实施例涉及一种用于形成光耦合器封装部件的方法,该方法包括:(a)形成包括引线框和塑封料的基片;(b)将光发射器和光接收器附着到该基片上;以及(c)在该光发射器和光接收器之间沉积透光材料。
本发明的另一个实施例涉及一种光耦合器封装部件,它包括:(a)基片;(b)至少两个光发射器;(c)至少两个光接收器;以及(d)在相邻的光发射器和光接收器之间的透光介质,其中光发射器和光接收器位于该基片上。
在下文中进一步详细描述这些和其它实施例。
附图说明
图1示出了现有技术的光耦合器封装部件。
图2从底部透视角度示出了根据本发明一实施例的基片。
图3示出了图4的基片,该基片示出了内部引线框配置。
图4示出了图5所示基片的底部平面图。
图5示出了图4所示基片沿A-A线的侧面横截面图。
图6是该基片的另一张底部平面图,它示出了不同的光耦合器象限。
图7从底部透视角度示出了根据本发明一实施例的光耦合器封装部件。
图8从顶部透视角度示出了根据本发明一实施例的光耦合器封装部件。
图9是从底部透视角度看到的光耦合器封装部件的底部透视图,并且其中示出了光发射器和光接收器。
图10是一种光耦合器封装部件的底部平面图,它示出了光接收器和光发射器。
图11示出了一种光耦合器组件,它包括安装在基片上的光耦合器封装部件。
具体实施方式
在本发明的实施例中,一个或多个光耦合器位于单个基片上,该基片由引线框和塑封料构成。例如,在单个基片上可以有四个光耦合器排成四元阵列。每一个光耦合器可以包括光发射器(例如,发光二极管)和光接收器(例如,光电二极管)。光接收器和光发射器之间的间隔可以大约介于0.3毫米到0.5毫米之间。每一个光耦合器都可以用透光耦合凝胶来固定,并且可以用不透光的高反射环氧基聚合物来包住。可以将光耦合器的功能端分组,并将它们引向该封装部件的四周,这样便形成了球形栅格阵列布局。光接收器、光发射器和引线键合点可排列成使得它们将对应于引线框的各端。
诸如控制芯片等逻辑器件也可以位于该基于引线框的基片上,并且也可以位于光耦合器封装部件中。此外,包括MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)(比如,带有或不带有槽栅的功率MOSFET)的芯片可以位于该基片上或该封装部件中。这种芯片或器件可以位于该基片上,并且可以电耦合到诸如光发射器和光接收器等组件。
在一些实施例中,光耦合器封装部件很薄,并且具有至少两个光耦合器(例如,四个光耦合器)。有利的是,与各自带有一个光耦合器的四个分立的光耦合器封装部件相比,单个的光耦合器封装部件可以提供相同的或改进的性能。如下文所示,该封装部件中的***焊接球布局允许更简单的板设计,因为导电轨迹的线路已经集成到光耦合器封装部件中了。这也节省了附着有光耦合器封装部件的板上的空间。
图2-3示出了预备模制的引线框基片1,它被用于光耦合器封装部件中。它包括引线框2和塑封料3。引线框2可以包括芯片附着区域,两个或多个包括光接收器和光发射器的芯片被置于该芯片附着区域。诸如控制芯片等附加的芯片也可以被安装在引线框上。两个或多个引线可以从该芯片附着区域中延伸出来,并且可以形成引线框的各个接线端。“引线框”包括可能已经处理过(例如,通过蚀刻)或没有处理过的引线框结构。在其它情况下,可以使用其它类型的基片。
参照图4-5,引线框2是基片1的骨架结构。它具有复杂的半蚀刻图案2a、非蚀刻图案2b以及通孔或完全蚀刻图案2c,从而定义了基片1的功能焊点和锁定区域(以锁住塑封料3)。
引线框2可以包括任何合适的金属,并且可以具有任何合适的厚度。例如,高机械强度的铜合金是较佳的。引线框2可以在蚀刻或非蚀刻区域中具有约0.2毫米(8密耳)或更小的厚度。对于本领域的那些技术人员而言,许多蚀刻工艺都是已知的。引线框2也可以包括诸如Ni、Pd、Au或Ag等的镀层。
基片1的塑封料3形成了基片1的主体。它填充了引线框1的通孔2c和半蚀刻区域2a。在本示例中,基片1的非蚀刻区域2b并未用塑封料3来覆盖。
塑封料3可以包括聚合的和/或复合的材料,这些材料可能需要或可能不需要封胶后烘烤(post mold curing)。它可能包含环氧树脂、硬化剂、弹性体、非磷阻燃剂、润滑油、二氧化硅填充剂等。它可以具有均衡的粒子大小,以保证完全填充引线框2的半蚀刻区域。它也可以包含足够量的碳黑色素,以便有更好的激光标记对比度。构成塑封料3组成材料的均衡的材料也可以被用于防止基片扭曲变形。
在一些实施例中,可以通过使用狭带粘贴的方法来形成基片1。例如,可以将狭带附着到引线框2的非蚀刻焊点2b上,这样塑封料3(或成型坏料或成型毛边)并不占据基片1的功能焊点。为了增加基片1的机械强度,使引线框2未帖狭带的一侧注塑成型约0.1毫米。在其它实施例中,不存在注塑成型,并且塑封料3仅位于引线框2的空隙之内。基片1的厚度可以根据封装部件20的机械和物理要求而变化。
如图所示,基片1中的塑封料3定义了功能焊点。这些功能焊点是引线框2的非蚀刻区域2b。
在2002年8月30日提交的申请号为10/233,248的美国专利中,可以发现形成各种细节的附加基片,该专利整体引用在此作为参考。
参照图6,光耦合器封装部件可以被分成带有四个光耦合器(即光耦合器I-IV)的四个象限。光耦合器I占据象限I(101)。光耦合器II占据象限II(102)。光耦合器III占据象限III(103)。光耦合器IV占据象限IV(104)。
参照图6-7,基片1的功能焊点可以按下述来标记:
(a)光耦合器I 21的四个内部装配焊点是阴极I(或二极管芯片附着焊点I)4a、阳极I(或二极管焊接焊点I)5a、集电极I(或光电晶体管芯片附着焊点I)6a和发射器I(或光电晶体管焊接焊点I)7a;
(b)光耦合器II 22的四个内部装配焊点是阴极II(或二极管芯片附着焊点I)4b、阳极II(或二极管焊接焊点II)5b、集电极II(或光电晶体管芯片附着焊点II)6b和发射极II(或光电晶体管焊接焊点II)7b;
(c)光耦合器III 23的四个内部装配焊点是阴极III 4c、阳极III 5c、集电极III 6c和发射器III 7c;以及
(d)光耦合器IV 24的四个内部装配焊点是阴极IV 4d、阳极IV 5d、集电极IV 6d和发射极IV 7d。
基片1的非蚀刻功能焊点连接到焊盘以便于***焊接球形附着。这些被分组并引出引线,从而构成具有共用端点焊盘的对称的封装基片1。这些***的球形附着焊点被标记如下:
(e)光耦合器I和IV的阴极或二极管芯片附着焊点(4a、4d)被短接并且被连接到共用的阴极端点焊盘8a,并且位于象限I和IV的外边界处;
(f)光耦合器II和III的阴极或二极管芯片附着焊接焊点(4b、4c)被短接并且连接到共用的阴极端点焊盘8b,并且位于象限II和III的外边界处;
(g)所有光耦合器的阳极端点焊盘9a、9b、9c、9d都独立地位于各象限的***角落处;
(h)各光耦合器的集电极端点焊盘10a、10b、10c、10d都独立地且横向地位于与阳极焊盘直接相反的位置;
(i)所有光耦合器的发射极或光电晶体管焊接焊点7a、7b、7c、7d都被短接并且朝着该基片的中心水平***引线,从而产生用于发射极焊接球的两个对称的***焊盘11。在所有的光耦合器中,阳极-阴极焊点与发射极-集电极焊点保持约0.5毫米的间隙。这将保证每一个光耦合器具有高电压击穿。
图7示出了包含四个光耦合器的光耦合器封装部件20,这四个光耦合器包括团形顶半球形21、22、23、24。团形顶部材料并不接触球形附着***端点焊盘8a-8b、9a-9d、10a-10d(如图6所示)。
光耦合器封装部件20包括附着于基片1上的外部的***焊接球25。***球25附着到端点焊盘8a-8b、9a-9d、10a-10d、11上。这些球25充当光耦合器封装部件20到印刷电路板(PCB)31的紧密连接机构(参看图11)。焊接球25最好包括高熔点的无铅合金。
如图7所示,在所示的示例中,光耦合器封装部件20具有12个等间隔的***焊接球25。封装部件***球引出结构可能会根据特定的封装引脚引出要求和芯片而变化(基于内部装配焊点短接和接线端引线的相同概念)。尽管详细描述了焊接球,但是可以使用诸如铜柱等其它导电结构(例如,预先形成的或电镀的)。这些导电结构的高度大于光学封装部件中光接收器和光发射器的高度,这样便可以安装触发器。
参照图9和10,当正向电流加在光耦合器上时,LED芯片26产生光子,从而芯片26中的P-N结发出光。可以使用高度约9密耳或更低的LED芯片。
光电晶体管芯片27检测由LED芯片26发出的光并将它转换为电子,从而在光耦合器输出处产生了电流。光检测发生在其集电极-基极结处。可以使用高度约为8密耳的光电晶体管芯片。
参照图6、9和10,芯片附着材料(未示出)将各LED芯片26的背面接合到其指定的芯片附着焊点4a、4b、4c、4d。相似的是,它将各光电晶体管芯片27的背面接合到其指定的芯片附着焊点6a、6b、6c、6d。芯片附着材料可以是任何导电接合材料。这些示例包括填充有银的环氧树脂类、软的焊料等。在一些实施例中,可以使用芯片附着嵌条,并且可以控制它最大约为芯片高度的50%,从而使LED芯片26的侧面发出的光达到最多。
接合导线28将LED芯片26的阳极焊点连接到二极管焊接焊点5a、5b、5c、5d,从而使封装部件20的二极管组件的电路完整。相似的是,它们将光电晶体管芯片27连接到它们指定的焊接焊点7a、7b、7c、7d。接合导线28可以包括任何合适的可延展金属-Au、Cu、Al或这些金属的掺杂体、这些金属的合金等。推荐从基片起约14密耳的导线环。
通过使用透光且无瑕的凝胶材料29,将导线接合LED芯片和光电晶体管芯片组件耦合起来。耦合凝胶29的光学透明性允许LED26结中发出的光朝着光电晶体管27的感光结有效地转移。耦合凝胶29覆盖整个导线接合芯片组件,并且形成一个接近半球形的圆顶以使发出的光达到最大程度的透射。
用白色反射式团状顶部材料30来覆盖每一个导线接合LED和光电晶体管组件的透光半球形圆顶29,从而使一个光耦合器内部封装结构完整。团状顶部30(或反光材料)是一种能使所发出的光保持在该圆顶的限制范围之内的反光材料。该团状顶部涂层与圆顶形状一致,并且可以完全覆盖无瑕的耦合凝胶29(或透光材料)。它透光粘合来使该圆顶密封。该团状顶部材料30可以具有约0.2毫米的最小厚度。
光耦合器封装部件可以根据下面的步骤来制造。
首先,可以执行引线框成型过程。通过使用上述贴狭带的引线框,来执行引线框成型工艺。可以将一片狭带附着于引线框的非蚀刻焊点上,这样塑封料就不会占据接下来形成的基片的功能焊点。使引线框未贴狭带的侧面注塑成型,从而为基片增加机械强度。
第二,可以执行芯片附着过程。例如,通过使用带有导电性填充物和焊料的粘合剂,可以附着LED和光电晶体管芯片。根据所使用的粘合剂的类型,芯片附着固化可能需要或者可能不需要。
第三,可以执行导线接合过程以便在基片中芯片及其相应的焊点之间形成导电路径。例如,在一些实施例中,可以执行热声波(thermosonic)或超声波导线接合过程。
第四,可以执行圆顶涂覆和固化过程。可以使用任何合适的液体分配过程以便分配无瑕的耦合凝胶,从而形成透光的半球形圆顶。可以需要固化以改善耦合凝胶的物理特性。合适的圆顶涂覆材料包括硅树脂基材料,该材料可从Dow Corning和General Electric那里获得,尽管任何合适的厂商都可以使用。
第五,可以执行团块封顶和固化过程。可以使用任何合适的液体分配过程来进行不透明的团块封顶。根据所用材料的类型,可能需要或可能不需要固化。合适的反射式涂覆材料包括带有反射性色素的环氧基涂层,该反射性色素基于诸如氧化钛或其它金属氧化物等材料。它们可以从Epotek和Hysol处买到,尽管任何合适的厂商都可以使用。
第六,可以执行焊接沉积过程(例如,针对图中的焊接球25)。可以使用焊接球附着、熔解、球定位或球射击、球喷射和其它过程,以便将诸如焊料等导电性结构附着到基片上。在其它实施例中,导电性的柱(例如,铜柱)可以被置于该基片上,或可以被电镀到该基片上。
第七,可以执行焊料回流过程(如果使用了焊料)。在一些实施例中,可以使用对流或传导或辐射焊料回流过程。
第八,可以执行切割过程。切割过程包括刀片锯切、水喷射锯切、激光锯切等。切割过程将所以形成的基片彼此分开。
第九,可以执行电学测试。可以使用高电压测试和参数测试,以便将带有电学缺陷的任何封装部件剔除。
第十,可以执行封装部件标记过程。可以使用激光或焊点标记或其它过程来提供封装标识和定向。
在形成封装部件之后,可以如图11所示将它翻转过来并安装到印刷电路板上。可以使用常用的表面装配技术。
注意到,上述多个过程可以按上述顺序来执行,或者可以按不同的顺序来执行。
注意到,本发明并不限于上述较佳的实施例,并且很明显,在本发明的精神和范围之内,本领域的技术人员可以执行各种变化和修改。此外,本发明的任何一个或多个实施例都可以在不背离本发明的精神和范围的情况下而与本发明的一个或多个实施例相结合。
所有上述美国临时和非临时专利申请及出版物以其整体引用在此作为参考。它们都不被视为现有技术。
Claims (18)
1.一种光耦合器封装部件,包括:
(a)预备模制的引线框基片,所述基片包括引线框和形成所述基片的主体的塑封料,该基片具有第一表面,所述引线框具有多个半蚀刻、未蚀刻、和完全蚀刻的图案,其中所述塑封料填充所述半蚀刻和完全蚀刻的图案,且和所述未蚀刻的图案齐平,所述未蚀刻的图案在所述第一表面从所述塑封料中露出以作为功能焊点;
(b)光发射器,其位于所述基片的第一表面,并且和所述引线框电耦合;
(c)光接收器,其位于所述基片的第一表面并电耦合到所述引线框;
(d)位于所述基片的第一表面的圆顶透光介质,所述透光介质覆盖所述光发射器和所述光接收器,所述圆顶具有在所述基片的第一表面上的第一高度;以及
(e)多个位于所述基片的第一表面,且耦合到所述引线框的导电结构,其中每个所述导电结构所具有的高度大于所述第一高度。
2.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述导电结构是焊接结构。
3.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,还包括用于将所述光接收器电耦合到所述引线框、并将所述光发射器电耦合到所述引线框的接合导线。
4.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述引线框包括蚀刻部分和非蚀刻部分,并且其中所述蚀刻部分被所述塑封料所覆盖而所述非蚀刻部分没有被所述塑封料所覆盖。
5.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述引线框包括铜。
6.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,其特征在于,多个光耦合器位于所述基片上。
7.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述引线框在第一侧包括蚀刻部分和非蚀刻部分,并且其中所述蚀刻部分被所述塑封料所覆盖而所述非蚀刻部分没有被所述塑封料所覆盖,并且其中所述塑封料完全地覆盖了所述引线框的第二侧。
8.一种用于形成光耦合器封装部件的方法,所述方法包括:
(a)形成预备模制的引线框基片,所述基片包括引线框和形成所述基片的主体的塑封料,所述基片具有第一表面,所述引线框具有多个半蚀刻、未蚀刻、和完全蚀刻的图案,其中所述塑封料填充所述半蚀刻和完全蚀刻的图案,且和所述未蚀刻的图案齐平,所述未蚀刻的图案在所述第一表面从所述塑封料中露出以作为功能焊点;
(b)将光发射器和光接收器连接到所述基片的第一表面上;以及
(c)在所述基片的第一表面上沉积圆顶透光材料以覆盖所述光发射器和所述光接收器,所述圆顶具有在所述基片的第一表面上的第一高度;以及
(d)在所述基片的第一表面形成多个导电结构,该导电结构电耦合到所述引线框,其中每个所述导电结构所具有的高度大于所述第一高度。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法包括:在步骤(a)之前,蚀刻所述引线框。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述引线框包括铜。
11.如权利要求8所述的方法,还包括将导线从所述光发射器和所述光接收器连接到所述引线框。
12.如权利要求8所述的方法,还包括在所述透光材料上沉积不透光的材料。
13.如权利要求8所述的方法,还包括将至少四个光发射器和至少四个光接收器安装到所述基片上。
14.一种光耦合器封装部件,它包括:
(a)具有引线框、塑封料、和第一表面的预备模制的引线框基片,所述塑封料形成所述基片的主体,所述引线框具有多个半蚀刻、未蚀刻、和完全蚀刻的图案,其中所述塑封料填充所述半蚀刻和完全蚀刻的图案,且和所述未蚀刻的图案齐平,所述未蚀刻的图案在所述第一表面从所述塑封料中露出以作为功能焊点;以及
(b)位于所述基片的第一表面上的至少两个光发射器;
(c)位于所述基片的第一表面上的至少两个光接收器;
(d)至少两个圆顶透光介质,每个圆顶位于所述基片的第一表面上,且覆盖光发射器和相邻的光接收器,所述圆顶具有在所述基片的第一表面上的第一高度;以及
(e)在所述透光介质上的反光材料;
(f)多个位于所述基片的第一表面的导电结构,其中每个所述导电结构所具有的高度大于所述第一高度。
15.如权利要求14所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述基片包括引线框,所述引线框包括蚀刻部分。
16.如权利要求14所述的光耦合器封装部件,其特征在于,所述基片包括引线框,所述引线框包括铜和塑封料。
17.如权利要求14所述的光耦合器封装部件,还包括所述基片上的包括MOSFET的芯片。
18.如权利要求1所述的光耦合器封装部件,还包括所述基片上的包括MOSFET的芯片。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/817,195 | 2004-04-02 | ||
US10/817,195 US7196313B2 (en) | 2004-04-02 | 2004-04-02 | Surface mount multi-channel optocoupler |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580012042A Division CN100590779C (zh) | 2004-04-02 | 2005-02-17 | 表面贴装多通道光耦合器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101893742A CN101893742A (zh) | 2010-11-24 |
CN101893742B true CN101893742B (zh) | 2013-12-18 |
Family
ID=35053264
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580012042A Expired - Fee Related CN100590779C (zh) | 2004-04-02 | 2005-02-17 | 表面贴装多通道光耦合器 |
CN2010100029444A Expired - Fee Related CN101893742B (zh) | 2004-04-02 | 2005-02-17 | 表面贴装多通道光耦合器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200580012042A Expired - Fee Related CN100590779C (zh) | 2004-04-02 | 2005-02-17 | 表面贴装多通道光耦合器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7196313B2 (zh) |
JP (1) | JP2007531310A (zh) |
CN (2) | CN100590779C (zh) |
DE (1) | DE112005000717T5 (zh) |
MY (1) | MY139480A (zh) |
TW (1) | TWI452715B (zh) |
WO (1) | WO2005102156A2 (zh) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7061077B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-06-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die |
JP2006351859A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sharp Corp | 光結合装置の製造方法 |
US8334583B2 (en) * | 2005-07-20 | 2012-12-18 | Infineon Technologies Ag | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component |
US8057408B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-11-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Pulsed cavitational ultrasound therapy |
US20070083120A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-04-12 | Cain Charles A | Pulsed cavitational ultrasound therapy |
US10219815B2 (en) * | 2005-09-22 | 2019-03-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Histotripsy for thrombolysis |
US20090057852A1 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Madrid Ruben P | Thermally enhanced thin semiconductor package |
US7371616B2 (en) * | 2006-01-05 | 2008-05-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Clipless and wireless semiconductor die package and method for making the same |
US20070216033A1 (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-20 | Corisis David J | Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same |
US7768105B2 (en) * | 2007-01-24 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Pre-molded clip structure |
US8106501B2 (en) * | 2008-12-12 | 2012-01-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including low stress configuration |
KR101391925B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2014-05-07 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 반도체 패키지 금형 |
KR101489325B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2015-02-06 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 플립-칩 방식의 적층형 파워 모듈 및 그 파워 모듈의제조방법 |
US7659531B2 (en) * | 2007-04-13 | 2010-02-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Optical coupler package |
US7683463B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Etched leadframe structure including recesses |
US7902657B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self locking and aligning clip structure for semiconductor die package |
US7737548B2 (en) | 2007-08-29 | 2010-06-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including heat sinks |
US20090140266A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Yong Liu | Package including oriented devices |
US7589338B2 (en) * | 2007-11-30 | 2009-09-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die packages suitable for optoelectronic applications having clip attach structures for angled mounting of dice |
KR20090062612A (ko) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 멀티 칩 패키지 |
US7781872B2 (en) * | 2007-12-19 | 2010-08-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Package with multiple dies |
US8106406B2 (en) | 2008-01-09 | 2012-01-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Die package including substrate with molded device |
US7626249B2 (en) * | 2008-01-10 | 2009-12-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flex clip connector for semiconductor device |
US20090194856A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Gomez Jocel P | Molded package assembly |
KR101524545B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2015-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
US8018054B2 (en) * | 2008-03-12 | 2011-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including multiple semiconductor dice |
US7768108B2 (en) * | 2008-03-12 | 2010-08-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including embedded flip chip |
KR101519062B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2015-05-11 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
US20090278241A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Yong Liu | Semiconductor die package including die stacked on premolded substrate including die |
US8193618B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-06-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package with clip interconnection |
US7973393B2 (en) * | 2009-02-04 | 2011-07-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Stacked micro optocouplers and methods of making the same |
US8222718B2 (en) * | 2009-02-05 | 2012-07-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package and method for making the same |
WO2011022411A2 (en) | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Histosonics, Inc. | Disposable acoustic coupling medium container |
US9901753B2 (en) * | 2009-08-26 | 2018-02-27 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultrasound lithotripsy and histotripsy for using controlled bubble cloud cavitation in fractionating urinary stones |
JP5863654B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2016-02-16 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ ミシガン | 治療および画像処理超音波変換器用のマイクロマニピュレータ制御アーム |
JP4764519B1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-07 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
US8421204B2 (en) | 2011-05-18 | 2013-04-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Embedded semiconductor power modules and packages |
US9144694B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-09-29 | The Regents Of The University Of Michigan | Lesion generation through bone using histotripsy therapy without aberration correction |
US9012826B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-04-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler with multiple photodetectors and improved feedback control of LED |
US9049783B2 (en) * | 2012-04-13 | 2015-06-02 | Histosonics, Inc. | Systems and methods for obtaining large creepage isolation on printed circuit boards |
EP2844343B1 (en) | 2012-04-30 | 2018-11-21 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultrasound transducer manufacturing using rapid-prototyping method |
US20140100459A1 (en) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Bubble-induced color doppler feedback during histotripsy |
CN102915942B (zh) * | 2012-10-08 | 2015-12-02 | 华东光电集成器件研究所 | 一种光耦合器精确固晶装置 |
CN105530869B (zh) | 2013-07-03 | 2019-10-29 | 希斯托索尼克斯公司 | 利用冲击散射对气泡云形成进行优化的组织摧毁术激发序列 |
US11432900B2 (en) | 2013-07-03 | 2022-09-06 | Histosonics, Inc. | Articulating arm limiter for cavitational ultrasound therapy system |
WO2015027164A1 (en) | 2013-08-22 | 2015-02-26 | The Regents Of The University Of Michigan | Histotripsy using very short ultrasound pulses |
US11135454B2 (en) | 2015-06-24 | 2021-10-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Histotripsy therapy systems and methods for the treatment of brain tissue |
TWI587536B (zh) * | 2015-11-11 | 2017-06-11 | 趙寶龍 | 光耦合器 |
US10170658B2 (en) * | 2015-11-13 | 2019-01-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package structures and method of manufacturing the same |
US11211305B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components |
US10861796B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Floating die package |
US10179730B2 (en) | 2016-12-08 | 2019-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Electronic sensors with sensor die in package structure cavity |
US10411150B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions |
US10074639B2 (en) * | 2016-12-30 | 2018-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
US9929110B1 (en) | 2016-12-30 | 2018-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit wave device and method |
US10121847B2 (en) | 2017-03-17 | 2018-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolation device |
EP3886737A4 (en) | 2018-11-28 | 2022-08-24 | Histosonics, Inc. | HISTOTRIPSY SYSTEMS AND METHODS |
WO2021155026A1 (en) | 2020-01-28 | 2021-08-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Systems and methods for histotripsy immunosensitization |
CN113540058A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-10-22 | 华润微集成电路(无锡)有限公司 | 一种高耐压光耦封装产品及制作方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4114177A (en) * | 1975-05-01 | 1978-09-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically coupled device with diffusely reflecting enclosure |
Family Cites Families (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4124860A (en) * | 1975-02-27 | 1978-11-07 | Optron, Inc. | Optical coupler |
US4450461A (en) | 1981-07-24 | 1984-05-22 | General Electric Company | Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity |
US4445043A (en) | 1982-01-28 | 1984-04-24 | General Instrument Corporation | Method of making an optocoupler |
US4680613A (en) | 1983-12-01 | 1987-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Low impedance package for integrated circuit die |
US4751199A (en) | 1983-12-06 | 1988-06-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Process of forming a compliant lead frame for array-type semiconductor packages |
US4772935A (en) | 1984-12-19 | 1988-09-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | Die bonding process |
US4890153A (en) | 1986-04-04 | 1989-12-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Single bonding shelf, multi-row wire-bond finger layout for integrated circuit package |
US4794431A (en) * | 1986-04-21 | 1988-12-27 | International Rectifier Corporation | Package for photoactivated semiconductor device |
US4720396A (en) | 1986-06-25 | 1988-01-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | Solder finishing integrated circuit package leads |
NL8602091A (nl) | 1986-08-18 | 1988-03-16 | Philips Nv | Beeldopneeminrichting uitgevoerd met een vaste-stof beeldopnemer en een elektronische sluiter. |
DE3633181C2 (de) | 1986-09-30 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Reflexlichtschranke |
US4791473A (en) | 1986-12-17 | 1988-12-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Plastic package for high frequency semiconductor devices |
US4731701A (en) | 1987-05-12 | 1988-03-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Integrated circuit package with thermal path layers incorporating staggered thermal vias |
US5172214A (en) | 1991-02-06 | 1992-12-15 | Motorola, Inc. | Leadless semiconductor device and method for making the same |
US5203075A (en) | 1991-08-12 | 1993-04-20 | Inernational Business Machines | Method of bonding flexible circuit to cicuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders |
JPH0595071A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
KR100280762B1 (ko) | 1992-11-03 | 2001-03-02 | 비센트 비.인그라시아 | 노출 후부를 갖는 열적 강화된 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP3254865B2 (ja) | 1993-12-17 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | カメラ装置 |
JP3541491B2 (ja) | 1994-06-22 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品 |
US5489800A (en) | 1994-08-31 | 1996-02-06 | Motorola, Inc. | Dual channel small outline optocoupler package and method thereof |
US5545893A (en) | 1994-12-23 | 1996-08-13 | Motorola, Inc. | Optocoupler package and method for making |
US6183077B1 (en) * | 1995-04-27 | 2001-02-06 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for keying ink supply containers |
JP3191617B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2001-07-23 | 日立電線株式会社 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
US5789809A (en) | 1995-08-22 | 1998-08-04 | National Semiconductor Corporation | Thermally enhanced micro-ball grid array package |
JP3549294B2 (ja) | 1995-08-23 | 2004-08-04 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその実装構造 |
US5637916A (en) | 1996-02-02 | 1997-06-10 | National Semiconductor Corporation | Carrier based IC packaging arrangement |
WO1998015005A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Mikroelektronisches bauteil in sandwich-bauweise |
JP2000049184A (ja) | 1998-05-27 | 2000-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6229200B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-05-08 | Asat Limited | Saw-singulated leadless plastic chip carrier |
JP2000003988A (ja) | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Sony Corp | リードフレームおよび半導体装置 |
US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
US6133634A (en) | 1998-08-05 | 2000-10-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | High performance flip chip package |
US6393183B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-05-21 | Eugene Robert Worley | Opto-coupler device for packaging optically coupled integrated circuits |
US6424035B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-07-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor bilateral switch |
JP3871486B2 (ja) | 1999-02-17 | 2007-01-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6656206B2 (en) | 1999-05-13 | 2003-12-02 | Cardia, Inc. | Occlusion device with non-thrombogenic properties |
US6479280B1 (en) | 1999-09-24 | 2002-11-12 | Vlaams Interuniversitair Institutuut Voor Biotechnologie Vzw | Recombinant phages capable of entering host cells via specific interaction with an artificial receptor |
US6720642B1 (en) | 1999-12-16 | 2004-04-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flip chip in leaded molded package and method of manufacture thereof |
US6384472B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-05-07 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd | Leadless image sensor package structure and method for making the same |
US6989588B2 (en) | 2000-04-13 | 2006-01-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device including molded wireless exposed drain packaging |
US6556750B2 (en) | 2000-05-26 | 2003-04-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Bi-directional optical coupler |
US6661082B1 (en) | 2000-07-19 | 2003-12-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flip chip substrate design |
JP2002093982A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6342670B1 (en) * | 2000-09-19 | 2002-01-29 | Lite-On Electronics, Inc. | Photoelectric module device |
US6753605B2 (en) | 2000-12-04 | 2004-06-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Passivation scheme for bumped wafers |
US6798044B2 (en) | 2000-12-04 | 2004-09-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flip chip in leaded molded package with two dies |
US6564100B2 (en) | 2000-12-06 | 2003-05-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Cardiac rhythm management system with remotely activated capture verification for CHF and other patients |
JP2002203957A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Rohm Co Ltd | トランジスタ |
JP2002217416A (ja) | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US6469384B2 (en) | 2001-02-01 | 2002-10-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Unmolded package for a semiconductor device |
US6891257B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-05-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging system for die-up connection of a die-down oriented integrated circuit |
US6528869B1 (en) | 2001-04-06 | 2003-03-04 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with molded substrate and recessed input/output terminals |
US6645791B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-11-11 | Fairchild Semiconductor | Semiconductor die package including carrier with mask |
US6731002B2 (en) | 2001-05-04 | 2004-05-04 | Ixys Corporation | High frequency power device with a plastic molded package and direct bonded substrate |
US6437429B1 (en) | 2001-05-11 | 2002-08-20 | Walsin Advanced Electronics Ltd | Semiconductor package with metal pads |
US6893901B2 (en) | 2001-05-14 | 2005-05-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Carrier with metal bumps for semiconductor die packages |
US6683375B2 (en) | 2001-06-15 | 2004-01-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die including conductive columns |
US6784376B1 (en) | 2001-08-16 | 2004-08-31 | Amkor Technology, Inc. | Solderable injection-molded integrated circuit substrate and method therefor |
US6449174B1 (en) | 2001-08-06 | 2002-09-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Current sharing in a multi-phase power supply by phase temperature control |
US6633030B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-10-14 | Fiarchild Semiconductor | Surface mountable optocoupler package |
US6603183B1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Quick sealing glass-lidded package |
US20040173894A1 (en) | 2001-09-27 | 2004-09-09 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit package including interconnection posts for multiple electrical connections |
US6891256B2 (en) | 2001-10-22 | 2005-05-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Thin, thermally enhanced flip chip in a leaded molded package |
US6642738B2 (en) | 2001-10-23 | 2003-11-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and apparatus for field-effect transistor current sensing using the voltage drop across drain to source resistance that eliminates dependencies on temperature of the field-effect transistor and/or statistical distribution of the initial value of drain to source resistance |
US6674157B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-01-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor package comprising vertical power transistor |
US6566749B1 (en) | 2002-01-15 | 2003-05-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package with improved thermal and electrical performance |
US6830959B2 (en) | 2002-01-22 | 2004-12-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package with semiconductor die having side electrical connection |
US6867489B1 (en) | 2002-01-22 | 2005-03-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package processable at the wafer level |
US6650015B2 (en) * | 2002-02-05 | 2003-11-18 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Cavity-down ball grid array package with semiconductor chip solder ball |
AU2003218085A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-09-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Wafer-level coated copper stud bumps |
JP4189161B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2008-12-03 | 新日本無線株式会社 | リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
US6836023B2 (en) | 2002-04-17 | 2004-12-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Structure of integrated trace of chip package |
EP1509296A1 (en) * | 2002-05-31 | 2005-03-02 | Mattel, Inc. | Spring-driven toy vehicle |
US7061077B2 (en) * | 2002-08-30 | 2006-06-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Substrate based unmolded package including lead frame structure and semiconductor die |
US6818973B1 (en) | 2002-09-09 | 2004-11-16 | Amkor Technology, Inc. | Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process |
US6777800B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-08-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including drain clip |
US6943434B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method for maintaining solder thickness in flipchip attach packaging processes |
US6806580B2 (en) | 2002-12-26 | 2004-10-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multichip module including substrate with an array of interconnect structures |
US6798047B1 (en) | 2002-12-26 | 2004-09-28 | Amkor Technology, Inc. | Pre-molded leadframe |
US6867481B2 (en) | 2003-04-11 | 2005-03-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Lead frame structure with aperture or groove for flip chip in a leaded molded package |
-
2004
- 2004-04-02 US US10/817,195 patent/US7196313B2/en active Active
-
2005
- 2005-02-17 DE DE112005000717T patent/DE112005000717T5/de not_active Withdrawn
- 2005-02-17 WO PCT/US2005/005133 patent/WO2005102156A2/en active Application Filing
- 2005-02-17 CN CN200580012042A patent/CN100590779C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-17 CN CN2010100029444A patent/CN101893742B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-17 JP JP2007506175A patent/JP2007531310A/ja active Pending
- 2005-02-23 TW TW094105381A patent/TWI452715B/zh active
- 2005-03-28 MY MYPI20051344A patent/MY139480A/en unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4114177A (en) * | 1975-05-01 | 1978-09-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optically coupled device with diffusely reflecting enclosure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100590779C (zh) | 2010-02-17 |
MY139480A (en) | 2009-10-30 |
CN101893742A (zh) | 2010-11-24 |
US7196313B2 (en) | 2007-03-27 |
TWI452715B (zh) | 2014-09-11 |
TW200605391A (en) | 2006-02-01 |
WO2005102156A3 (en) | 2006-01-26 |
CN1943004A (zh) | 2007-04-04 |
US20050218300A1 (en) | 2005-10-06 |
WO2005102156A2 (en) | 2005-11-03 |
DE112005000717T5 (de) | 2008-07-03 |
JP2007531310A (ja) | 2007-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101893742B (zh) | 表面贴装多通道光耦合器 | |
US6489637B1 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
US7183588B2 (en) | Light emission device | |
CN101657748B (zh) | 光耦合器封装 | |
CN100364114C (zh) | 光耦合器预装件、其形成方法以及光耦合器装置 | |
TWI528508B (zh) | 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法 | |
US7947999B2 (en) | Luminescent device and method for manufacturing the same | |
CN102201385B (zh) | 方形扁平无引线半导体封装及其制作方法 | |
US6548832B1 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
CN102341899B (zh) | 具有多种ic封装构造的无引线阵列塑料封装 | |
EP1059667A2 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
JP4614586B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
US20020038904A1 (en) | Area array type semiconductor package and fabrication method | |
US8346033B2 (en) | Optical coupler and producing method thereof | |
CN102272924A (zh) | 功率led散热基板、功率led产品及其制造方法 | |
KR20010064907A (ko) | 와이어본딩 방법 및 이를 이용한 반도체패키지 | |
CN101483174A (zh) | 包括具有模制器件的基板的管芯封装 | |
JPH09511873A (ja) | ポリマースタッドグリッドアレイ | |
CN100379036C (zh) | 表面安装型发光二极管 | |
CN102160197A (zh) | 光电元件封装基座 | |
CN101847626B (zh) | 发光装置 | |
CN106298749B (zh) | 发光二极管、电子器件及其制作方法 | |
CN117613178A (zh) | 发光器件封装框架及封装方法 | |
KR100308116B1 (ko) | 칩스케일반도체패키지및그제조방법_ | |
CN118116811A (zh) | 一种基于适应大电流和强散热的框架的芯片制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131218 Termination date: 20220217 |