CN101404249A - 一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法 - Google Patents
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Assignee: Nanjing Guosheng Electronic Co., Ltd. Assignor: No.55 Inst., China Electronic Science and Technology Group Corp. Contract record no.: 2011320000416 Denomination of invention: Method for preparing silicon carbide epitaxial layer without step appearance Granted publication date: 20100106 License type: Common License Open date: 20090408 Record date: 20110325 |
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