CN101311792A - 显示器基板及其制造方法和具有该显示器基板的显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示器基板及其制造方法以及具有该显示器基板的显示装置,该显示器基板包括透明绝缘基板、透明公用电极、虚拟图案和关键图案。透明绝缘基板具有显示区域和非显示区域。图像显示在显示区域中,非显示区域围绕显示区域。透明公用电极形成在绝缘基板的显示区域中。虚拟图案形成在绝缘基板的非显示区域中。虚拟图案由与公用电极相同的材料形成。关键图案形成在虚拟图案上。关键图案可以包括金属或不透明光致抗蚀剂。因此,可以简化显示器基板的制造工艺。
Description
技术领域
本发明涉及显示器基板、该显示器基板的制造方法和具有该显示器基板的显示装置。更特别地,本发明涉及用于显示装置的显示器基板、该显示器基板的制造方法和具有该显示器基板的显示装置。
背景技术
液晶显示(LCD)装置通常包括形成在下基板上的薄膜晶体管(TFT)层、形成在上基板上的面对TFT层的彩色滤光器层以及插设在TFT层和彩色滤光器层之间的液晶层。
TFT层包括信号线、薄膜晶体管TFT以及驱动多个像素的像素电极。信号线、TFT和像素电极形成在下基板上。彩色滤光器层包括彩色滤光器、黑矩阵(blackmatrix)和公用电极(commonelectrode)。彩色滤光器包括红(R)、绿(G)、蓝(B)色滤光器。黑矩阵形成在彩色滤光器之间的边界部分上。公用电极面对像素电极。
为了防止由LCD装置的未对准引起的显示缺陷,已经设计了阵列上彩色滤光器(COA,color filter on array)基板型的LCD装置。彩色滤光器层形成在COA型LCD装置的TFT层上。
彩色滤光器层还包括用于TFT层和彩色滤光器层之间对准的关键图案(keypattern)。具有黑矩阵的彩色滤光器层需要用于使彩色滤光器层的表面平面化的保护层(overcoating layer)。结果,使制造彩色滤光器层的工艺变复杂,而且透光率因保护层而减小。
发明内容
本发明提供一种能够简化显示器基板的制造工艺的显示器基板。
本发明也提供一种制造上述显示器基板的方法。
本发明又提供一种具有上述显示器基板的显示装置。
根据本发明一个方面的显示器基板包括:包括像素部分的第一基板;包括显示区域和非显示区域的第二基板,其中显示区域显示图像,非显示区域围绕显示区域,而且其中第一基板面对第二基板。透明公用电极形成在显示区域中;虚拟图案形成在非显示区域中,该虚拟图案由与公用电极相同的材料形成;由不透明材料制成的关键图案形成在虚拟图案上。关键图案可以包括不透明金属或不透明光致抗蚀剂。公用电极包括开口图案,关键图案也可以由与公用电极相同的材料形成。公用电极也可以包括形成在公用电极上的突起图案。
根据本发明另一个方面的显示器基板包括:包括像素部分的第一基板;包括显示区域和非显示区域的第二基板,其中显示区域显示图像,非显示区域围绕显示区域,而且其中第一基板面对第二基板。液晶层插设在第一基板和第二基板之间。此外,第一基板包括:包括多个TFT的薄膜晶体管(TFT)层;形成在TFT层上的彩色滤光器层;以及形成在彩色滤光器层上的像素电极。
下面将提供根据本发明另一个方面制造显示器基板的方法。形成第一基板,然后形成第二基板,该第二基板包括显示区域和非显示区域,其中第一基板面对第二基板。透明导电层形成在第二基板的透明绝缘基板上,不透明材料层形成在该透明导电层上。透明导电层和不透明材料层被图案化以形成透明公用电极、虚拟图案和包括形成在虚拟图案上的关键图案的不透明图案,其中该不透明图案不是形成在在显示区域中形成的透明公用电极上,而是形成在在非显示区域中形成的虚拟图案上。不透明材料层可以是不透明金属或不透明光致抗蚀剂。
下面将提供根据本发明又一个方面制造显示器基板的方法。光致抗蚀剂图案形成在不透明金属层上,该光致抗蚀剂图案具有在虚拟图案和关键图案区域上的第一厚度并且具有在公用电极上的小于第一厚度的第二厚度。通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成光致抗蚀剂图案。透明公用电极、虚拟图案和关键图案的形成包括:通过利用光致抗蚀剂图案将不透明金属层和透明导电层图案化;灰化光致抗蚀剂图案以便暴露公用电极上的不透明金属层;通过利用灰化的光致抗蚀剂图案刻蚀透明公用电极上的不透明金属层;最后剥离灰化的光致抗蚀剂图案。
下面将提供根据本发明又一个方面制造显示器基板的方法。透明导电层和不透明光致抗蚀剂被图案化以形成透明公用电极、虚拟图案和包括形成在虚拟图案上的关键图案的不透明光致抗蚀剂图案,其中不透明光致抗蚀剂图案不是形成在在显示区域中形成的透明公用电极上,而是形成在在非显示区域中形成的虚拟图案上。通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成不透明光致抗蚀剂图案。不透明光致抗蚀剂图案包括正型光致抗蚀剂和负型光致抗蚀剂。
下面将提供根据本发明又一个方面制造显示器基板的方法。透明导电层形成在透明绝缘基板上。不透明光致抗蚀剂图案形成在透明导电层上。不透明光致抗蚀剂图案具有在关键图案区域中的第一厚度并且具有在公用电极区域中的小于第一厚度的第二厚度。通过利用不透明光致抗蚀剂图案的图案化工艺形成透明公用电极和虚拟图案。透明公用电极由透明导电层形成在绝缘基板的显示区域中,虚拟图案由透明导电层形成在绝缘基板的非显示区域中。不透明光致抗蚀剂图案被灰化以形成关键图案使得暴露公用电极。关键图案由不透明的光致抗蚀剂图案形成在虚拟图案上。通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成不透明光致抗蚀剂图案。
下面将提供根据本发明又一个方面制造显示器基板的方法。透明导电层和金属层顺次地形成在透明绝缘基板上。光致抗蚀剂图案形成在金属层上。光致抗蚀剂图案具有在关键图案区域中的第一厚度并且具有在公用电极区域中的小于第一厚度的第二厚度。通过利用光致抗蚀剂图案的图案化工艺形成透明公用电极、虚拟图案和关键图案。公用电极由透明导电层形成在绝缘基板的显示区域中。虚拟图案由透明导电层形成在绝缘基板的非显示区域中。关键图案由金属层形成在虚拟图案上。通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成光致抗蚀剂图案。
可以简化显示器基板的制造工艺,并且可以降低制造成本。
附图说明
参考附图详细描述本发明的示范性实施例,通过该详细描述本发明的上述和其他特征以及优点将变得更加明显,其中:
图1是图解根据本发明的一个示范性实施例的显示装置的截面图;
图2是图解图1中的第二显示器基板的俯视图;
图3是图解沿图2中的线I-I’剖取的截面图;
图4是图解根据本发明的另一个示范性实施例的第二显示器基板的截面图;
图5是图解根据本发明的再一个示范性实施例的第二显示器基板的截面图;
图6到10是图解制造图2中显示的第二显示器基板的第一种方法的截面图;以及
图11到14是图解制造图2中显示的第二显示器基板的第二种方法的截面图。
具体实施方式
现将参考其中展示本发明的实施例的附图在其后更加全面地描述本发明。然而,本发明可以以多种不同的形式实施且不应解释为限于这里阐述的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开充分和完整,而且向本领域技术人员全面地传达本发明的范围。附图中,为了清晰可能会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
可以理解当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦合到”另一元件或层时,它可以直接在、连接到或耦合到其他元件或层上或者可以存在中间的元件或层。相反,当一个元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件或层时,则不存在中间元件或层。通篇相同的附图标记表示相同的元件。如这里所用的,术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意以及所有组合。
可以理解虽然术语第一、第二、第三等可以用于此来描述不同的元件、组分、区域、层和/或部分,但是这些元件、组分、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组分、区域、层或部分和另一区域、层或部分。因此,以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可以被称为第二元件、组分、区域、层或部分,而不脱离本发明的教导。
为了便于描述,此处可以使用空间相对术语,诸如“在...之下(beneath)”、“下面(below)”、“下(lower)”、“在...之上(above)”、“上(upper)”等来描述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。可以理解空间相对术语旨在包括除图中所绘取向之外的在使用中或运行中的装置的不同取向。例如,如果图中的装置被翻转,被描述为“在”其他元件或者特征“下面”或“之下”的元件将会取向“在”其他元件或特征的“之上”。因此,术语“下面”可以包括上下两个取向。装置可以有其他取向(旋转90度或在其它取向)并且相应的解释这里所用的空间相对描述语。
这里所用的术语仅是为了描述特定的实施例,并非要限制本发明。如这里所用的,单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式,除非上下文另有明确表述。还可以理解,术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”,当在本说明书中使用时,说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组分的存在,但是不排除一个或更多其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其组的存在或添加。
这里参考截面图来描述本发明的实施例,这些图是本发明理想化实施例(以及中间结构)的示意性图。这样,可以预期由于例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,本发明的实施例不应解释为限于在此图示的区域的特定形状,而是可以包括由于例如由制造引起的形状的偏差。例如,图示为矩形的注入区将通常具有修圆的或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地,由注入形成的埋设区可以引起在埋设区和通过其进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此,图中图示的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在图示装置的区域的实际形状并且不旨在限制本发明的范围。
除非另外定义,这里所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当理解,诸如通用字典中所定义的术语应该解释为具有与相关领域的语境中的含义相一致的含义,并且不应被解释为理想化的或过度正式的意义,除非此处加以明确定义。
下面参照附图详细说明本发明。
图1是图解根据本发明的一个示范性实施例的显示装置的截面图。
参照图1,显示装置100包括第一显示器基板200、第二显示器基板300和液晶层400。液晶层400插设在第一显示器基板200和第二显示器基板300之间。
第一显示器基板200包括第一绝缘基板210、薄膜晶体管(TFT)层220、彩色滤光器层230以及像素电极层240。
第一绝缘基板210包括透明材料,例如,玻璃或塑料。
TFT层220形成在第一绝缘基板210上。TFT层220包括多个被独立驱动的像素部分。TFT层220可以包括栅极线、数据线、薄膜晶体管TFT以及保护层。数据线通过栅绝缘层与栅极线电绝缘。数据线与栅极线交叉。TFT电连接到栅极线和数据线。保护层覆盖数据线和薄膜晶体管TFT。
彩色滤光器层230形成在TFT层220上。例如,彩色滤光器层230可以包括含有红色着色剂的红色滤光器、含有绿色着色剂的绿色滤光器以及含有蓝色着色剂的蓝色滤光器。红、绿、蓝色滤光器可以被规则地布置在TFT层220上。例如,红、绿、蓝色滤光器分别对应于像素部分。
彩色滤光器层230的厚度可以增加到使第一显示器基板200的表面平面化。例如,彩色滤光器层230的厚度可以是大约2.5μm至3.5μm。
通常,有机层(未示出)覆盖TFT层220以使第一显示器基板200平面化。但是,在该实施例中,彩色滤光器层230形成在第一显示器基板200中而不是形成在有机层中。因此,透光率可以提高大约7%,而且可以降低制造成本。
形成在彩色滤光器层230上的像素电极层240包括像素电极(未示出)和开口图案。像素电极由透明导电材料制成,光可以通过其被透射,例如,由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)制成。这些材料可单独使用或组合使用。
像素电极通过贯穿彩色滤光器层230形成的接触孔电连接至TFT的漏电极。
当TFT通过栅极线接收栅极电压时,TFT将通过数据线传输的数据电压施加到像素电极。
像素电极层240的开口图案可以将每个像素部分分成多个域以增加视角(viewing angle)。此外,像素电极层240还可以包括彼此电分离的主电极和副电极(sub-electrode)。
主电极和副电极可以分别接收不同的电压。
当像素电极包括主电极和副电极时,每个像素部分可以包括至少两个分别连接到主电极和副电极的TFT。
第二显示器基板300面对第一显示器基板200,液晶层400插设在两者之间。
图2是图解图1中的第二显示器基板的俯视图,图3是沿图2中的线I-I’剖取的截面图。
参照图1到3,第二显示器基板300包括第二绝缘基板310、公用电极320、虚拟图案(dummy pattern)330和关键图案(key pattern)340。
第二绝缘基板310包括透明材料,例如,玻璃或塑料。第二绝缘基板310具有显示区域DA和非显示区域NDA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域NDA围绕显示区域DA。
公用电极320形成在第二绝缘基板310的显示区域DA中。公用电极320形成在第二绝缘基板310的内表面上。液晶层400播设在公用电极320和像素电极240之间。
公用电极320包括透明导电材料,光可以通过其被透射。公用电极320可以包括例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。公用电极320也可以包括开口图案322,为了将每个像素部分分成多个域以增大视角。在图2中,指示为‘A’的部分图示形成在每个像素部分中的开口图案322。
虚拟图案330形成在第二绝缘基板310的非显示区域NDA中。虚拟图案330由与公用电极320相同的材料的形成。虚拟图案330可以包括例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。这些材料可单独使用或组合使用。
为了第一显示器基板200和第二显示器基板300之间的对准,关键图案340形成在第二显示器基板300的非显示区域NDA中。关键图案340形成在虚拟图案330上。关键图案340具有与虚拟图案330基本相同的形状。
为了有效地对准,关键图案340包括不透明材料。关键图案340可以包括例如不透明金属。可选地,关键图案340可以包括不透明光致抗蚀剂。
虚拟图案330和关键图案340可以形成在非显示区域NDA的不同位置处。例如,虚拟图案330和关键图案340可以形成在第二绝缘基板310的四个角处。虚拟图案330和关键图案340也可以具有交叉形状。可选地,虚拟图案330和关键图案340可以具有各种形状,例如,正方形或同心环形。
图4是图解根据本发明的另一个示范性实施例的图2的第二显示器基板300的截面图。除关键图案340之外,图4的第二显示器基板300与图3中的基本相同。因此,相同的附图标记将用于指示与图3中所描述的相同或相似的部分并且将省略关于上述元件的任何另外的说明。
参照图2和4,关键图案340由与公用电极320相同的材料形成在第二绝缘基板310的非显示区域NDA中。关键图案340可以包括例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。当公用电极320形成在第二绝缘基板310上时,关键图案340同时形成在第二绝缘基板310上,使得可以不需要附加工艺。
图5是图解根据本发明的再一个示范性实施例的第二显示器基板的截面图。
参照图5,第二显示器基板300还可以包括形成在显示区域DA中的公用电极320上的突出图案350以增加视角。突出图案350可以包括例如透明有机材料或透明无机材料。
关键图案341由与突出图案350相同的材料形成在第二绝缘基板310的非显示区域NDA中。当突出图案350形成在公用电极320上时,关键图案341同时形成在第二绝缘基板310上,使得可以不需要附加工艺。
当关键图案341如同公用电极320或突出图案350由透明材料形成时,通过传感器***实施对准工艺,该传感器***通过关键图案341和第二绝缘基板310之间的折射率或反射率的差别来辨别关键图案341。
再次参照图1,插没在第一显示器基板200和第二显示器基板300之间的液晶层400包括沿不变方向或可变方向排列的液晶分子。液晶分子具有光和电特性,例如,具有各向异性的折射率或各向异性的介电常数。液晶分子响应于形成在像素电极240和公用电极320之间的电场而改变排列,并且因此改变了液晶层400的透光率。
第二显示器基板300不包括黑矩阵。第一显示器基板200可以包括代替黑矩阵的档光层(light-blocking layer)(未示出)。档光层可以由不透明金属层形成以形成栅极线或数据线。
下面将说明图2和3中显示的第二显示器基板300的制造方法。
图6到10是图解图2中显示的第二显示器基板300的第一种制造方法的截面图。图6是图解透明绝缘基板上的透明导电层和不透明金属层的形成的截面图。
参照图6,透明导电层360和不透明金属层370顺次地形成在透明绝缘基板310上。透明导电层360可以包括例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。
图7是图解在图6中显示的不透明金属层上形成光致抗蚀剂图案的截面图。
参照图2和7,光致抗蚀剂图案380形成在不透明金属层370上。光致抗蚀剂图案380具有在关键图案区域中的第一厚度并且具有在公用电极区域中的小于第一厚度的第二厚度,因为光致抗蚀剂图案380通过采用狭缝掩模(slit mask)或者半色调掩模(half-tone mask)的光刻工艺形成。光致抗蚀剂图案380的形成可以通过利用正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂实现。正型光致抗蚀剂的曝光区域由显影剂显影,负型光致抗蚀剂的非曝光区域由显影剂显影。
图8是图解图7中显示的不透明金属层和透明导电层的图案化的截面图。
参照图2、7和8,通过利用光致抗蚀剂图案380的图案化工艺,不透明金属层370和透明导电层360被图案化。例如,通过利用光致抗蚀剂图案380的图案化工艺,不透明金属层370和透明导电层360首先被刻蚀。
通过利用光致抗蚀剂图案380的图案化工艺形成公用电极320、虚拟图案330、关键图案340以及不透明金属图案371。公用电极320由透明导电层360形成在第二绝缘基板310的显示区域DA中。虚拟图案330由透明导电层360形成在第二绝缘基板310的非显示区域NDA中。不透明金属图案371由不透明金属层370形成。其是不透明金属图案371的一部分的关键图案340形成在虚拟图案330上。不透明金属图案371的一部分形成在公用电极320上。当通过利用光致抗蚀剂图案380的图案化工艺将不透明金属层370和透明导电层360图案化时,形成在公用电极320的区域范围内的开口图案322可以同时形成。
图9是图解灰化图8中显示的光致抗蚀剂图案的截面图。
参照图9,实施灰化工艺以使光致抗蚀剂图案380的厚度减小预定厚度。根据灰化工艺,公用电极区域上的光致抗蚀剂图案380被移除以便暴露公用电极320上的不透明金属图案371,并且保留关键图案区域上的灰化光致抗蚀剂图案380。
图10是图解刻蚀图9中显示的不透明金属层的截面图。
参照图10,通过利用灰化光致抗蚀剂图案380的图案化工艺,保留在公用电极320上的不透明金属图案371被选择性地刻蚀。根据利用灰化光致抗蚀剂图案380的图案化工艺,仅公用电极320保留在公用电极区域中。
然后,保留在关键图案340上的灰化的光致抗蚀剂图案380被剥离。这样便完成了图3中显示的第二显示器基板300的制造工艺。
如以上所述,通过利用一个掩膜的一次图案化工艺,公用电极320和关键图案340被同时形成,使得可以简化第二显示器基板300的制造工艺。
图11到14是图解制造图2中显示的第二显示器基板300的第二种方法的截面图。图11是图解在透明绝缘基板上形成透明导电层的截面图。
参照图11,透明导电层390形成在第二透明绝缘基板310上。透明导电层390可以包括例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。
图12是图解在图11中显示的透明导电层上形成不透明光致抗蚀剂图案的截面图。
参照图2和12,不透明光致抗蚀剂图案395形成在透明导电层390上。不透明光致抗蚀剂图案395具有在关键图案区域中的第一厚度并且具有在公用电极区域中的小于第一厚度的第二厚度。通过利用狭缝掩模或半色调掩模的一次光刻工艺可形成不透明光致抗蚀剂图案395。不透明光致抗蚀剂图案395可以包括正型光致抗蚀剂(positive-type photoresist)或负型光致抗蚀剂(negative-type photoresist)。正型光致抗蚀剂的曝光区域负型光致抗蚀剂的非曝光区域由显影剂显影。
图13是图解利用图12中显示的不透明光致抗蚀剂图案将透明导电层图案化的截面图。
参照图2、12和13,通过利用不透明光致抗蚀剂图案395的图案化过程,透明导电层390被图案化。
通过利用不透明光致抗蚀剂图案395的图案化工艺,公用电极320和虚拟图案330被形成。公用电极320由透明导电层390形成在第二绝缘基板310的显示区域DA中。虚拟图案330由透明导电层390形成在绝缘基板310的非显示区域NDA中。当通过利用不透明光致抗蚀剂图案395的图案化工艺图案化透明导电层390时,可同时形成通过公用电极320形成的开口图案322。
图14是图解灰化图13中显示的不透明光致抗蚀剂图案的截面图。
参照图14,实施灰化工艺以将不透明光致抗蚀剂图案395的厚度减小预定厚度。根据灰化工艺,公用电极320被暴露,并且不透明光致抗蚀剂图案395成为形成在虚拟图案330上的关键图案340。
如以上所述,通过利用一个掩膜的一次图案化工艺,公用电极320和关键图案340被同时形成,使得可以简化第二显示器基板300的制造工艺。
根据本发明,形成在显示器基板的显示区域上的公用电极和形成在显示器基板的非显示区域上的关键图案通过利用一个掩膜的相同的图案化工艺同时形成,使得可以简化显示器基板的制造工艺。
此外,可以在显示器基板中移除黑矩阵和保护层,使得可以大大地降低制造成本并可以提高透光率。
虽然已经描述了本发明的示范性实施例及其优点,但应当注意到在不偏离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下,可以在此对本发明进行各种改变、替换和选择。
Claims (18)
1.一种显示器基板,其包括:
包括像素部分的第一基板;
包括显示区域和非显示区域的第二基板,其中所述显示区域显示图像,所述非显示区域围绕所述显示区域,和其中所述第一基板面对所述第二基板;
形成在所述显示区域中的透明公用电极;
形成在所述非显示区域中的虚拟图案,所述虚拟图案由与所述公用电极相同的材料形成;以及
形成在所述虚拟图案上的关键图案。
2.如权利要求1所述的显示器基板,其中所述关键图案包括不透明材料。
3.如权利要求2所述的显示器基板,其中所述关键图案包括不透明金属。
4.如权利要求2所述的显示器基板,其中所述关键图案包括不透明光致抗蚀剂。
5.如权利要求1所述的显示器基板,其中所述公用电极包括开口图案。
6.如权利要求1所述的显示器基板,其中所述关键图案由与所述公用电极相同的材料形成。
7.一种显示器基板,其包括:
具有显示区域和非显示区域的透明绝缘基板,图像显示在所述显示区域中,所述非显示区域围绕所述显示区域;
形成在所述绝缘基板的显示区域中的透明公用电极;
形成在所述公用电极上的突起图案以增加视角;以及
形成在所述绝缘基板的非显示区域的关键图案,所述关键图案由与所述突起图案相同的材料形成。
8.一种显示装置,其包括:
第一显示器基板;以及
面对所述第一显示器基板的第二显示器基板,液晶层插设在二者之间,所述第二显示器基板包括:
具有显示区域和非显示区域的透明绝缘基板,图像显示在所述显示区域
中,所述非显示区域围绕所述显示区域;
形成在所述绝缘基板的显示区域中的透明公用电极;
形成在所述色缘基板的非显示区域中的虚拟图案,所述虚拟图案由与所述
公用电极相同的材料形成;以及
形成在所述虚拟图案上的关键图案。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中所述第一基板包括:
包含多个薄膜晶体管的薄膜晶体管层;
形成在所述薄膜晶体管层上的彩色滤光器层;以及
形成在该彩色滤光器层上的像素电极。
10.一种显示器基板的制造方法,其包括:
形成第一基板;
形成包括显示区域和非显示区域的第二基板,其中所述第一基板面对所述第二基板;
在所述第二基板的透明绝缘基板上形成透明导电层;
在所述透明导电层上形成不透明材料层;
图案化所述透明导电层和所述不透明材料层以形成透明公用电极、虚拟图案和包.括形成在所述虚拟图案上的关键图案的不透明图案,其中所述不透明图案不是形成在在所述显示区域中形成的所述透明公用电极上,而是形成在在所述非显示区域中形成的所述虚拟图案上。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述不透明材料层是不透明金属层。
12.如权利要求11所述的方法,还包括在所述不透明金属层上形成光致抗蚀剂图案,所述光致抗蚀剂图案具有在所述虚拟图案和所述关键图案区域上的第一厚度和在所述公用电极上的小于所述第一厚度的第二厚度。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述光致抗蚀剂图案通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成。
14.如权利要求13所述的方法,其中形成所述透明公用电极、所述虚拟图案和所述关键图案包括:
通过利用所述光致抗蚀剂图案将所述不透明金属层和所述透明导电层图案化;
灰化所述光致抗蚀剂图案以便暴露出所述公用电极上的不透明金属层;
通过利用灰化的光致抗蚀剂图案刻蚀所述透明公用电极上的不透明金属层;
剥离所述灰化的光致抗蚀剂图案。
15.如权利要求10所述的方法,其中所述不透明材料层是不透明光致抗蚀剂。
16.如权利要求15所述的方法,制造显示器基板的方法包括:
图案化所述透明导电层和所述不透明光致抗蚀剂以形成透明公用电极、虚拟图案和包括在所述虚拟图案上形成的关键图案的不透明光致抗蚀剂图案,其中所述不透明光致抗蚀剂图案不是形成在在所述显示区域中形成的所述透明公用电极上,而是形成在在所述非显示区域中形成的所述虚拟图案上。
17.如权利要求16所述的方法,其中通过利用半色调掩模或狭缝掩模的光刻工艺形成所述不透明光致抗蚀剂图案。
18.如权利要求17所述的方法,其中所述不透明光致抗蚀剂图案包括正型光致抗蚀剂和负型光致抗蚀剂。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN102012761A (zh) * | 2009-09-04 | 2011-04-13 | 三星移动显示器株式会社 | 触摸屏面板 |
CN102253534A (zh) * | 2010-05-17 | 2011-11-23 | 索尼公司 | 显示装置制造方法和显示装置 |
CN102253534B (zh) * | 2010-05-17 | 2015-06-17 | 株式会社日本显示器西 | 显示装置制造方法和显示装置 |
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