CN101246288B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，包括：包括像素电极和存储电容线的第一基板；面对第一基板并且包括公共电极的第二基板；插置在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及布置在相应于存储电容线的第一区域和邻近于第一区域的第二区域上方的域形成构件，其中，具有不规则部分的域形成构件包括具有扩大宽度的第一不规则部分和具有减小宽度的第二不规则部分，并且其中，在第二区域中形成的不规则部分中最接近第一区域的外部不规则部分具有扩大的宽度。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置。
液晶显示装置包括其上形成有薄膜晶体管的第一基板、面对第一基板的第二基板、以及插置在两者之间的液晶层。
背景技术
在液晶显示装置显示图像所处的显示模式中，垂直取向构型(patternedvertically aligned，PVA)模式是一种VA模式，其中切割图案形成在像素电极和公共电极中以增加显示视角。通过使用由这些切割图案形成的边缘场控制液晶分子的定向从而增大视角。
在PVA模式中，经过液晶分子的光的迟滞度依赖于观察的角度而有很大的不同。这可以导致从侧面观看显示时低灰度级的亮度急剧地增加，其可降低可见度以及对比度。为克服该问题，已经发展了超PVA(SPVA)模式，其中像素被划分成多个子域，不同数据电压施加到该多个子域上。
然而，PVA模式和SPVA模式装置都可能发生瞬时余像，从而使图像质量恶化。
发明内容
本发明提供了一种可减少余像的液晶显示装置。
本发明的附加特征将在后文的描述中部分地得到阐述，并且部分地由该描述而显而易见，或者可通过实践本发明而习知。
在本发明的一个示范性实施例中，液晶显示装置包括：第一基板，包括像素电极和存储电容线；第二基板，面对第一基板并且包括公共电极；液晶层，插置在第一基板和第二基板之间；以及域形成构件，布置在相应于存储电容线的第一区域和邻近于第一区域的第二区域之上，其中，具有不规则部分的域形成构件包括具有扩大宽度的第一不规则部分和具有减小宽度的第二不规则部分，其中，形成在第二区域中的最靠近不规则部分第一区域的外部不规则部分基于扩大的宽度。
根据本发明的一个示范性实施例，域形成构件包括公共电极切割图案。
根据本发明的一个示范性实施例，公共电极切割图案包括第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案，并且第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案在第一区域中交叉点处交会并且在不同方向上延伸。
根据本发明的一个示范性实施例，第一区域中的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个的长度大于从第一区域和第二区域之间边界到外部不规则部分的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个的长度。
根据本发明的一个示范性实施例，从交叉点到外部不规则部分的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个的宽度是恒定的。
根据本发明的一个示范性实施例，第一区域中的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个形成有单独的不规则部分。
根据本发明的一个示范性实施例，公共电极切割图案还包括第三子公共电极切割图案，并且第三子公共电极切割图案在交叉点处与第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案交会。
根据本发明的一个示范性实施例，存储电容线被延长，第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案在存储电容线周围相互对称，并且第一不规则部分和第二不规则部分交替地布置在第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个中。
根据本发明的一个示范性实施例，第三子公共电极切割图案被延长并且平行于存储电容线。
根据本发明的一个示范性实施例，第一基板还包括布置在存储电容线和像素电极之间的绝缘层，绝缘层在相应于存储电容线的部分处最薄。
根据本发明的一个示范性实施例，绝缘层包括下部无机层和上部有机层。
根据本发明的一个示范性实施例，有机层在相应于存储电容线的部分处最薄。
根据本发明的一个示范性实施例，像素电极接触在存储电容线上的无机层。
根据本发明的一个示范性实施例，像素电极具有多个像素电极切割图案，并且至少一个像素电极切割图案形成有具有扩大宽度的第三不规则部分。
根据本发明的一个示范性实施例，像素电极具有多个像素电极切割图案，至少一个像素电极切割图案形成有具有增大宽度的第三不规则部分和具有减小宽度的第四不规则部分，并且第三不规则部分和第四不规则部分交替布置。
根据本发明的一个示范性实施例，像素电极具有多个像素电极切割图案，至少一个像素电极切割图案形成有具有扩大宽度的第三不规则部分，并且至少其它的一个像素电极切割图案具有一致的宽度。
根据本发明的一个示范性实施例，第一基板还包括栅极线、数据线、以及连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；布置在栅电极上的半导体层和欧姆接触层；以及至少部分地布置在欧姆接触层上并且相互间隔开的源电极和漏电极，其中数据布线包括数据线、源电极、和重叠于欧姆接触层的漏电极。
根据本发明的一个示范性实施例，域形成构件包括突起。
根据本发明的一个示范性实施例，液晶层具有垂直取向(VA)模式。
在本发明的一个示范性实施例中，液晶显示装置包括：第一基板，包括像素电极；第二基板，面对第一基板并且包括公共电极；以及液晶层，插置在第一基板和第二基板之间并且具有垂直取向(VA)模式，公共电极具有布置在第一区域和邻近第一区域上的第二区域上方的公共电极切割图案，在该第一区域中第一基板和第二基板之间的间隙不同于邻近区域，其中具有不规则部分的公共电极切割图案包括具有扩大宽度的第一不规则部分、具有减小宽度的第二不规则部分，和其中外部不规则部分是在第二区域中形成的不规则部分中最接近于第一区域的并且具有扩大的宽度。
根据本发明的一个示范性实施例，第一区域的间隙大于邻近区域的间隙。
根据本发明的一个示范性实施例，公共电极切割图案包括第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案，并且第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案在第一区域中的交叉点处相交并且在不同方向上延伸。
根据本发明的一个示范性实施例，从交叉点到外部不规则部分的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个的宽度是恒定的。
根据本发明的一个示范性实施例，第一区域中的第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案的每一个由单独的不规则部分形成。
根据本发明的一个示范性实施例，公共电极切割图案还包括第三子公共电极切割图案，第三子公共电极切割图案在交叉点处与第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案交会。
应当理解，前述的和概括的描述以及接下来详细的描述都是示范性的和说明性的，并且旨在提供如权利要求书的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括来提供本发明的进一步理解并且被结合及组成该说明书的一部分，其阐述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用来解释本发明的原理。
图1是根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置的等效电路图。
图2是示出了根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置的可见度改进的原理的视图。
图3和图4示出了根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图5是沿图3中线V-V得到的截面图。
图6是沿图3中线VI-VI得到的截面图。
图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A和图14B是示出了根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置的制造方法的视图。
图15A和图15B是示出了根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置中不规则部分的不同类型的视图。
图16示出了根据本发明第二示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图17示出了根据本发明第三示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图18示出了根据本发明第四示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图19是根据本发明第五示范性实施例的液晶显示装置的截面图。
图20是根据本发明第六示范性实施例的液晶显示装置的截面图。
图21是示出了根据本发明第七示范性实施例的域形成构件的视图。
图22是根据本发明第八示范性实施例的液晶显示装置的等效电路图。
图23示出了根据本发明第八示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图24示出了根据本发明第九示范性实施例的液晶显示装置的布局图。
图25是根据本发明第十示范性实施例的液晶显示装置的等效电路图。
具体实施方式
以下参考示出本发明实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以很多不同形式实现并且不应当理解为对这里阐述的实施例的限制。然而，提供了这些实施例使得该公开是完全的，并且将本发明的范围充分地传达给所属领域技术人员。在附图中，为了清楚可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同附图标记指代相同的元件。
应当理解，当元件或层被提及“在......上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在其它元件或层上或直接连接到其它元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被提及“直接在......上”或“直接连接到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。
图1是根据本发明第一示范性实施例的液晶显示装置的等效电路图。
如图1中所示，第一液晶电容器CLC1和第二液晶电容器CLC2连接到薄膜晶体管T。第一液晶电容器CLC1形成在第一像素电极PE1和公共电极CE之间。第一像素电极PE1直接连接到薄膜晶体管T。第二液晶电容器CLC2形成在第二像素电极PE2和公共电极CE之间。第二像素电极PE2经由耦合电容器CCP间接连接到薄膜晶体管T。
这里，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2分离。
现在，将参考图2描述在根据第一示范性实施例的液晶显示装置中可见度可以提高的原因。
来自薄膜晶体管T的数据信号直接施加到第一像素电极PE1，而来自薄膜晶体管T的数据信号经由耦合电容器CCP间接施加到第二像素电极PE2。因此，第二像素电极PE2中所施加数据信号的强度弱于第一像素电极PE1中所施加数据信号的强度，从而导致相应于第一像素电极PE1的第一域的亮度与相应于第二像素电极PE2的第二域的亮度不同。具体地，施加到第二像素电极PE2的电压可以是施加到第一像素电极PE1的电压的50％-90％。
如此，一个像素可以具有多个具有不同伽玛(gamma)曲线的域。这允许在前面和侧面的亮度和颜色相互补偿，从而改进侧面可见度。
以下，将参考图3、图4、图5和图6描述根据第一示范性实施例的液晶显示装置。参考图5和图6，液晶显示装置1包括第一基板100、面对第一基板100的第二基板200、以及插置在两者之间的液晶层300。
首先，将描述第一基板100。
栅极布线形成在第一绝缘基板111上。栅极布线可以是单金属层或多金属层。栅极布线包括在水平方向上延伸的栅极线122、连接到栅极线122的栅电极126、以及与像素电极182交迭以形成存储电容的存储电容线128。存储电容线128跨过像素的中间部分并且平行于栅极线122延伸。
由例如氮化硅(SiNx)的无机材料制成的栅极绝缘薄膜130覆盖第一绝缘基板111上的栅极布线。
由例如非晶硅的半导体材料制成的半导体层142形成在栅电极126的栅极绝缘薄膜130上。由例如硅化物或重掺杂n型杂质的n+价氢化非晶硅的材料制成的欧姆接触层155和156形成在半导体层142上。欧姆接触层155和156被排除在源电极165和漏电极166之间的沟道区域外。
数据布线形成在欧姆接触层155和156上。数据布线也可以是单金属层或多金属层。数据布线包括基本上垂直于栅极线122而形成并且与栅极线122交叉以形成像素的数据线162，从数据线162分支并且在欧姆接触层155上延伸的源电极165，以及与源电极165间隔开并且在欧姆接触层156上延伸的漏电极166。
漏电极166包括第一漏电极166a和在第二像素电极182b下方延伸的第二漏电极166b，该第一漏电极166a连接到第一像素电极182a并且将电信号直接施加到第一像素电极182a。第二漏电极166b和第二像素电极182b连同钝化膜171一起形成耦合电容器CCP。
钝化膜171形成在数据布线和没有被数据布线覆盖的一部分半导体层142上，该钝化膜171可以由例如氮化硅(SiNx)的无机材料制成。有机层175形成在钝化膜171上。有机层175比栅极绝缘膜130和钝化膜171厚，并且可以由包括旋转涂覆、缝隙涂覆、屏幕印刷及其它本领域公知技术在内的各种方法来形成。有机层175可以由苯环丁烯、烯烃、丙稀酸树脂、聚酰亚胺和氟化树脂中之一制成。
有机层175是厚的，以达到增加数据线162和像素电极182之间的距离的目的，从而抑制数据线162和像素电极182之间形成电容。这允许像素电极182邻近于数据线162或部分地重叠于数据线162而形成，从而增加孔径比。由于有机层175的低介电常数，它还可抑制数据线162和像素电极182之间形成电容。
暴露出漏电极166的接触孔176形成在钝化膜171和有机层175中。钝化膜171和有机层175被部分地去除以在存储电容线128上方形成凹陷部分177。凹陷部分177减少存储电容线128和像素电极182之间的距离，以促进存储电容的形成。
作为替代，钝化膜171可以部分地或完全地保留在凹陷部分177中。
像素电极182形成在有机膜175上。像素电极182可以由例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。
另一方面，凹陷部分177导致位于存储电容线128上的像素电极182和相邻像素电极182之间高度的不同。换句话说，所有的绝缘层130、171和175存在于第一绝缘基板11和像素电极182之间的不存在存储电容线128的区域中，而绝缘层130、171和175的厚有机膜175不存在于存储电容线128上。由于形成在绝缘层130、171和175上的凹陷部分177，存储电容线128上的单元间隙CG1大于相邻单元间隙CG2。
像素电极182包括第一像素电极182a和第二像素电极182b，其通过像素电极切割图案183而彼此分隔开。第二像素电极182b具有梯形形状并且其三边被第一像素电极182a围绕。像素电极切割图案184分别在第一像素电极182a和第二像素电极182b中平行于像素电极切割图案183而形成。
第一像素电极182a经由接触孔176间接地与第一漏电极166a接触。相互面对的第二像素电极182b和第二漏电极166b形成耦合电容器CCP，并且第二像素电极182b经由耦合电容器CCP间接地连接到第二漏电极166b。
将在下文描述的像素电极切割图案183和184以及公共电极切割图案252将液晶层300分成多个子域。在该示范性实施例中，子域被图案183、184和252围绕，并且在倾斜方向上延长。
随后，将描述第二基板200。
黑色矩阵221形成在第二绝缘基板211上。黑色矩阵221防止光直接照射到形成在第一基板100上的薄膜晶体管T上。黑色矩阵221可以由包含例如炭黑或氧化钛的黑颜料的光致抗蚀剂有机材料制成。
滤色器231包括在第二绝缘基板211上图案化的红、绿和蓝滤色器，黑色矩阵221作为边界插置在其之间。滤色器231可以由感光有机材料制成并且用来给从背光单元(未示出)发射并经过液晶层300的光提供颜色。
覆盖层241形成在滤色器231以及没被滤色器231覆盖的部分的黑色矩阵221上。覆盖层241用来平面化(planarize)并且保护滤色器231并且可以由环氧丙烯酸(acryl epoxy)材料制成。
公共电极251形成在覆盖层241上。公共电极251可以由例如ITO或IZO的透明导电材料制成。公共电极251与第一基板100上的像素电极182一起直接施加电压到液晶层300。
公共电极切割图案252形成在公共电极251中。公共电极切割图案252平行于像素电极切割图案183和184而形成。
上述图案183、184和252可以以多种不同形状形成，而不局限于该示范性实施例。
液晶层300布置在第一基板100和第二基板200之间。在该示范性实施例中，液晶层300以垂直取向(VA)模式工作，在其中当没有施加电压时液晶分子垂直取向。在施加电压情况下，由于液晶分子具有负介电各向异性，液晶分子处于垂直于电场的状态。在那时，如果上述图案183、184和252没有形成，液晶分子可以随机地布置，因为它们的定向不确定，并且在具有不同定向的液晶层300区域的边界处产生旋转位移线(disclination line)。
上述图案183、184和252形成边缘场以确定当电压施加到液晶层300时液晶分子的定向。此外，液晶层300依赖于图案183、184和252的布置而被分成多个子域。
上述液晶显示装置可具有余像问题，尤其在单元间隙不同的存储电容线128的边缘上。在该示范性实施例中，像素电极切割图案183和184以及公共电极切割图案252设计成防止这种余像。
不规则部分185、253和254形成在像素电极切割图案183和公共电极切割图案252中。具有扩大宽度的第一不规则部分253和具有减小宽度的第二不规则部分254交替地形成在公共电极切割图案252中。具有扩大宽度的第三不规则部分185形成在像素电极切割图案183中，而像素电极切割图案184具有一致的宽度。
不规则部分185、253和254确定子域之间边界处的液晶层300的定向，从而抑制子域之间边界处斑点或余像的发生。
形成在公共电极切割图案252中、尤其在单元间隙变化的存储电容线128的附近的第一不规则部分253和第二不规则部分254可以有效减轻余像。
现在，将参考图4和图5详细描述存储电容线128附近中的公共电极切割图案252的不规则部分253和254。
存储电容线128被延长并平行于栅极线122。公共电极切割图案252在相应于存储电容线128的第一区域中分支有三个子公共电极切割图案252a、252b和252c。具体地，三个子公共电极切割图案252a、252b和252c在作为第一区域一部分的交叉点处相互交叉。
两个子公共电极切割图案252a和252b在存储电容线128周围相互垂直对称并且延伸到邻近于第一区域的第二区域。剩余的子公共电极切割图案252c平行于存储电容线128延伸。
在第一示范性实施例中，凹陷部分177具有与存储电容线128大约相同的尺寸并且大体重叠于存储电容线128。相应地，相应于存储电容线128的第一区域具有大的单元间隙，而第二区域具有小的单元间隙。
子公共电极切割图案252a和252b在第一区域中不具有不规则部分。出于以下原因，在不规则部分253和254中最接近于第一区域的外部不规则部分253a具有扩大的宽度。
液晶的奇点(singular point)在三个公共电极切割图案252a、252b和252c相互交会的交叉点处具有“+”符号。液晶奇点在外部不规则部分253a和具有扩大宽度的第一不规则部分253处具有“+”符号，而液晶奇点在具有减小宽度的第二不规则部分254处具有“-”符号。
考虑到液晶指示器布置的连续性，“-”奇点发生在具有“+”奇点的交叉点和具有“+”奇点的外部不规则部分253a之间的中间点处。
然而，由于d1大于距离d2，其中d1指的是交叉点和第一区域边界之间的子公共电极切割图案252a和252b的长度，d2指的是第一区域边界和外部不规则部分253a之间的子公共电极切割图案252a和252b的长度，所以“-”奇点发生在第一区域中。所发生的“-”奇点对余像没有影响，因为其覆盖有存储电容线128。长度d1可以在距离d2的110％和300％之间。
另一方面，外部不规则部分253a以对余像没有影响的方式对发生在外部不规则部分253a处的“+”奇点进行控制。
以下，将参考图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A和图14B描述根据第一实施例的制造液晶显示装置的方法。
首先，如图7A和图7B中所示，沉积栅极金属层并将其图案化以形成栅极线122、栅电极126、以及存储电容线128。
接下来，如图8A和8B中所示，由氮化硅制成的栅极绝缘膜130、半导体层140以及欧姆接触层150使用化学气相沉积(CVD)方法依次分别沉积
Figure S2007101691670D00101
以及
Figure S2007101691670D00102
的厚度。随后，数据金属层160形成来构成数据布线，并且随后，光致抗蚀剂膜410涂覆于其上1μm-2μm的厚度。
其后，光致抗蚀剂膜410经由掩膜受到光的辐射并且光致抗蚀剂膜410显影来形成光致抗蚀剂图案412和414，如图9A和图9B中所示。在这种情况下，其位于薄膜晶体管的沟道区域C即源电极165和漏电极166之间的光致抗蚀剂膜图案412和414的第一部分414形成为薄于位于数据布线区域A即将形成数据布线的区域中的第二部分412，并且位于其它区域B中的光致抗蚀剂薄膜图案412和414被完全地去除。这时，保留在沟道区域C中的光致抗蚀剂薄膜414的厚度对保留在数据布线区域A中的光致抗蚀剂膜412的厚度的比率可以依赖于以下将描述的蚀刻工艺中工艺条件而改变。第一部分414的厚度可以少于第二部分412厚度的1/2，例如少于
Figure S2007101691670D00103
光致抗蚀剂膜图案的厚度可以以不同方式改变。具有缝隙或栅格形状的图案或半透明薄膜可以形成在用于数据布线区域A的掩膜上，以便达到调整穿过数据布线区域A的光的透射率。
在这种情况下，狭缝或图案之间的间隙，即狭缝宽度，可以小于曝光器的分辨率。如果使用半透明薄膜，具有不同透射率或不同厚度的薄膜可以在制造掩膜时用来调整透射率。
当光致抗蚀剂膜经由掩膜受到光的辐射时，直接暴露在光下的部分中的聚合物可以完全被分解。然而，形成狭缝图案或半透明膜的部分中的聚合物可以部分地分解，因为该部分上的辐射量小，而覆盖有光屏蔽膜的部分中的聚合物可以不被分解。随后，当光致抗蚀剂膜显影时，只有聚合物没有分解的部分留下了，并且照射有少量光的中央部分处的光致抗蚀剂膜的厚度小于完全没有光照射部分处的光致抗蚀剂膜的厚度。此时，可以调节曝光时间，使得所有聚合物没有被分解。
通过使用具有透明部分和不透明部分的传统掩膜来对由可回流材料制成的光致抗蚀剂膜进行曝光并显影可以形成光致抗蚀剂图案414，并且随后回流所显影的光致抗蚀剂膜，使得一些光致抗蚀剂膜向下流到光致抗蚀剂膜没有保留的部分。
随后，光致抗蚀剂图案414和其下方的层即数据金属层160、欧姆接触层150以及半导体层140以下述方式被蚀刻，即数据布线和其下方薄膜保留在数据布线区域A中，半导体层140剩余在沟道区域C中，而三个层160、150和140都在区域B中被去除以暴露栅极绝缘膜130。
首先，如图10A和图10B中所示，使用干蚀刻处理或湿蚀刻处理去除暴露在区域B中的数据金属层160以暴露其下方的欧姆接触层150。这时，当数据金属层160被蚀刻时光致抗蚀剂图案412和414几乎没有被蚀刻是具有优势的。然而，在干蚀刻处理情况下，光致抗蚀剂图案412和414也可被蚀刻，因为很难仅蚀刻数据金属层160而没有蚀刻光致抗蚀剂图案412和414。对于干蚀刻处理，第一部分414比在湿处理中形成的厚，并且被部分地蚀刻，所以数据金属层160没有暴露。
因而，如图10A和图10B中所示，其它部分B的数据金属层160被完全去除，从而暴露欧姆接触层150。这时，保留的数据金属层167具有与数据布线相同的形状，除了源电极165和漏电极166互连而不是相互分隔开。此外，在干蚀刻处理情况下，光致抗蚀剂膜图案412和414被蚀刻到特定的厚度。
随后，如图11A和图11B中所示，暴露在其它区域B中的欧姆接触层150以及其下方的半导体层140连同光致抗蚀剂膜的第一部分414一起通过干蚀刻处理被同时去除。在这种情况下，干蚀刻处理必须以下述种方式执行，即光致抗蚀剂图案412和414、欧姆接触层150、以及半导体层140同时被蚀刻并且栅极绝缘膜130没有被蚀刻。具体地，光致抗蚀剂图案412和414可以具有与半导体层140大约相同的蚀刻率。
因而，如图11A和图11B中所示，沟道区域C的第一部分414被去除以暴露用于源电极和漏电极的数据金属层167，并且区域B的欧姆接触层150和半导体层140被去除以暴露栅极绝缘膜130。另一方面，数据布线区域C的第二部分412也被蚀刻以变薄。此外，在该步骤中，完成了半导体层142。附图标记157指示数据金属层167下方的欧姆接触层。
另一方面，沟道区域C的第一部分414可以在用于数据金属层167的氧等离子体处理中被去除。
随后，残留在沟道区域C的数据金属层167上的光致抗蚀剂可以通过灰化处理而被去除。
接下来，如图12A和图12B中所示，沟道C的数据金属层167以及其下方的欧姆接触层157被蚀刻掉。
由于不易发现欧姆接触层157的蚀刻停止点，半导体层142可以部分地去除以变薄，并且同时，光致抗蚀剂图案的第二部分412可以被蚀刻到特定厚度。可以执行该蚀刻使得栅极绝缘膜130没有被蚀刻。当然，光致抗蚀剂膜图案可以如此厚以至于其下方的数据布线没有通过第二区域412的蚀刻而暴露。
因而，数据布线以及其下方的欧姆接触层155和156通过彼此分隔开的源电极165和漏电极166而完成。
其后，保留在数据布线区域A中的光致抗蚀剂膜的第二部分412被去除。可替代地，第二部分412可以在沟道区域C的数据金属层167被去除之后欧姆接触层157被去除之前被去除。
接下来，如图13A和图13B中所示，形成钝化薄膜171和有机层175。有机层175可以通过在钝化膜171上形成有机涂覆层并且曝光和显影该有机涂覆层而形成。
有机层175形成有相应于漏电极166的接触孔176以及相应于存储电容线128的凹陷部分177。有机层175从接触孔176和凹陷部分177完全去除。
随后，如图14A和图14B中所示，使用有机层175作为掩膜去除接触孔176和凹陷部分177下方的钝化膜171。另一方面，在图案化有机层175中，如果有机层175保留在凹陷部分177中，至少一些钝化膜171可以保留在凹陷部分177中。
最后，如图5和图6中所示，具有
Figure S2007101691670D00121
厚度的ITO层或IZO层被沉积并光刻以形成连接到漏电极166的像素电极182。当像素电极182形成时，像素电极切割图案183和184也可以同时形成。
第二基板200可以根据任何已知或其它适合的方法而制造，因此将省略解释。在完成基板100和200两者之后，液晶层300注射到基板100和200两者之间以完成液晶显示装置1。
在上述第一示范性实施例中，不规则部分253和254可以以不同方式修改。
如图15A中所示，不规则部分253和254被扩大或减少成半圆形形状。如图15B中所示，扩大的第一不规则部分253具有三角形状，而减少的第二不规则部分254具有半圆形形状。
现在，将参考图16描述本发明的第二示范性实施例。
像素电极切割图案183和184形成有具有扩大宽度的第三不规则部分185和具有减小宽度的第四不规则部分186。第三不规则部分185和第四不规则部分186交替设置。
现在，将参考图17描述本发明的第三示范性实施例。
宽度减少的内部不规则部分254a还形成在第一区域中的子公共电极切割图案252a和252b中。内部不规则部分254a具有“-”奇点。形成在交叉点的“+”奇点和外部不规则部分253a的“+”奇点之间的“-”奇点的位置由内部不规则部分254a确定。内部不规则部分254a位于存储电容线128上，所以其可以对余像没有影响。
现在，将参考图18描述本发明的第四示范性实施例。
宽度扩大的内部不规则部分253b还形成在第一区域中的子公共电极切割图案252a和252b中。内部不规则部分253b位于存储电容线128上，所以其可以对余像没有影响。
现在，将参考图19描述本发明的第五实施例。图19是沿图3中的线V-V得到的截面图。
电容性半导体层148、电容性欧姆接触层158、以及电容性数据线164形成在存储电容线128上。钝化膜171和电容性数据线164上的有机膜175被去除以形成凹陷部分177。
在第五示范性实施例中，凹陷部分177形成为窄于存储电容线128。因此，低于其它区域的第一区域形成为窄于存储电容线128。
作为替代，第一区域可以不重叠或可以部分地重叠于存储电容线128。
现在，将参考图20描述本发明的第六示范性实施例。图20是沿图3中的线VI-VI得到的截面图。
数据布线没有完全重叠于欧姆接触层155和156。即，欧姆接触层155和156不存在于数据线162的下方，而漏电极166部分地重叠于欧姆接触层156。
在根据第六示范性实施例的制造液晶显示装置的方法中，在半导体层142以及欧姆接触层155和156图案化后，形成数据金属层并将其图案化以形成数据布线。即，欧姆接触层155和156以及数据布线使用不同掩膜来图案化。
现在，将参考图21描述本发明的第七示范性实施例。
第一示范性实施例中的切割图案183、184和252是将液晶层300分成多个子域的域形成构件。在第七示范性实施例中，公共电极252可以不形成有切割图案。提供突起255作为设置在公共电极252上的域形成构件。
突起255形成为接触液晶层300并且形成有扩大部分255a和减少部分255b。突起255可以由光致抗蚀剂材料形成。
现在，将参考图22和图23描述本发明的第八示范性实施例。
像素电极182包括相互分离开的第一像素电极182a和第二像素电极182b。第二像素电极182b具有弯曲形状并且位于像素电极182的中间部分。
第一像素电极182a和第二像素电极182b连接到不同的薄膜晶体管T1和T2并且接收不同的数据电压。
现在，将参考图24描述本发明的第九示范性实施例。
像素电极182三重弯曲并且垂直地延长。像素电极182包括相互分离开的第一像素电极182a和第二像素电极182b。第二像素电极182b具有弯曲形状并且位于像素电极182的中间部分。
如果第一像素电极182a直接连接到薄膜晶体管，第二像素电极182b可以经由耦合电容器CCP间接连接到薄膜晶体管，类似于第一示范性实施例。可替代地，第一像素电极182a和第二像素电极182b可以连接到不同的薄膜晶体管，类似于第八示范性实施例。
最后，将参考图25描述本发明的第十示范性实施例。
像素电极PE单独地提供而没有与另一像素电极分离开。像素电极PE可以以例如矩形形状、弯曲形状、三重弯曲形状等不同形状提供。
如从上述描述中显而易见的那样，本发明提供了一种可以减少余像的液晶显示装置。
对本领域技术人员显而易见的是在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行不同的修改和改变。因而，本发明旨在覆盖在权利要求书及其等价物范围内提供的本发明的修改和改变。

Claims (23)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板，包括像素电极和存储电容线；
第二基板，面对第一基板并且包括公共电极；
液晶层，插置在所述第一基板和所述第二基板之间；以及
域形成构件，布置在相应于所述存储电容线的第一区域的上方和邻近于该第一区域的第二区域的上方，
其中，所述域形成构件具有不规则部分，
其中，该不规则部分包括具有比该域形成构件的宽度更大的宽度的第一不规则部分和具有比所述域形成构件的宽度更小的宽度的第二不规则部分，并且
其中，该第一不规则部分设置在最接近所述第一区域的第二区域中。
2.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述域形成构件包括公共电极切割图案，
其中，所述公共电极切割图案包括第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案，并且
所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案在所述第一区域中的交叉点处相交会并且在不同方向上延伸。
3.根据权利要求2的液晶显示装置，其中，所述第一区域中的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个的长度大于从所述第一区域和所述第二区域之间边界到所述第一不规则部分的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个的长度。
4.根据权利要求2的液晶显示装置，其中，从所述交叉点到所述第一不规则部分的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个的宽度是恒定的。
5.根据权利要求2的液晶显示装置，其中，所述第一区域中的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个形成有单独的不规则部分。
6.根据权利要求2的液晶显示装置，其中，所述公共电极切割图案还包括第三子公共电极切割图案，并且
该第三子公共电极切割图案在所述交叉点处与所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案交会。
7.根据权利要求6的液晶显示装置，其中，所述存储电容线沿一方向延伸，
所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案在所述存储电容线周围相互对称，并且
所述第一不规则部分和所述第二不规则部分交替布置在所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个中。
8.根据权利要求7的液晶显示装置，其中，所述第三子公共电极切割图案平行于所述存储电容线延伸。
9.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述第一基板还包括布置在所述存储电容线和所述像素电极之间的绝缘层，所述绝缘层在相应于所述存储电容线的部分处最薄。
10.根据权利要求9的液晶显示装置，其中，所述绝缘层包括下部的无机层和上部的有机层。
11.根据权利要求10的液晶显示装置，其中，所述有机层在相应于存储电容线的部分处最薄。
12.根据权利要求11的液晶显示装置，其中，所述像素电极在所述存储电容线上接触所述无机层。
13.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述像素电极具有多个像素电极切割图案，并且
该像素电极切割图案中至少一个形成有具有扩大宽度的第三不规则部分。
14.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述像素电极具有多个像素电极切割图案，
该像素电极切割图案中至少一个形成有具有扩大宽度的第三不规则部分以及具有减小宽度的第四不规则部分，并且
该第三不规则部分和该第四不规则部分交替布置。
15.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述像素电极具有多个像素电极切割图案，
该像素电极切割图案中至少一个形成有具有扩大宽度的第三不规则部分，并且
该像素电极切割图案中至少另外一个具有一致的宽度。
16.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述第一基板还包括栅极线、数据线、以及连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管，
该薄膜晶体管包括：
栅电极；
布置在该栅电极上的半导体层和欧姆接触层；以及
源电极和漏电极，至少部分地布置在该欧姆接触层上并且相互分离开，并且
其中，包括该数据线、该源电极和该漏电极的数据布线交叠该欧姆接触层。
17.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述域形成构件包括突起。
18.根据权利要求1的液晶显示装置，其中，所述液晶层具有垂直取向模式。
19.一种液晶显示装置，包括：
第一基板，包括像素电极；
第二基板，面对该第一基板并且包括公共电极；以及
液晶层，插置在该第一基板和该第二基板之间并且具有垂直取向模式，
公共电极，具有布置在第一区域上方以及邻近于该第一区域的第二区域上方的公共电极切割图案，在该第一区域处该第一基板和该第二基板之间的间隙大于邻近区域的该第一基板和该第二基板之间的间隙，
其中，具有不规则部分的该公共电极切割图案包括具有比该公共电极切割图案的宽度更大的宽度的第一不规则部分和具有比所述公共电极切割图案的宽度更小的宽度的第二不规则部分，且
其中，该第一不规则部分设置在最接近该不规则部分的该第一区域的第二区域中。
20.根据权利要去19的液晶显示装置，其中，所述公共电极切割图案包括第一子公共电极切割图案和第二子公共电极切割图案，并且
该第一子公共电极切割图案和该第二子公共电极切割图案在所述第一区域中的交叉点处交会并且在不同方向上延伸。
21.根据权利要求20的液晶显示装置，其中，从所述交叉点到所述第一不规则部分的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个的宽度是恒定的。
22.根据权利要求20的液晶显示装置，其中，所述第一区域中的所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案的每一个形成有单独的不规则部分。
23.根据权利要求20的液晶显示装置，其中，所述公共电极切割图案还包括第三子公共电极切割图案，并且
该第三子公共电极切割图案在所述交叉点处与所述第一子公共电极切割图案和所述第二子公共电极切割图案交会。
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