CN101192620A - 固体摄像装置 - Google Patents

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CN101192620A
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原田惠充
锅义博
高冈裕二
滝泽正明
酒井千秋
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Abstract

本发明涉及一种固体摄像装置，其可以防止向电极焊盘的应力集中造成的断线等损伤。固体摄像装置(1)具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域(S)和设于摄像区域(S)的周边的电极焊盘(12)的半导体基板(11)、经由密封剂(21)结合于该半导体基板(11)的表面上的透明基板(22)、以贯穿半导体基板(11)的状态自电极焊盘(12)到达半导体基板(11)背面(11a)的背面布线(16)，在半导体基板(11)和密封剂(21)之间，以至少覆盖所述电极焊盘(12)的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜(31)。

Description

固体摄像装置
技术领域
本发明涉及一种固体摄像装置，尤其是涉及一种在设置于半导体基板表面的电极焊盘上，具有以自半导体基板的背面贯穿半导体基板的状态连接的背面布线的固体摄像装置。
背景技术
作为光敏元件的小型化，有在芯片尺寸的半导体基板的摄像区域面的周缘部，利用密封剂贴合透明基板，并以自半导体基板的背面到达设于摄像区域面的周边的电极焊盘的状态开设有贯通孔(通孔(スル一ホ一ル))，形成在该贯通孔中充填着导电材料的背面布线。上述固体摄像装置以晶片的状态贴合透明基板而形成上述背面布线，之后进行单片化，由此按芯片尺寸进行封装(例如：参照专利文献1、非专利文献1)。
在此，用图8说明上述的现有固体摄像装置之一例。该图所示的固体摄像装置10为，在表面形成有排列着光敏元件的摄像区域S和自该摄像区域S引出的电极焊盘12的半导体基板11上，经由密封剂粘接透明基板22。
上述摄像区域S设置于半导体基板11的表面中央部。另外，在半导体基板11上设有例如由二氧化硅(SiO2)构成的绝缘膜13，上述电极焊盘12设置于半导体基板11的周边的上述绝缘膜13上。该电极焊盘12用数百nm膜厚的铝(Al)薄膜构成。
在上述的半导体基板11及绝缘膜13上设置有自上述电极焊盘12到达半导体基板11的背面11a的贯通孔14，绝缘膜15以覆盖该贯通孔14的侧壁的状态，设于半导体基板11的薄膜11a上。另外，在设有绝缘膜15的贯通孔14内，以覆盖贯通孔14的内壁的状态，在半导体基板11的背面设有由数十μm膜厚的铜(Cu)膜构成的背面布线16。
而且，背面保护树脂17以填埋上述贯通孔14的状态设置在背面布线16及绝缘膜15上，并以到达背面布线16的状态设有开口部17a，在露出该开口部17a的背面布线16的表面，设有作为外部接线端子的突起18。
另一方面，上述密封剂21由具有粘接性的有机类绝缘材料构成，且以数十μm的膜厚涂敷形成于半导体基板11的设有电极焊盘12的一侧。并且，经由该密封剂21粘接由玻璃基板构成的透明基板22。
专利文献1：特开2005-202101号公报
非专利文献1：ASET:SEMI Forum Japan 2005子稿集，p.46(JISSOミセナ一2005年6月7日SEMIジャパン企画)。
但是，如图9所示，如上所述的固体摄像装置10为，以与数十μm膜厚的密封剂21和背面布线16接触的状态夹着由数百nm的Al薄膜构成的电极焊盘12，通常，密封剂21的玻璃转移温度(Tg)较低，因此，由于形成突起18时的锡焊回流(ハンダリフ口一)或形成背面布线16时的热工序，背面布线16热膨胀时，密封剂21就会流动，应力就会集中于电极焊盘12上。由于向该电极焊盘12的应力集中，会在构成背面布线16的金属材料和线膨胀系数相差两位数的周边的绝缘膜13上产生裂纹D1，在密封剂21的材料塑性变形时，会因在贯通孔14的底部产生剥离D2而断线。
发明内容
于是，本发明的目的在于提供一种固体摄像装置，其可以防止由于向电极焊盘的应力集中造成的断线等损伤。
为了实现如上所述的目的，本发明的第一固体摄像装置具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域和设于该摄像区域周边的电极焊盘的半导体基板、经由密封剂结合于该半导体基板表面上的透明基板、以贯穿半导体基板的状态自电极焊盘到达该半导体基板背面的背面布线，其特征在于，在半导体基板和密封剂之间，以至少覆盖电极焊盘的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜。
根据这种第一固体摄像装置，因为在电极焊盘和密封剂之间配置有由无机类绝缘材料构成的保护膜，所以，可以防止电极焊盘以接触的状态挟在密封剂和背面布线之间。另外，无机类绝缘材料通常比用有机类绝缘材料形成的密封剂更硬。由此，在进行伴随热处理的制造工序中，即使背面布线产生热膨胀，由于电极焊盘被上述保护膜覆盖，也可以缓和向电极焊盘的应力集中。由此，可以防止由于向电极焊盘的应力集中造成的电极焊盘与背面布线的剥离，从而可以防止对固体摄像装置的损伤。
另外，本发明的第二固体摄像装置具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域和设于该摄像区域周边的电极焊盘的半导体基板、经由密封剂结合于该半导体基板表面上的透明基板、以贯穿半导体基板的状态自电极焊盘到达该半导体基板背面的背面布线，其特征在于，电极焊盘以比构成背面布线的布线材料的成膜膜厚更厚的膜厚设置。
根据这种第二固体摄像装置，因为电极焊盘以比构成背面布线的布线材料的成膜膜厚更厚的膜厚设置，所以，电极焊盘以接触的状态挟在密封剂和背面布线之间，在进行伴随热处理的制造工序中，即使因背面布线的热膨胀产生向电极焊盘的应力集中，也可以缓和应力集中造成的影响。由此，可以防止由于向电极焊盘的应力集中造成的电极焊盘与背面布线的剥离，从而可以防止对固体摄像装置的损伤。
如上所述，根据本发明的固体摄像装置，能够防止制造工序中的热处理造成的对固体摄像装置的损伤，从而，能够提高固体摄像装置的可靠性和成品率。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的固体摄像装置的构成的剖面图(a)、要部放大剖面图(b)；
图2是表示本发明第二实施方式的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图(a)及平面图(b)；
图3是表示本发明第三实施方式的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图；
图4是表示本发明第三实施方式的变形例1的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图；
图5是表示本发明第四实施方式的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图；
图6是表示本发明第四实施方式的变形例1的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图；
图7是表示本发明的第五实施方式的固体摄像装置的构成的要部放大剖面图；
图8是用于说明现有固体摄像装置的要部放大剖面图；
图9是表示现有固体摄像装置的问题的要部放大剖面图。
附图标记
1～5固体摄像装置、11半导体基板、12，12’电极焊盘、16背面布线、21密封剂、22透明基板、31～34保护膜、S摄像区域
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式详细地进行说明。
(第一实施方式)
图1(a)是表示作为本发明的实施例的固体摄像装置的剖面图，图(b)是(a)中的区域A的放大剖面图。另外，对与背景技术同样的构成赋予相同符号来说明。
该图所示的固体摄像装置1为，在表面形成有了排列着光敏元件的摄像区域S和自该摄像区域S引出的电极焊盘12的半导体基板11上，经由密封剂21粘接有透明基板22。
上述摄像区域S设于例如由硅基板构成的半导体基板11的表面中央部，排列形成的光敏元件为CCD型也可以、为MOS型也可以。在半导体基板11上设有例如由SiO2构成的绝缘膜13，上述电极焊盘12设于半导体基板11的周边的上述绝缘膜13上。该电极焊盘12用数百nm膜厚的例如Al薄膜构成。在此，作为电极焊盘12的构成材料，除上述Al以外可以用铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)。另外，电极焊盘12的下层一侧设有防止导电材料自电极焊盘12向绝缘膜13扩散的钛(Ti)/氮化钛(TiN)或钽(Ta)/氮化钽(TaN)等势垒层，在此处省略图示。
另外，在上述半导体基板11及绝缘膜13上设有自上述电极焊盘12到达半导体基板11的薄膜11a的贯通孔14。贯通孔14的直径小于电极焊盘12的直径，在贯通孔14的侧壁及半导体基板11的背面11a全部上以数μm膜厚设有例如由SiO2构成的绝缘膜15。另外，在设有绝缘膜15的贯通孔14中，以覆盖贯通孔14的内壁的状态在绝缘膜15上，经由Cu的具有扩散防止性的例如由Ti/TiN构成的势垒层(省略图示)，设有由数十μm膜厚的Cu膜构成的背面布线16。
而且，在背面布线16上及绝缘膜15上，以填埋上述贯通孔14的状态设有背面保护树脂17。另外，在该背面保护树脂17上以到达背面布线16的状态设有开口部17a，在露出该开口部17a的背面布线16的表面设有成为外部接线端子的突起18。
在此，对上述背面布线16以覆盖贯通孔14的内壁的状态而设置的例子进行了说明，但并不是对背面布线16的形状进行特别限定，以填埋上述贯通孔14的状态设置也可以。
在此，作为本发明的特征的构成为，在半导体基板11和密封剂21之间以至少覆盖所述电极焊盘12的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜31。由此，可防止电极焊盘12以接触的状态被挟在密封剂21和背面布线16之间。另外，由无机类的绝缘材料构成的保护膜31通常比用有机类的绝缘材料形成的密封剂21更硬，因此，可以缓和例如因形成背面布线16或背面保护树脂17时的热处理引起的、背面布线16的热膨胀所造成的向电极焊盘12的应力集中。
在此，作为构成保护膜31的无机类绝缘材料，优选使用光学透明绝缘材料，可使用SiO2或氮化硅(SiN)，单层模也可以，积层膜也可以。在此，作为保护膜31，使用例如SiN膜。
另外，在此，对保护膜31以覆盖电极焊盘12的状态设于绝缘膜15上的整个区域的例子进行了说明，但保护膜31只要以至少覆盖电极焊盘12的状态设置即可，形成图案也可以。
另一方面，密封剂21以至少覆盖半导体基板11的周缘上的上述保护膜31的状态而设置。在此，设计为密封剂21以例如覆盖上述保护膜31上的整个区域的状态而设置。在这种情况下，作为密封剂21使用例如具有粘接性的光学透明的有机类绝缘材料，且以数十μm的膜厚形成于保护膜31上。在该密封剂21上可以使用热固化性树脂或紫外线固化性树脂，在此，设计为使用例如由环氧类树脂构成的热固化性树脂。
另外，例如由玻璃基板构成的透明基板22经由该密封剂21粘接于设有上述保护膜31的状态的半导体基板11上。在此，作为透明基板22，除通常的透镜玻璃材料以外，可使用石英或水晶等。另外，该透明基板22和半导体基板11在平面看构成为相同形状。
这种构成的固体摄像装置1通过下面说明的方法来制造。
首先，在固体摄像装置1的排列形成有多个上述半导体基板11的半导体晶片的绝缘膜13的表面，以至少覆盖电极焊盘12的状态形成由SiN构成的保护膜31。其次，用上述密封剂21粘接和半导体晶片同等大小的透明基板。该粘接为，通过例如旋转镀膜法将密封剂21涂敷于半导体晶片或透明基板上，从而将半导体晶片和透明基板贴合在一起。接着，通过加热或紫外光的照射使上述密封剂21固化。需要说明的是，作为密封剂21，在使用感光性材料的情况下，通过加热使密封剂21固化。
其次，将粘接有透明基板22的半导体晶片的背面进行研磨，使半导体基板11的厚度减小到例如100μm以下。接着，形成自半导体晶片的背面至电极焊盘12的下面的贯通孔14。在此，可以使用激光加工、或光刻法、反应式离子蚀刻(RIE)等加工技术。
之后，以覆盖贯通孔14的侧壁的状态在半导体晶片的背面整个区域形成由SiO2等构成的绝缘膜15。该绝缘膜15可以用例如环氧类干膜形成。
接着，以覆盖设有绝缘膜15的贯通孔14的内壁的状态，通过喷镀法形成由Ti/TiN构成的势垒膜(省略图示)、和由Cu构成的籽晶层(省略图示)，之后，通过电解电镀法在上述籽晶层上形成Cu膜，将它们进行构图而形成背面布线16。
接着，将上述半导体晶片和透明基板一起切断成一个一个的半导体基板11，从而得到各个固体摄像装置1。这时，优选在切断前端的透明基板的表面形成横截面呈V字状的槽，沿着该槽将半导体晶片及透明基板切断。
之后，以填埋设有背面布线16的状态的贯通孔14的状态将层压薄膜贴附于绝缘膜15上，由此，形成背面保护树脂17，之后，在该背面保护树脂17上以到达背面布线16的状态形成开口部17a，在露出开口部17a的背面布线16上形成由锡(Sn)-Ag-Cu构成的突起18。需要说明的是，背面保护树脂17除用上述层压薄膜形成以外，可以通过真空镀膜或喷溅镀膜而形成。如以上这样，固体摄像装置1被完成。
根据这种固体摄像装置1，因为在电极焊盘12和密封剂21之间配置有由无机类绝缘材料构成的保护膜31，所以，可以缓和在实行伴随热处理的制造工序中由于背面布线16的热膨胀造成的向电极焊盘12的应力集中。由此，可以防止由于向电极焊盘12的应力集中造成的电极焊盘12和背面布线16的剥离，可以防止对透水性固体摄像装置1的损伤。从而，能够提高固体摄像装置1的可靠性及成品率。
另外，在上述实施方式中，对由光学透明的有机类绝缘材料构成的密封剂21设置于覆盖半导体基板11的整个区域的保护膜31上的整个区域的例子进行了说明，但密封剂21在电极焊盘12的形成区域即除摄像区域S以外的区域上以包围摄像区域S的状态设置也可以。作为其形成方法，在密封剂21中使用例如感光性树脂，通过例如旋转镀膜法将密封剂21涂敷于保护膜31上，之后进行露光、显像，由此在除了摄像区域S的区域上使密封剂21形成图案。在这种情况下，由于密封剂21不形成在摄像区域S上，因此，密封剂21使用不透明的有机类绝缘材料也可以。其后，和上述实施方式同样，经由密封剂21来粘接透明基板。另外，使上述密封剂21形成于和除了上述摄像区域S的区域相对的透明基板的区域也可以。
(第二实施方式)
其次，用图2(a)的要部放大剖面图及图2(b)的平面图，对本发明的固体摄像装置的第二实施方式进行说明。另外，图2(a)的剖面图是图2(b)的X-X’剖面图，图2(b)是形成密封剂21之前的俯视图。另外，在第一实施方式中，用图1说明的包含设置于贯通孔14内的背面布线16的半导体基板11的背面11a一侧的构成，设计为和第一实施方式同样的构成。
如图2(a)所示，和第一实施方式同样，由无机类绝缘材料构成的保护膜32以覆盖电极焊盘12的状态设于绝缘膜13上。而且，作为本实施方式的特征，如图2(b)所示，上述电极焊盘12被分割为和背面布线16的连接区域12a、和检查区域12b，在上述保护膜32上以到达上述检查区域12b的状态设有开口部32a。由此，在涂敷密封剂21(参照所述图2(a))之前，将探针触到露出于开口部32a的电极焊盘12的检查区域12b上，由此来检测上述光敏元件的良、不良。而且，再如图2(a)所示，检查结束之后，透明基板22经由密封剂21被粘接，由此，开口部32a被密封剂21填埋。
另外，通过分割成连接区域12a和检查区域12b，可以防止由检查用探针触及而形成的探针划痕穿透成为贯通孔14的形成区域的绝缘膜13一侧。因此，可以防止因加工贯通孔14时的过程气体或等离子侵蚀在密封剂21上产生损伤(孔)，而使损伤部的水分、药液等吸附物在形成过程中被放出而造成背面布线16的形成不良或诱发电极焊盘12的腐蚀。
根据这种固体摄像装置2，由于在电极焊盘12和密封剂21之间配置了由无机类绝缘材料构成的保护膜32，从而能够获得和第一实施方式同样的效果。
另外，根据本实施方式的固体摄像装置2，露出于开口部32a的电极焊盘12的检查区域12b与和背面布线16的连接区域12a不重叠，因此，能够防止由探针划痕造成的不良。
(第三实施方式)
下面，用图3的要部放大剖面图对本发明的固体摄像装置的第三实施方式进行说明。需要说明的是，关于图3所示的固体摄像装置3，包含设置于贯通孔14内的背面布线16的半导体基板11的背面一侧的构成，设计为和在第一实施方式中用图1说明的构成同样的构成。
如图3所示，本实施方式中的保护膜33包括：以覆盖电极焊盘12的状态设于绝缘膜13上的第一保护层33’、和设于第一保护层33’上的第二保护层33”。在此，第一保护层33’和第二保护层33”设计为和第一实施方式同样由无机类绝缘材料构成。
另外，在第一保护层33’上以和上述电极焊盘12连接的状态，在通孔内经由势垒层设有例如由Cu构成的通路41。而且，在第一保护层33’上以连接于通路41的状态经由势垒层设有例如由Al构成的检查用电极焊盘42。在此，该检查用电极焊盘42例如在俯视图上看以与电极焊盘12及背面布线16重叠的状态配置。
另外，在上述第二保护层33”上，设置到达除了和检查用电极焊盘42中的通路41的连接区域以外的区域的开口部33a”，使探针触及露出于该开口部33a”的检查用电极42的表面，由此进行形成于半导体基板11的元件的检查。检查结束之后，经由密封剂21粘接透明基板22，由此上述开口部33a”内成为被密封剂21填埋的状态。
在此，优选上述开口部33a”设置于除了和电极焊盘42中的通路41的连接区域以外的区域。由此，可以防止检查用电极焊盘42以接触的状态挟在通路41和密封剂21之间，从而可以缓和向检查用电极焊盘42的应力集中。
根据这种固体摄像装置3，由于在电极焊盘12和密封剂21之间配置有由无机类绝缘材料构成的保护膜33，因此能够获得和第一实施方式同样的效果。
另外，根据本实施方式的固体摄像装置3，在保护膜33的表面设置和电极焊盘12连接的检查用电极焊盘42，由此能够防止在和背面布线16连接的电极焊盘12上由于检查造成的探针划痕的形成。
(变形例1)
在上述第三实施方式的固体摄像装置3中，对在俯视图上看与和电极焊盘12中的背面布线16的连接区域重叠的状态设置检查用电极焊盘42的例子进行了说明，但检查用电极焊盘42的位置没有特别限定。
如图4所示，例如检查用电极焊盘42利用通路41以和电极焊盘12连接的状态，配置于在俯视图上看错开和电极焊盘12中的背面布线16的连接区域的位置也可以。
这样构成的固体摄像装置3’也能够获得和第三实施方式的固体摄像装置3同样的效果。
(第四实施方式)
下面，用图5的要部放大剖面图对本发明的固体摄像装置的第四实施方式进行说明。
如图5所示的固体摄像装置4利用在第一实施方式中用图1说明的自摄像区域S引出的绝缘膜13内的多层布线结构的一部分作为电极焊盘12’和检查用电极焊盘42’。在此，构成多层布线结构的布线层设计为：用Al构成包含检查用电极焊盘42’的最上侧的布线层，用Cu构成包含除此以外的电极焊盘12’的布线层。在本实施方式中，绝缘膜13(参照上述图1)作为保护层34起作用，电极焊盘12’、检查用电极焊盘42’也设置于保护膜34的内部。
在这种情况下，贯通孔14’以到达设于保护膜34的内部的电极焊盘12’的状态而设置，在该贯通孔14’的内部和第一实施方式同样设置有背面布线16。
另外，在保护膜34上，以到达检查用电极焊盘42’的状态设置开口部34a，使探针触及露出于该开口部34a的检查用电极焊盘42’的表面实行检查。而且，检查结束之后，经由密封剂21(参照上述图1)粘接透明基板22(参照上述图1)，由此上述开口部34a内成为被密封剂21填埋的状态。
在此，优选上述开口部34a设置于除了和检查用电极焊盘42’中的通路41’的连接区域以外的区域。由此，可以防止检查用电极焊盘42’以接触的状态被挟在通路41’和密封剂21之间，从而可以防止向检查用电极焊盘42’的应力集中。
根据这种固体摄像装置4，由于在电极焊盘12’和密封剂21之间配置有由无机类绝缘材料构成的保护膜34，因此能够获得和第一实施方式同样的效果。
另外，根据本实施方式的固体摄像装置4，在比电极焊盘12’更靠透明基板22一侧设置和电极焊盘12’连接的检查用电极焊盘42’，由此能够防止在和背面布线16连接的电极焊盘12’上形成划痕。
(变形例2)
在上述第四实施方式的固体摄像装置4中，对在俯视图上看以与和电极焊盘12’中的背面布线16的连接区域重叠的状态设置检查用电极焊盘42’的例子进行了说明，但检查用电极焊盘42’的位置没有特别限定。
如图6所示，例如检查用电极焊盘42’利用通路41’以和电极焊盘12’连接的状态，配置于在俯视图上看错开和电极焊盘12’中的背面布线16的连接区域的位置也可以。
这样构成的固体摄像装置4’也能够获得和第四实施方式的固体摄像装置4同样的效果。
(第五实施方式)
其次，用图7的要部放大剖面图对本发明的固体摄像装置的第五实施方式进行说明。关于图7所示的固体摄像装置5，其包含设于贯通孔14内的背面布线16的半导体基板11的背面侧的构成，设计为和在第一实施方式中用图1说明的构成同样的构成。
如图7所示，在本实施方式中的固体摄像装置5中，未设置在第一实施方式中用图1说明的保护膜31，电极焊盘12的膜厚设计为比构成背面布线16的布线材料的成膜膜厚更厚。具体地说，电极焊盘12的膜厚设计为用自数μm至数十μm的膜厚而形成。由此，即使电极焊盘12以接触的状态被挟在密封剂21和背面布线16之间，也可以缓和在实行伴随热处理的制造工序中，由于背面布线16的热膨胀造成的向电极焊盘12的应力集中的影响。
根据这种固体摄像装置5，电极焊盘12的膜厚设计为比构成背面布线16的布线材料的成膜膜厚更厚，由此，即使由于背面布线16的热膨胀造成向电极焊盘12的应力集中，也可以防止由此产生的不良情况。因而，由于能够防止对固体摄像装置5的损伤，从而能够提高固体摄像装置5的可靠性和成品率。

Claims (4)

1.一种固体摄像装置，具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域和设于该摄像区域周边的电极焊盘的半导体基板、经由密封剂结合于该半导体基板表面上的透明基板、以贯穿所述半导体基板的状态自所述电极焊盘到达该半导体基板背面的背面布线，其特征在于，
在所述半导体基板和所述密封剂之间，以至少覆盖所述电极焊盘的状态设有由无机类绝缘材料构成的保护膜。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述电极焊盘被分割为与所述背面布线的连接区域和检查区域，
在所述保护膜上，以到达所述检查区域的状态设有开口部，并且该开口部被填埋所述密封剂。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
在所述保护膜的表面侧，设有利用通路和所述电极焊盘连接的检查用电极焊盘。
4.一种固体摄像装置，具备：在表面装设有排列着光敏元件的摄像区域和设于该摄像区域周边的电极焊盘的半导体基板、经由密封剂结合于该半导体基板表面上的透明基板、以贯穿所述半导体基板的状态自所述电极焊盘到达该半导体基板背面的背面布线，其特征在于，
所述电极焊盘以比构成所述背面布线的布线材料的成膜膜厚更厚的膜厚形成。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102105969A (zh) * 2008-08-06 2011-06-22 株式会社藤仓 半导体装置
CN102194841A (zh) * 2010-03-10 2011-09-21 株式会社东芝 固体摄像装置
CN102224579A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 松下电器产业株式会社 半导体装置及电子设备
CN103456754A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 意法半导体有限公司 晶片级光学传感器封装和低剖面照相机模块以及制造方法
CN105679841A (zh) * 2011-10-21 2016-06-15 浜松光子学株式会社 光检测装置
CN106298718A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路、前照式传感器、背照式传感器和三维集成电路
CN106365110A (zh) * 2015-07-24 2017-02-01 上海丽恒光微电子科技有限公司 探测传感器及其制备方法
US9748428B2 (en) 2011-10-21 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device including a semiconductor light detection element with a through-hole electrode connection, a mounting substrate and a light-transmissive substrate
CN109273462A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cis芯片封装方法及结构
CN111788688A (zh) * 2018-03-08 2020-10-16 索尼半导体解决方案公司 摄像装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8212331B1 (en) * 2006-10-02 2012-07-03 Newport Fab, Llc Method for fabricating a backside through-wafer via in a processed wafer and related structure
JP4799542B2 (ja) 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP4713602B2 (ja) * 2008-02-21 2011-06-29 パナソニック株式会社 基板モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2009283503A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
EP2295597B1 (en) 2008-05-29 2016-08-03 Morinaga Milk Industry Co., Ltd. Method of estimating surviving bacteria count and method of setting guaranteed bacteria count
JP5175620B2 (ja) * 2008-05-29 2013-04-03 シャープ株式会社 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器
JP2009295676A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5356742B2 (ja) 2008-07-10 2013-12-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体パッケージの製造方法
JP5455538B2 (ja) * 2008-10-21 2014-03-26 キヤノン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5434306B2 (ja) * 2008-10-31 2014-03-05 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
SG161130A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-27 Turbine Overhaul Services Pte Methods for repairing gas turbine engine components
JP2010114390A (ja) 2008-11-10 2010-05-20 Panasonic Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4659875B2 (ja) * 2008-11-25 2011-03-30 パナソニック株式会社 半導体装置
JP5146307B2 (ja) * 2008-12-26 2013-02-20 パナソニック株式会社 半導体装置
DE102008054765A1 (de) * 2008-12-16 2010-06-24 Robert Bosch Gmbh Bauteil mit einer Durchkontaktierung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils
JP5438980B2 (ja) 2009-01-23 2014-03-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010206158A (ja) 2009-02-04 2010-09-16 Panasonic Corp デバイス
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP2010251558A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2011009645A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2011086709A (ja) * 2009-10-14 2011-04-28 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
US9652089B2 (en) 2010-11-09 2017-05-16 Tpk Touch Solutions Inc. Touch panel stackup
US8872293B2 (en) * 2011-02-15 2014-10-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus
US10269863B2 (en) * 2012-04-18 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for via last through-vias
JP2014086596A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Olympus Corp 半導体装置、撮像装置、半導体基板の検査方法及び半導体装置の製造方法
US8952500B2 (en) * 2013-03-15 2015-02-10 IPEnval Consultant Inc. Semiconductor device
JP5764191B2 (ja) * 2013-12-16 2015-08-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置
EP2889901B1 (en) 2013-12-27 2021-02-03 ams AG Semiconductor device with through-substrate via and corresponding method
JP6187320B2 (ja) * 2014-03-03 2017-08-30 株式会社デンソー 受光チップ
TWI676280B (zh) * 2014-04-18 2019-11-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及具備其之電子機器
TWI628723B (zh) * 2015-03-10 2018-07-01 精材科技股份有限公司 一種晶片尺寸等級的感測晶片封裝體及其製造方法
JP6138859B2 (ja) * 2015-06-12 2017-05-31 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置
JP6704126B2 (ja) * 2015-12-17 2020-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 接続構造体
CN106910693B (zh) * 2015-12-23 2019-11-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
JP6780277B2 (ja) * 2016-03-29 2020-11-04 株式会社ニコン 基板
CN205752132U (zh) * 2016-05-19 2016-11-30 深圳市汇顶科技股份有限公司 硅通孔芯片、指纹识别传感器和终端设备
TWI698963B (zh) * 2016-06-03 2020-07-11 日商大日本印刷股份有限公司 貫通電極基板及其製造方法、以及安裝基板
JP6791584B2 (ja) * 2017-02-01 2020-11-25 株式会社ディスコ 加工方法
CN109786478A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 福建钧石能源有限公司 一种异质结电池的电极制备及热处理方法
TWI645517B (zh) * 2018-02-02 2018-12-21 華星光通科技股份有限公司 Photosensor electrode stack structure for preventing moisture from entering
JP7303698B2 (ja) 2019-08-08 2023-07-05 キヤノン株式会社 半導体装置および機器
CN115315808A (zh) * 2020-03-31 2022-11-08 索尼半导体解决方案公司 摄像元件和摄像元件的制造方法
WO2021199679A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像素子の製造方法
WO2022209128A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284394A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子
JP4000507B2 (ja) * 2001-10-04 2007-10-31 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US7180149B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Fujikura Ltd. Semiconductor package with through-hole
JP2005202101A (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Nippon Oil Corp 透過型液晶表示素子
JP4242336B2 (ja) 2004-02-05 2009-03-25 パナソニック株式会社 半導体装置
JP4307296B2 (ja) 2004-03-12 2009-08-05 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4246132B2 (ja) * 2004-10-04 2009-04-02 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2007081137A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
JP2007194498A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Fujifilm Corp 固体撮像装置およびその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102105969A (zh) * 2008-08-06 2011-06-22 株式会社藤仓 半导体装置
CN102224579A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 松下电器产业株式会社 半导体装置及电子设备
CN102224579B (zh) * 2008-11-25 2013-12-04 松下电器产业株式会社 半导体装置及电子设备
CN102194841A (zh) * 2010-03-10 2011-09-21 株式会社东芝 固体摄像装置
US9748428B2 (en) 2011-10-21 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device including a semiconductor light detection element with a through-hole electrode connection, a mounting substrate and a light-transmissive substrate
CN105679841B (zh) * 2011-10-21 2017-12-08 浜松光子学株式会社 光检测装置
CN105679841A (zh) * 2011-10-21 2016-06-15 浜松光子学株式会社 光检测装置
US9825071B2 (en) 2011-10-21 2017-11-21 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device
US9773935B2 (en) 2011-10-21 2017-09-26 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device including a semiconductor light detection element, and a semiconductor light detection element having a through-hole electrode connection
CN103456754A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 意法半导体有限公司 晶片级光学传感器封装和低剖面照相机模块以及制造方法
CN103456754B (zh) * 2012-05-31 2016-04-20 意法半导体有限公司 晶片级光学传感器封装和低剖面照相机模块以及制造方法
CN106298718A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路、前照式传感器、背照式传感器和三维集成电路
CN106298718B (zh) * 2015-06-25 2019-08-23 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路、前照式传感器、背照式传感器和三维集成电路
CN106365110A (zh) * 2015-07-24 2017-02-01 上海丽恒光微电子科技有限公司 探测传感器及其制备方法
CN109273462A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cis芯片封装方法及结构
CN111788688A (zh) * 2018-03-08 2020-10-16 索尼半导体解决方案公司 摄像装置

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